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题名基于MEDICI仿真的ESD保护器件设计方法
被引量:2
- 1
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作者
李若瑜
李斌
罗宏伟
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机构
华南理工大学微电子学系
信息产业部电子第五研究所分析中心电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2005年第12期70-73,77,共5页
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基金
国家"十五"预研基金项目(41308060602)
电子元器可靠件物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助
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文摘
文章讨论了用MEDICI作基于仿真的ESD保护电路设计方法,并以GGNMOS为例,给出了MEDICI仿真结果与实验数据的对照。结果表明此方法是一种有效仿真ESD保护电路在高温高电压大电流下特性的方法,可使ESD保护器件的设计周期缩短,成功率因此大大增加。
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关键词
esd
ggnmos
medici
器件仿真
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Keywords
esd, ggnmos, medici, device simulation
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名GGNMOS ESD器件的建模与仿真
被引量:1
- 2
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作者
赵莉
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机构
南京德睿智芯电子科技有限公司
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出处
《通信电源技术》
2020年第8期113-115,共3页
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文摘
完成了GGNMOS ESD器件的建模,提出了ESD瞬时大脉冲条件下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型,并利用Spectre工具完成了模型的仿真验证。通过仿真得到二次击穿前保护器件GGNMOS I-V特性曲线,确定设计的GGNMOS器件的触发电压Vt、维持电压Vp等电参数能否满足ESD器件设计窗口的需要。
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关键词
esd器件
ggnmos
模型仿真
参数确定
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Keywords
esd device
ggnmos
modeling and simulation
parameter determination
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响
被引量:3
- 3
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作者
李若瑜
李斌
罗宏伟
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机构
华南理工大学微电子学系
信息产业部电子第五研究所分析中心电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室
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出处
《电路与系统学报》
CSCD
北大核心
2005年第5期93-96,共4页
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基金
国家"十五"预研基金(41308060602)
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助
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文摘
本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用。
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关键词
esd
ggnmos
medici
器件仿真
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Keywords
esd
ggnmos
medici
device simulation
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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