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几种应用于触摸感应电路的ESD保护结构设计
被引量:
4
1
作者
居水荣
陆建恩
张海磊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期254-258,278,共6页
电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太...
电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太多,基于此要求,介绍了3种应用在电容式触摸感应检测按键电路中的ESD保护结构。主要描述了这3种结构的电路形式和版图布局,着重阐述了为满足电容式触摸感应检测按键电路的具体要求而对这3种结构所作的改进。列出了这3种改进过后的ESD保护结构的特点、所占用芯片面积以及抗静电能力测试结果的比较。结果表明,经过改进后的3种ESD保护结构在保护能力、芯片面积利用率以及可靠性等方面都有了非常好的提升。
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关键词
静电放电(
esd
)
保护
结构
触摸感应检测按键电路
可控硅整流器
全芯片
esd
保护
二极管加电阻
esd
保护
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职称材料
混合电压I/O电路的ESD保护结构研究
2
作者
岳震
谢俊玲
徐玲
《微处理机》
2002年第1期19-22,共4页
给出了混合电压 I/O电路坚固的 ESD保护结构,它是由放大器结构的 NMOS晶体管组合而成。这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成。为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规...
给出了混合电压 I/O电路坚固的 ESD保护结构,它是由放大器结构的 NMOS晶体管组合而成。这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成。为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规则以避免产生寄生的击穿路径。
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关键词
静电放电
混合电压I/O电路
硅化物工艺
esd保护结构
集成电路
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职称材料
2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(2)——用于智能功率技术的带嵌入式SCR LDMOS的新型ESD保护结构
3
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第4期60-60,共1页
关键词
esd保护结构
智能功率技术
嵌入式SCR
LDMOS
静电放电
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职称材料
题名
几种应用于触摸感应电路的ESD保护结构设计
被引量:
4
1
作者
居水荣
陆建恩
张海磊
机构
江苏信息职业技术学院电子信息工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期254-258,278,共6页
文摘
电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太多,基于此要求,介绍了3种应用在电容式触摸感应检测按键电路中的ESD保护结构。主要描述了这3种结构的电路形式和版图布局,着重阐述了为满足电容式触摸感应检测按键电路的具体要求而对这3种结构所作的改进。列出了这3种改进过后的ESD保护结构的特点、所占用芯片面积以及抗静电能力测试结果的比较。结果表明,经过改进后的3种ESD保护结构在保护能力、芯片面积利用率以及可靠性等方面都有了非常好的提升。
关键词
静电放电(
esd
)
保护
结构
触摸感应检测按键电路
可控硅整流器
全芯片
esd
保护
二极管加电阻
esd
保护
Keywords
electronic static discharge (
esd
) protection structure
touch pad detector
siliconcontrolled rectifiers
full chip
esd
protection
diode and resistor
esd
protection
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
混合电压I/O电路的ESD保护结构研究
2
作者
岳震
谢俊玲
徐玲
机构
东北微电子研究所
出处
《微处理机》
2002年第1期19-22,共4页
文摘
给出了混合电压 I/O电路坚固的 ESD保护结构,它是由放大器结构的 NMOS晶体管组合而成。这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成。为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规则以避免产生寄生的击穿路径。
关键词
静电放电
混合电压I/O电路
硅化物工艺
esd保护结构
集成电路
Keywords
esd
, mixed - voltage circuit,stacked NMOS,silicided technology, HBM
分类号
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(2)——用于智能功率技术的带嵌入式SCR LDMOS的新型ESD保护结构
3
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第4期60-60,共1页
关键词
esd保护结构
智能功率技术
嵌入式SCR
LDMOS
静电放电
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
几种应用于触摸感应电路的ESD保护结构设计
居水荣
陆建恩
张海磊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
4
下载PDF
职称材料
2
混合电压I/O电路的ESD保护结构研究
岳震
谢俊玲
徐玲
《微处理机》
2002
0
下载PDF
职称材料
3
2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(2)——用于智能功率技术的带嵌入式SCR LDMOS的新型ESD保护结构
《电子产品可靠性与环境试验》
2003
0
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职称材料
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