中美两国ESD失效分析研究现状及比较

随着微电子技术的迅猛发展和半导体器件尺寸的大幅度缩小,ESD失效分析已经成为微电子器件可靠性领域中的研究热点之一.概述了作为西方发达国家的典型代表美国由于ESD所造成的危害十分严重,因此美国学者对微电子器件的ESD失效分析进行了广泛研究.介绍了美国在该领域所取得的研究成果及进展状况并与我国学者所做的研究作了比较.美国在这领域所取得的新成果、新技术、研究所采用的新方法等等对我国的科学工作者是很有借鉴意义的.

MOS器件ESD失效的机理分析

本文介绍一种新方法—传输线脉冲技术,并用它对MOS器件ESD失效的机理进行了深入分析,其中包括PN结雪崩开通机构、CMOS损伤阈值、NMOS的锁定效应、MOS管V—I特性和脉宽对ESD失效的影响等分析内容。

基于工业数据挖掘的ESD软失效分析

针对电子产品出货后出现ESD软失效而导致的退货现象,文章通过机器学习算法分析产品ICT电性能测试参数、生产线ESD防护监控数据和产品ESD软失效的相关性。集成算法模型经过优化,分类准确率达到0.88,可以用于量产电子产品的ESD软失效的识别和出货风险管控。同时,利用ESD防护监控点风险指数数据集可以提高产品ESD软失效的识别准确率(8.6%)。安装部署基于物联网技术的静电放电防护监控系统,对管控电子产品生产过程中的ESD软失效风险以及控制出货风险是很有帮助的,可以提高电子制造业防静电管控的智慧化水平。

多通道器件过电应力失效问题分析研究

过电应力失效作为集成电路应用中最常见的失效模式,是导致器件现场失效的重要原因,为进一步克服这一失效因素,提高成品率,以某型号器件的具体失效案例为例,从产品失效机理出发展开研究,提出一种针对多通道结构器件的过电应力失效分析方法。首先逐一排查ESD脉冲、系统异常脉冲和开关机浪涌电流等失效因素,根据失效因素进行仿真试验,使产品质量问题复现,定位产品失效原因,最终采用应用设计优化的方式彻底解决此类结构的过电应力失效问题。该分析方法有利于增强集成电路器件的质量保障,对于不同结构的集成电路也有一定的引申参考价值。

QFP焊点可靠性失效的研究

在现代电子工业中,轻、薄、小是电子封装技术的发展趋势,因而对电子封装有新要求,了解焊点的可靠性是至关重要的。QFP组件焊点可靠性研究将扮演重要角色,有着举足轻重的地位。通过对QFP焊点失效、热疲劳失效、机械冲击失效、电磁兼容失效、ESD失效的研究,对以往研究进行定性的分析,进而提出预防措施。

CMOS SoC芯片ESD保护设计

本文提出从器件失效功率的角度,解释CMOS SoC(System On Chip)芯片的ESD(ElectrostaticDischarge)失效原因,总结了CMOS集成电路(IC)的多种ESD失效模式,研究了多电源系SoC芯片的ESD保护设计方法,提出了SoC芯片的ESD保护设计流程。

2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(2)

22. 特邀论文:带铝盖铜垫的探测和线焊(InvitedPaper:Probing and Wire Bonding of AluminumCapped Copper Pads)-2002 International Relia-bility Physics Symposium pp. 140-143. 微电子制造已经开始发展并促进了用铜互连为首选金属的圆片制造工艺过程。由于裸铜线焊接被认为不是可靠和高产量的工艺过程,因而集成电路制造商在铜的顶部使用了铝盖,以方便焊接。