电火工品人体静电放电实验进展研究

综述了电火工品人体静电放电（HBESD）实验的进展和有关实验结果，分析了电火工品HBESD实验的模拟电路、实验要求和方法，对我国现阶段的电火工品HBESD实验提出了建议。

GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理

对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结果进行分析,在3"+"3"-"和3"-"极性下,器件失效模式为栅源短路,在3"+"极性下器件电参数退化。运用热模型对ESD正负脉冲电压产生的温升进行了计算,器件的损伤机理为,在正向脉冲下为栅金属纵向电迁移导致肖特基势垒退化;在ESD负向脉冲下为高电场引起栅源端对击穿。

关于电容式超大触摸按键可靠性的研究与应用

随着人民生活水平的提高,人们对电器设备的要求也越来越高,如要求操作更便利、更美观,触摸按键作为人机交互的界面,有向大尺寸、超大尺寸发展的趋势。通过对电容式超大触摸按键的可靠性进行研究,主要包括防静电(ESD)问题、超大触摸按键的群脉冲(EFT)实验和传导抗扰度(CS)实验的抗干扰实验问题,并通过应用案例进行验证,达到了预期效果。研究结果表明:设计的超大按键防静电安装结构,能彻底解决触摸防静电问题;设计的增加抗干扰处理的软件方法,能有解决超大触摸按键在做群脉冲(EFT)实验和传导抗扰度(CS)实验时实验失效的问题。