电子设备中PCB板的抗ESD设计方法研究

在电子产品设计中必须遵循抗静电释放的设计规则,从静电释放(ESD)产生的原理、危害以及PCB板的抗ESD设计方法等方面讨论了PCB板设计中遇到的ESD问题及其解决方法.

在深亚微米MOS技术中HC退化与ESD的相互作用

述了深亚微米 MOS技术中热载流子 (HC)退化效应的机理。重点讨论了超大规模集成 (VL SI)中两个可靠性问题沟道热载流子 (CHC)退化与静电释放 (ESD)之间的相互作用 ,特别是漏 /源工艺上的均衡和潜在的损伤。最后又说明了热载流子的产生如何优化

电器产品生产中静电危害防护

在电子产品的研制及生产制造过程中,随着电子设备整机的小型化、便携式、多功能、数字化、高可靠性和高性能等方面的需求不断提高,对元器件的小型化、集成化以及模块化的要求也越来越迫切,这对电子产品的静电防护技术提出了更高的要求。静电防护技术应该越来越受到重视,而不能回避或忽视,归纳起来有以下几个原因:(1)采用的电子元器件本身存在静电敏感结构;(2)当前元器件的尺寸越来越小;(3)新型的特种元器件大多数均为静电敏感元器件;(4)各种高分子材料越来越被广泛采用。文章阐述了静电的产生、静电对元器件的危害、防静电的对策及防静电管理的要求。

控制器电源的ESD防护

本文通过静电的放电(ESD)危害案例,与当前控制器线路板的静电发生比较,分析得出控制器电路以及生产中的静电发生量及其变化规律。据此设计了控制器电源的静电防护方案,并列出线路板生产工艺中的静电防护措施。

电路设计与制造过程中的静电防护

在我们日常生活与生产中,静电无处不在,无时不在,从我们举手投足间的衣服摩擦、生活起居的被服整理与梳头,到运动、工作时人与物或物与物间的摩擦、碰撞、剥离,乃至空气的流动等等均会产生和累积静电,大量累计的静电一旦被快速释放到电路中,就可能会损伤连接到电路中的静电敏感电子元器件,这种损伤可能是毁灭性的,也可能是潜在的,但不论是哪种损伤,最终都会降低电子产品的使用寿命。因此,如何更好地在电路的设计与制造过程中预防静电损伤是我们电路设计与制造工程师们永远研究的课题。

SMT生产车间静电防护体系的构建与管理

刖吾随着表面组装器件（SMD）的小型化和高度集成化，器件内部的绝缘层越来越薄，互连导线线径与间距的也越来越小，于是它们对电气过载EOS（Electrical Overstress）变得更加敏感，而静电放电（ESD）便成了它们的“隐形杀手”。

AS-i安全监控器简介

基本概念 OSSD：分配给输出电路的安全AS—i部件和功能部件，能够释放产生危险动作的机械部件。 外部装置监控电路（电流接触器监控）：允许电流接触器的开关功能连接到被监控的AS—i安全监控器的外部装置监控电路。

AS-i安全监控器概述(下)

AS-interface是一种用于连接二进制传感器和执行器、工作在自动化体系最底层的网络系统。由于容易使用、操作可靠、应用量大等特点,也可用于机械安全领域。安全AS-interface系统可达到EN 954-1规定的四级安全应用,并且可将标准部件和安全部件混合使用。

AS-i安全监控器概述(上)

AS-interface是一种用于连接二进制传感器和执行器、工作在自动化体系最底层的网络系统。由于容易使用、操作可靠、应用量大等特点,也可用于机械安全领域。安全AS-interface系统可达到EN954-1规定的四级安全应用,并且可将标准部件和安全部件混合使用。

I^(2)C总线热插拔缓冲器的超高ESD能力评估

在现行HBM通用标准中,对具有超高静电释放(ESD)能力(≥8 kV HBM)的总线热插拔类产品,缺乏细化的ESD等级测试标准,给实际产品选型设计、ESD能力评估等带来了困难和风险。基于此,以具有10 kV HBM的I^(2)C总线热插拔缓冲器LTC4301为研究对象,制定了超高ESD能力产品评估方案,并进行了样品ESD测试。测试发现:1)器件全管脚ESD能力约为4.5 kV HBM,当电压超过4.5 kV HBM时,器件总线端口对电源VCC的测试率先失效;2)总线端口对地ESD能力约为8 kV HBM,且存在端口漏电参数超标的问题;3)结合ESD结构补充分析,表明所测试器件未达到给定的10 kV HBM指标,未通过超高ESD能力评估。在对该类器件进行具有超高ESD要求的热插拔应用时,应充分考虑总线端口对电源VCC的失效问题,以及GGNMOS被击穿、寄生反向二极管漏电的风险。若有必要,需在外部加装ESD泄电防护器件。