迟缓爱德华菌T3SS转位因子EseC促炎反应

目的Ⅲ型分泌系统(T3SS)是迟缓爱德华菌(Edwardsiella tarda,简称Et)一种重要的毒力因子,EseC是T3SS一个转位因子。通过缺失eseC基因,探索Et菌T3SS与该菌感染细胞和组织后,诱导宿主产生炎症反应的关系。方法构建Et.CD菌eseC基因缺失株及其互补株;用菌落计数法比较两菌株在RAW264.7巨噬细胞胞内存活数目;用CCK-8法比较两菌株感染巨噬细胞后的细胞存活率;利用流式比较野生株和缺失株诱发巨噬细胞的细胞坏死。分别将野生株和缺失株注射小鼠腹腔,用菌落计数法比较两菌株在肝脏、脾脏、肺脏和肾脏中细菌CFU/mL,以及通过观察这些器官的大小和HE染色切片组织,比较两菌株对这些小鼠组织的炎症反应;用ELISA比较这些小鼠血清促炎性细胞因子IL-1β和TNF-α的浓度;用RT-PCR,比较野生株和缺失株效应蛋白基因转录水平。结果 eseC基因缺失后,Et感染巨噬细胞后,胞内细菌数目和细胞存活率均明显降低,说明野生株感染细胞后,可通过其T3SS引起更多细胞的死亡,释放出更多细菌成份;野生株可通过其T3SS诱导更多巨噬细胞发生坏死,伴有大量促炎症因子的释放;T3SS有助于野生株在肝、肺、脾和肾中组织中的大量增殖;野生株感染小鼠后,和eseC基因缺失株相比,它们的肝脏,脾脏和肺脏外观明显肿大,肝、肺、脾和肾组织中有明显的急性炎症反应,野生株诱发产生的促炎性细胞因子TNF-α和IL-1β浓度明显高于缺失株;RT-PCR结果显示,eseC基因的缺失使得Et菌的T3SS效应蛋白的eseJ和eseE基因转录水平明显下降。结论 eseC基因可以通过T3SS影响Et在组织和细胞的致炎作用。

从ESEC班看如何对成人进行强化外语教育

一九八六年九月至一九八七年一月,我参加了美国加利福尼亚州中美教育服务机构在中国举办的ESEC英语训练班。(EDUKATIONAL SERVICES EXCHANGE WITH CHINA)这个机构自一九八一年成立以来,宗旨是为中国的科技人员、专业技术人员进行英语强化教育,以满足这类人员出国工作和学习的需要。这个班的课程设置和教师配备全部由美国人操办。可以说是一个纯“美式”的成人语言训练班。自然,它与中国人所举办的各类成人外语强化班有很大的差别。通过半年的培训,我感到他们的做法有许多可供借鉴之处。

大学英语四级成绩多因素影响分析

英语四级(CET-4)成绩是检验大学生英语掌握水平的重要标准。本文以某高校2001级本科生为调查对象,运用多种统计方法分析影响CET-4成绩的一些客观因素。研究发现,男女大学生CET-4成绩存在显著性差异;高考英语成绩、主干课程成绩和性别与(CET-4)成绩存在相关性。同时本文建立了CET-4成绩通过情况预测模型。通过以上结果,旨在为高校英语教与学提供有价值的参考。

甲泼尼龙冲击治疗睡眠期癫痫性电持续状态患儿临床疗效及对智力水平的影响

目的探讨甲泼尼龙冲击治疗睡眠期癫痫性电持续状态患儿临床疗效及对智力水平的影响.方法将72例睡眠期癫痫性电持续状态患儿按单双号法分为冲击组与对照组,各36例.两组均给予抗癫痫药物治疗,冲击组在此基础上给予甲泼尼龙冲击治疗,比较两组患儿临床疗效、脑电图改善情况、韦氏儿童智力量表评分及不良反应发生率.结果冲击组临床治疗总有效率及脑电图改善总有效率均显著高于对照组(P<0.05).干预后两组韦氏儿童智力量表类同、填图两项因子分及总分均较治疗前显著升高(P<0.05),冲击组较对照组升高更显著(P<0.05).冲击组不良反应发生率显著高于对照组(P<0.05).结论甲泼尼龙冲击治疗能显著提高睡眠期癫痫性电持续状态患儿的临床疗效及智力水平,值得临床推广应用.

电分离连接器对小卫星星箭分离干扰分析

电分离连接器是否成功分离是卫星与火箭分离过程中一个重要的环节。文章以某小卫星为工程背景,根据电分离连接器具有电分离(正常)和机械分离(非正常)两种工作模式,给出了小卫星在正常分离模式和非正常分离模式下的分离时序,建立了两种分离模式下的分离力学模型,开展了电分离连接器分离的仿真分析。结果表明:正常分离模式下,分离不存在干扰;非正常分离模式下存在少许分离干扰,但卫星可以实现安全分离。

高校实训教育设计理论框架的思考

当前高校毕业生的就业状况对实训教育提出了更全面的要求,仅仅掌握一些流程式的技能是不够的,社会要求学生具有主动精神和实践能力。文章通过对知识、行为与认知理论的分析与思考,提出关于实训教育设计的理论框架——ESSC(领域化、标准化、情境化、意识化)。教师可应用该框架设计相应的教学模式进行创新实训教学,实现学生习得全面的技能知识并生成实践智慧,最后阐述了ESSC应用上的一些策略。

SOT82功率产品的热阻控制

文章首先列出了封装过程中可能对SOT82功率产品热阻产生影响的所有因素,并对其中几个关键因素进行了原因分析,如空洞、锡层厚度、锡层倾斜度等。其后,针对这几个关键因素,分别进行对应的装配过程优化改善,来保证SOT82功率产品的热阻稳定。