用于RFID阅读器的低噪声高电源抑制比LDO

基于0.18μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO。根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比进行了分析。采用两级结构,通过预调制级和低通滤波器来降低输出噪声,采用电源负反馈结构为带隙基准电路提供独立电源,并在功率输出级增加减法电路来提高电源抑制比。仿真结果表明,该LDO在100kHz和1 MHz处的输出噪声分别为26nV/Hz^(1/2)和6.7nV/Hz^(1/2),10kHz和1 MHz处的PSRR分别为-82dB和-71.6dB。在3.3V电源电压供电时,LDO消耗的静态电流为300μA。

LDO环路稳定性仿真分析

低压降电压调节器(LDO)的稳定性对系统特性具有重要影响,主要讨论LDO的环路稳定性补偿的方法,分析了LDO的环路放大器、PMOS调整管、电阻反馈等模块的功能;同时,介绍了LDO的开环仿真模型,并设计了一款同时采用零极点补偿、前馈补偿和等效串联电阻(ESR)补偿3种补偿方式的LDO。设计的LDO采用SMIC0.35um的工艺模型库进行设计仿真,系设计仿真结果表明,系统能满足在负载仅为0.1uF电容的稳定性需求。