193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。

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EUV光刻技术 芯片(chip)是信息产业的物质基础,当前芯片工业的发展方向还是在不断减小芯片的特征线宽,从而使芯片的功能增强、速度升高、功耗降低。今天大批量生产的芯片的特征线宽已做到180～150nm,英特尔(Intel)公司已决心投巨资75亿美元改造生产设备和技术,将芯片生产工艺技术由线宽180nm提高到130nm。 决定芯片特征线宽的工艺技术中,光刻是关键。由于光的波粒二象性,当芯片的特征线宽和光刻用的光波长相近时,光刻技术的适用性就成了问题。所以开发光源波长更短的新一代光刻技术,就成了世界芯片制造商共同关心的问题。 1998年,以Intel、AMD、Infineon、MICRO Technology和Motorola五家芯片制造商为骨干的半导体制造商联合体,联合桑地亚(Sandai)国家实验室、利弗莫尔(Livermore)的劳伦斯(Lawrence)国家实验室和伯克利(Berkly)的劳伦斯国家实验室组成EUV有限责任公司(EUVLLC),集资2.5亿美元联合开发下一代芯片的光刻技术EUV。 三年前,在全球半导体工业联合体讨论会上,专家们预言,下一代光刻技术会从下面的5个当中胜出:X射线光刻、离子投影光刻、直写电子束光刻、电子投影光刻和EUV光刻。经过最近几年的研究开发,除EUV外。