高反光率EVA胶膜的制备与性能研究

文章介绍了高反光率EVA胶膜的制备过程,并将其与常规EVA胶膜以及双玻组件用EVA胶膜进行封装组件功率及黄色指数变化效果对比分析。研究结果表明:采用高反射功能助剂改性方法制备的高反光率EVA胶膜,具有优异抗紫外辐射老化能力,同时能够提高组件的光电转换效率及功率。

特殊光伏锑化铟红外探测器的设计

HX-2A红外探测器为光伏锑化铟探测器。为了提高响应速度,探测器芯片采用p-n结结构,其p型层厚度小于0.75μm,n型层厚度约为500μm。探测器芯片采用镀增透膜(减反膜)的方法来进一步提高探测率,同时为了增加光学限光片的可靠性,避免引起盲区变化,直接将限光片图形光刻到探测器芯片表面,制成限光片芯片。通过对光电元件的特殊设计及改进,HX-2A红外探测器与原有的HX-2低温光导锑化铟红外探测器相比,响应速度及探测率都有很大提高。

反射高能电子衍射优化GaSb薄膜生长的工艺研究

在利用分子束外延(MBE)技术生长GaSb薄膜材料过程中,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实现了GaSb薄膜制备的实时监控。利用RHEED衍射振荡图样,对衬底表面的脱氧化层和生长过程进行分析和研究,得到了生长参数与衍射图样变化之间的关系,确定了衬底脱氧化层的温度;通过计算生长速率,实现了源温度、束流比和生长温度的优化;利用双晶X射线衍射(XRD)测试技术对GaSb外延薄膜层的表面生长质量进行初步表征和分析,证明了实验生长的薄膜材料基本可满足器件制备的要求,为下一步采用MBE制备量子阱及超晶格结构提供了实验依据。