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Ge和GaAs线膨胀系数和能隙的温度关系 被引量：1
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作者 陆栋 王利民 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期173-180,共8页
用３个特征频率的爱因斯坦模型，以Ｇｒｕｎｅｉｓｅｎ参数γｉ和约化的电子一声子耦合强度（ｇ２Ｆ）ωｉ为参数，较好地拟合了Ｇｅ和ＧａＡｓ的线膨胀系数与能隙的温度关系的实验曲线，结果表明ＴＡ声子的负的Ｇｒｕｎｅｉｓｅｎ参数... 用３个特征频率的爱因斯坦模型，以Ｇｒｕｎｅｉｓｅｎ参数γｉ和约化的电子一声子耦合强度（ｇ２Ｆ）ωｉ为参数，较好地拟合了Ｇｅ和ＧａＡｓ的线膨胀系数与能隙的温度关系的实验曲线，结果表明ＴＡ声子的负的Ｇｒｕｎｅｉｓｅｎ参数是引起低温区Ｇｅ和ＧａＡｓ的线膨胀系数反常的原因，同时，Ｇｅ和ＧａＡｓ的价带顶状态的（ｇ２Ｆ）ωｉ为正值，而导带底状态的相应量为负值． 展开更多
关键词 锗 砷化镓 能隙
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