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PCT高压静电场的植物细胞效应及量子模型
被引量:
6
1
作者
谢菊芳
宋国清
+2 位作者
廖贡献
张菁
居超明
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期68-71,共4页
本文以压电陶瓷变压器(PCT)高压静电场对豌豆根尖生长点细胞学效应为实验题材,在强场情况下,运用势垒贯穿模型,从电子水平研究了植物细胞畸变的机理.
关键词
电场效应
dna
势垒贯穿
植物
细胞效应
量子模型
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职称材料
GaN HFET沟道中的强场峰和场效应管能带
被引量:
6
2
作者
薛舫时
孔月婵
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期157-167,177,共12页
引入新的解析函数来描绘GaN HFET沟道中的电势、电场强度和电场梯度。自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算了沟道强场峰中的场效应管能带。研究了不同栅、漏电压下的场效应管能带,计算出强场峰中的局域电子气势垒。详细计算了强场峰...
引入新的解析函数来描绘GaN HFET沟道中的电势、电场强度和电场梯度。自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算了沟道强场峰中的场效应管能带。研究了不同栅、漏电压下的场效应管能带,计算出强场峰中的局域电子气势垒。详细计算了强场峰中的电场峰、能带谷、能带峰和局域电子气势垒随栅、漏电压的变化曲线。研究了高漏压下场效应管射频工作性能的退化和沟道开关时电场梯度与沟道电子状态间的相互作用。由此证明漏压决定了沟道中的电场梯度,栅压控制了沟道电子的状态,两者之间的相互作用描绘出一幅复杂的场效应管能带图像。通过EL谱和可靠性测试中的退化率直接观察强场峰内的局域电子气。最后讨论了这一场效应管能带理论在优化设计器件结构中的重要作用。
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关键词
场效应管能带
局域电子气势垒
电场梯度与电子状态的相互作用
漂移电子气
局域电子气
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职称材料
22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
3
作者
杨颖琳
胡成
+4 位作者
朱伦
许鹏
朱志炜
张卫
吴东平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期184-187,共4页
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函...
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。
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关键词
异质栅
金属氧化物半导体场效应晶体管
热载流子效应
表面电场
表面势
漏致势垒降低效应
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职称材料
题名
PCT高压静电场的植物细胞效应及量子模型
被引量:
6
1
作者
谢菊芳
宋国清
廖贡献
张菁
居超明
机构
湖北大学物理系
湖北大学生物系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期68-71,共4页
基金
湖北省重点攻关资助
文摘
本文以压电陶瓷变压器(PCT)高压静电场对豌豆根尖生长点细胞学效应为实验题材,在强场情况下,运用势垒贯穿模型,从电子水平研究了植物细胞畸变的机理.
关键词
电场效应
dna
势垒贯穿
植物
细胞效应
量子模型
Keywords
electric field effect
,
dna
,
potential barrier penetrating
分类号
Q94-33 [生物学—植物学]
Q942.7 [生物学—植物学]
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职称材料
题名
GaN HFET沟道中的强场峰和场效应管能带
被引量:
6
2
作者
薛舫时
孔月婵
机构
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期157-167,177,共12页
基金
国家自然科学基金资助项目(61474101
61504125
+2 种基金
61505181)
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2015AA016802
2015AA033305)
文摘
引入新的解析函数来描绘GaN HFET沟道中的电势、电场强度和电场梯度。自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算了沟道强场峰中的场效应管能带。研究了不同栅、漏电压下的场效应管能带,计算出强场峰中的局域电子气势垒。详细计算了强场峰中的电场峰、能带谷、能带峰和局域电子气势垒随栅、漏电压的变化曲线。研究了高漏压下场效应管射频工作性能的退化和沟道开关时电场梯度与沟道电子状态间的相互作用。由此证明漏压决定了沟道中的电场梯度,栅压控制了沟道电子的状态,两者之间的相互作用描绘出一幅复杂的场效应管能带图像。通过EL谱和可靠性测试中的退化率直接观察强场峰内的局域电子气。最后讨论了这一场效应管能带理论在优化设计器件结构中的重要作用。
关键词
场效应管能带
局域电子气势垒
电场梯度与电子状态的相互作用
漂移电子气
局域电子气
Keywords
bands of
field
-
effect
transistor
localized electron gases
potential
barrier
interaction between
electric
field
gradient and electron states
drift electron gases
localized electron gases
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
3
作者
杨颖琳
胡成
朱伦
许鹏
朱志炜
张卫
吴东平
机构
复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期184-187,共4页
基金
国家科技重大专项(2009ZX02305-003)
上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划资助项目
文摘
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。
关键词
异质栅
金属氧化物半导体场效应晶体管
热载流子效应
表面电场
表面势
漏致势垒降低效应
Keywords
dual-material gate
MOSFET
hot carrier
effect
surface
electric
field
surface
potential
drain-induced
barrier
lowering (DIBL)
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PCT高压静电场的植物细胞效应及量子模型
谢菊芳
宋国清
廖贡献
张菁
居超明
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
6
下载PDF
职称材料
2
GaN HFET沟道中的强场峰和场效应管能带
薛舫时
孔月婵
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018
6
下载PDF
职称材料
3
22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
杨颖琳
胡成
朱伦
许鹏
朱志炜
张卫
吴东平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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职称材料
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