一种活化添加剂对化学镀镍层结合力的影响

在印制电路板(PCB)化学镀镍/金(ENIG)工艺中,活化对焊盘的渗镀、漏镀影响十分重要,然而活化对化学镀镍与基底铜结合力的影响易被忽视。通过对一种活化添加剂进行研究,发现其在活化过程中易吸附在基底表面,夹杂在基底铜与化学镀镍层之间,并且加速了基底铜表面小尺寸空洞的形成,最终导致镀层的结合力降低。

镍上化学浸镀仿金工艺

为了制备色泽纯正的仿金层,且满足工艺操作简单、对环境污染小的要求,采用化学镀镍与化学浸镀仿金相结合的方法在A3钢表面制备仿金层,探讨了化学浸镀仿金液的组成、温度及施镀时间对仿金层色泽和附着力以及仿金液稳定性的影响。结果表明:最佳工艺为6～8g/LSnSO4,5～8g/LCuSO4.5H2O,10～20g/L配位剂,10～25mL/LH2SO4,5～10mL/L稳定剂,温度15～35℃,时间3～5min;仿金镀层色泽均匀,装饰效果好,且工艺操作简单,镀液无毒,对环境污染小。

亚硫酸盐体系置换镀金的性能表征及工艺优化

针对亚硫酸盐体系镀金液的稳定性和镀层均匀性问题,制定了测试评估方法及工艺改进方案。提出了高温稳定性测试、Ni^(2+)耐受能力测试和还原剂稳定性测试3种方法来评价镀金液稳定性。镀层均匀性则通过测厚仪多点测厚,计算总体相对标准偏差(RSD)进行表征。通过单因素试验对配位剂组成和工艺条件进行了优化,得到置换镀金的最佳镀液组成和工艺条件为:Na_3Au(SO_3)_25 mmol/L,Na_2SO_3 0.3 mol/L,三乙醇胺0.1 mol/L,Na_2S_2O_3 5 mmol/L,Na_2HPO_4 0.2 mol/L,pH 6.5,温度60°C,搅拌速率1 m/min。优化后的镀液稳定,施镀10 min所得镀层的平均厚度约为0.05μm,RSD小于10%,表面粗糙度为20.8 nm左右,满足化学镀镍/置换镀金(ENIG)工艺的要求。

倒装芯片化学镀镍/金凸点技术

本文对倒装芯片化学镀镍/金凸点技术进行了阐述。文中主要讨论了化学镀镍/金凸点的表面形貌、均匀性及其在铝电极上的附着性能等问题。

印制线路板化学镀镍/浸金层均匀性的影响因素研究

研究了化学镀镍层磷含量、粗糙度、杂质和镀镍后间隔时间,浸金液温度以及线路板上焊盘(PAD)对金层均匀性的影响。结果表明,引起浸金层不均匀的原因主要有:化学镀镍层各部位的磷含量和表面粗糙度存在差异,化学镀镍层中存在杂质,化学镀镍与浸金的间隔时间过长而使镍层被氧化,浸金槽内各处液温度分布不均,线路板上各处PAD大小有差异。这些因素引起的金层不均匀问题多数可通过严格规范相关操作加以解决。

半导体晶圆化学镍/金UBM工艺与设备

介绍了半导体晶圆化学镍金UBM的工艺流程及其自动控制生产线,包括设备材料的要求及设备内部结构。在200mm的半导体晶圆上成功制作5μm化学镍/金UBM和18μm化学镍金凸点。在光学显微镜、表面轮廓仪和SEM下检测了化学镍/金镀层的表面形貌。通过EDX分析化学镍/金UBM中的镍磷含量。3D自动光学检测了200mm晶圆上化学镍/金凸点的高度和共面性,讨论了镍/金凸点的剪切强度和失效模式,分析了生产中化学镍/金UBM的两种常见缺陷及成因。

CMOS影像感应器构装——湿式无电镀镍沉积技术之最佳化

无电镀镍金(ElectrolessNickel&ImmersionGold;简称ENIG)沉积可以选择性地沉积于铝垫,由于此技术不必使用高成本之光阻微影制程,也不需真空溅镀制程,它可以降低制造成本。然而在实际制造大量生产时,常常面临到化学镀液很难控制之问题。经由精密控制其化学镀液中之一些重要参数,例如温度、pH值、还原剂、镍及稳定剂浓度等,可以明显提高制程性能,以满足量产需求。

CMOS影像感应器构装——湿式无电镀镍沉积技术之最佳化

无电镀镍金(Electroless Nickel & Immersion Gold;简称ENIG)沉积可以选择性地沉积于铝垫,由于此技术不必使用高成本之光阻微影制程,也不需真空溅镀制程,它可以降低制造成本。然而在实际制造大量生产时,常常面临到化学镀液很难控制之问题。经由精密控制其化学镀液中之一些重要参数,例如温度、pH值、还原剂、镍及稳定剂浓度等,可以明显提高制程性能,以满足量产需求。