限散射角电子束光刻技术及其应用前景

在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一。本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等,并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势及其应用要点。

STM选择局部氧化硅表面构造纳米结构图形的研究

利用扫描隧道显微镜对氢钝化的硅表面进行选择性氧化 ,形成了纳米尺度的线条。利用此氧化物线条作为腐蚀掩模进行化学腐蚀 ,使未氧化区被腐蚀 ,从而实现了图形转移。对此工艺和机理进行了研究。证明此工艺可以进行量子尺寸图形结构的加工 ,进而可以发展成为量子器件集成工艺。为了研究氧化层形成的机理 ,采用了低真空中低能电子束曝光实验。电子探针测量结果表明 ,在低能电子作用区可以测得氧成分 ,而非作用区则无氧成分 ,证明电子对氧化起到主要的作用。

基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的研制

介绍了基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的原理,详细分析了此系统的硬件设计、软件设计以及扫描场的校正过程。利用硬件获取扫描图像,并进行实时标记校正,利用软件进行标记位置识别和校正参数计算,满足了曝光机对准系统在性能和精度上的要求。在100μm扫描场下进行拼接曝光实验,达到了77.3 nm(2σ)的拼接精度。

电子束曝光机自动套准系统的研究

本文描述了用于电子束曝光机的芯片自动套准系统，该系统包括：扫描控制器、图象采集子系统、相关位置计算单元和位置与角度修正子系统。利用该系统，完成一次双标记识别及修正的循环需时１１秒；角度最小修正值为０．０１４度；最终实现的套准精度达到３σ≤０．０７μｍ．

表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)

表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.

电子束光刻制备In-Ga-Zn-O场效应晶体管

无掩模直写技术制备半导体器件的方法在微电子学领域受到了广泛关注。提出了采用电子束直写技术对SnO_(2)薄膜进行图形化并辐照改性的方法,成功制备了以SnO_(2)为源/漏电极的底栅型铟镓锌氧化物(IGZO)场效应晶体管(FET)并对其进行了测试。测试结果表明,该IGZO FET展现了优良的电学性能:高源漏电流开关比(1.1×10^(6))、高电子迁移率(1.4 cm^(2)/(V·s))、较小的回滞差分电压(<2 V)、极低的栅极漏电流(<1 nA),这为无掩模版制备高性能氧化物半导体器件及柔性全透明集成电路提供了全新的方法。

电子束缩小投影曝光机数字对准处理技术

介绍电子束缩小投影曝光机对准系统的构成及原理 ,阐述数字处理技术在对准系统中的应用 ,以及对准数据的产生及数字处理的软件设计 。