低频负反馈电路噪声性能分析的E_n－I_n模型方法

本文提出了一种基于Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的负反馈电路噪声分析方法．针对不同形式负反馈电路噪声分析的需要，分别建立了四种分析模型与Ｅｎ－Ｉｎ模型之间的关系．仿真与测量结果的比较表明：由于本方法中充分考虑了Ｅｎ－Ｉｎ噪声的相关性，因此它在低频电路噪声分析中是准确的．

基于E_n-I_n模型的低噪声设计技术研究及应用

接收机噪声是限制接收机灵敏度的主要因素。以某遥控接收机设计为例,分析了放大器的En- In 噪声模型和级联网络的噪声,并提出了基于En- In

基于0.13μm CMOS工艺的毫米波宽带LNA设计

针对5G通信技术在毫米波频段的应用,设计了一种25~30 GHz的低噪声放大器(LNA)。为了在毫米波频段实现高增益,采用了三级电路级联结构,第一级采用共源结构,第二、三级采用共源共栅(cascode)结构,在共源管和共栅管之间加入级间电感,消除级间寄生电容和抑制共栅管的输出噪声。添加反馈网络来优化电路,利用En-In噪声模型对反馈网络进行噪声分析,优化LNA噪声性能。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,采用ADS软件平台对LNA进行仿真。实验结果表明:在25~30 GHz频段内性能良好,S11小于-12.6 dB,S22小于-13.4 dB,S 21为(25.6±0.3)dB,NF为(2.27~2.77)dB。