期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
A Comparative Study of Epi-up and Epi-Down Bonding of High Power 980 nm Single-Mode Semiconductor Lasers
1
作者 Martin Hai Hu Lawrence C Hughes +2 位作者 Hong Ky Nguyen Catherine G. Caneau Chung-En Zah 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第S1期319-320,共2页
Epi-up and epi-down bonding of high power 980nm lasers have been studied in terms of bonding process, thermal behavior, optical performances, thermal stress effects and long-term laser reliability. We demonstrated tha... Epi-up and epi-down bonding of high power 980nm lasers have been studied in terms of bonding process, thermal behavior, optical performances, thermal stress effects and long-term laser reliability. We demonstrated that epi-down bonding can offer lower thermal resistance and improved optical performances without significantly degrading the long-term laser reliability. 展开更多
关键词 down in of A Comparative Study of epi-up and Epi-Down Bonding of High Power 980 nm Single-Mode Semiconductor Lasers NM for that mode
原文传递
消除CMOS IC闭锁的外延加双保护环技术 被引量:1
2
作者 张正璠 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第4期7-10,共4页
本文简要描述了CMOS集成电路的闭锁机理,提出了消除CMOS集成电路闭锁的n^-/n^+外延加双保护环结构;把这种结构用于CC4066电路,在5.6×10~8Gy/s的γ瞬时剂量率下进行辐照实验,电路均不发生闭锁。最后得出,外延加双保护环结构,对中小... 本文简要描述了CMOS集成电路的闭锁机理,提出了消除CMOS集成电路闭锁的n^-/n^+外延加双保护环结构;把这种结构用于CC4066电路,在5.6×10~8Gy/s的γ瞬时剂量率下进行辐照实验,电路均不发生闭锁。最后得出,外延加双保护环结构,对中小规模电路而言,是一种消除CMOS电路闭锁的有效方法。 展开更多
关键词 CMOS IC 闭锁 外延层 保护环
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部