碱性蚀刻液影响因素的研究

为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-的质量浓度为4．8～6．5mol／L，pH为8．2～9．0，操作温度为48～55℃；2）正交试验结果表明，在Cu^2＋的质量浓度为160g／L，Cl^-的质量浓度为5．5mol／L，pH为8．8，操作温度为50℃时，蚀刻状态最好，静态蚀刻速率可达到5．84um／min。

硝酸型酸性蚀刻液蚀刻工艺的研究

研究了以硝酸为主成分的酸性蚀刻液。采用静态蚀刻的实验方法,通过测定蚀刻液对印制电路板铜箔的蚀刻速率和侧蚀量,考察了几个独立因素的影响。结合正交实验得出硝酸型酸性蚀刻液的最佳组分及工艺条件为:Cu2+质量浓度为(140±10)g/L,硝酸浓度为(2.5±0.5)mol/L,温度为(50±5)℃。在该条件下,静态蚀刻速率可达到10μm/min,且侧蚀量小。此外,还考察了抑烟剂对蚀刻速率的影响。

乙醇胺碱性蚀铜液的研究

为了开发一种新型碱性蚀刻液以代替传统的氨类蚀刻液，该蚀刻液的组成特点是以铜一乙醇胺络合物、氯离子和碱性pH缓冲液作为主要成分。分别采用静态吊片蚀刻法和动态喷淋蚀刻研究方法探索了其最佳配方和操作条件，结果表明在铜离子浓度为85～95g／L，氯离子浓度3．5～4．5mol/L，乙醇胺浓度4．5～5mol/L，添加剂浓度0．5～1．5g／L，pH为8．5～9．0，操作温度为55～60℃时，其蚀刻状态最佳，相应的静态和动态蚀刻速率分别达6μm/min和20μm/min，与氨类蚀刻液的对应指标相当，且防侧蚀指标更高。结论是该碱性蚀刻液在生产配制、使用和再生循环过程中无废气排放，技术指标优越，具有良好的工业应用前景。

基于PLC网络通信的喷射腐蚀机控制系统的研究

介绍了功率半导体工艺设备——喷射腐蚀机的控制系统构成,应用PLC网络通信理论,给出了网络拓扑图,构建了基于MPI和Profibus总线的多网络混合型网络系统,通过创建链接和编制网络通信程序,实现了对高精度喷射腐蚀机的自动控制,满足了功率半导体器件对厚硅、厚铝刻蚀的各项特殊功能需要。

条形射频源大口径离子束刻蚀机性能(英文)

针对大尺寸基底往复扫描条形离子束来实现大面积刻蚀的特点,实验测试了基于射频感应耦合等离子体离子源大型离子束刻蚀机的性能.利用法拉第筒扫描探测系统在线测量束流密度,通过控制气体流量、调节加速电压等,得到了纵向束流密度±5.3%均匀性的较好结果.刻蚀实验表明40 cm长度范围刻蚀深度均匀性为±5.4%,同时具有较好的束流稳定性.添加束阑,并结合掩模修正束流,会得到更好的束流密度与刻蚀深度均匀性.

深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术

综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点。

利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制

该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究。在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)取向的100mm蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制,制作出了具有圆锥状图形结构的图形化蓝宝石基底。借助扫描电子显微镜,对该图形化蓝宝石基底进行了测量和分析。测量结果显示,基底表面上的单粒圆锥状图形结构的底部直径为(3.45±0.25)μm,刻蚀高度/深度为(1.75±0.25)μm,整个图形化蓝宝石基底成品片的均匀性控制在3%以内。

影响低浓度亚铜测定的因素

为了确定测量酸性蚀刻液中低浓度亚铜含量的最佳条件,提高工作效率,采用硫酸高铈法,通过单因素实验研究了几种因素对测定结果的影响,并结合正交实验确定了几种影响因素的最佳取值。结果表明:滴定时间、HCl的浓度、FeCl3加入量、测定温度和取样量对测定结果的影响比较显著,而Cu2+的含量对测定结果的影响则不大;在常温条件下(20℃)于5 min内检测低浓度亚铜含量(5 g/L),HCl浓度为7 mol/L,配制的FeCl3溶液加入量10 mL,取样量为10 mL,此条件下亚铜含量的测定结果相对误差可达-0.8%。

高密度RF等离子体刻蚀工艺直流自我偏压的研究

直流自我偏压作为高密度射频(RF)等离子体刻蚀工艺中的重要电学参数,反映出具有高能量的离子对待刻蚀晶片的轰击效果,后者决定了刻蚀工艺的各向异性、刻蚀速率、选择比及形貌特征等工艺结果。该文以HBr作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)金属刻蚀系统针对刻蚀工艺中的直流自我偏压进行研究。研究中分别改变离子源功率、衬底偏压功率、刻蚀压力及HBr气体流量,观察直流自我偏压及其峰值的相应变化规律。实验结果表明,随着离子源功率的升高,直流自我偏压将会轻度降低;升高偏压功率则会显著提升直流自我偏压。刻蚀压力与直流自我偏压呈正比例关系,HBr气体流量的变化及待刻蚀晶片的材质对直流自我偏压无显著影响。

含有柱状隔垫物彩膜基板的剥离技术

介绍了一种含有柱状隔垫物彩膜基板的剥离技术。采用层数顺序方法,两步剥离工艺。第一步,采用剥离液,进行260s,迅速剥离柱状隔垫物层;第二步,刻蚀液进行650s和剥离液进行650s共同作用,先后剥离玻璃基板上透明导电氧化铟锡层、颜色层,挡光层。使之剥离后成为可以再次利用的干净白玻璃。

一种干法刻蚀机的新型装载腔设计

为实现高效连续自动化生产,满足大规模工业化生产需求,研发设计了一种干法等离子体刻蚀机的新型装载腔,可实现3盘、6盘或更多盘数晶片的不间断连续自动化刻蚀,提高了生产效率。

DRAM介质刻蚀工艺和设备发展简述

本文从动态随机存储(DRAM)架构和制造出发,介绍DRAM刻蚀工艺,包括图形、材料、化学气体以及设备;重点阐述20 nm以下DRAM介质刻蚀的工艺挑战,分析工艺类型、工艺特点并提出解决方案;从工艺概念和硬件功能两方面追踪对应的CCP刻蚀设备发展现状,并展望发展趋势。

合成氨变换预腐蚀器的主要破坏形式及改进措施

介绍了合成氨变换预腐蚀器设备发生腐蚀的情况,通过分析设备腐蚀机理,阐述了变换预腐蚀器运行中应注意的问题,并针对运行情况对设备进行了改进。

超细线路整体解决方案

印制电路板工艺需求,伴随着信息、通讯及消费性电子等产品,对功能的提升及轻、薄、短、小的操作需求,在尺寸的限制条件下,电路板线路精细度依循技术发展蓝图逐年在提升。Manz亚智科技"超细线路整合解决方案"成功整合Manz自主研发的"垂直显影生产设备"与"超细线路蚀刻"以及KLEO公司提供的"激光直接成像系统CB20HVtwinstage",为成就生产高阶超细线路印刷电路板的主要利器。引进激光直接成像(LDI)技术后的Manz一站式服务,可大幅缩短75%PCB生产中的图像转移工艺流程,生产周期明显缩短,并且因为直接的数字化处理,给工艺带来了高精度和高灵活性,这对加快研发进度和提升竞争力有非常重要的意义。