CeO_2:Eu^(3+)薄膜的制备及其发光性能研究

采用Pechini法制备Eu3+掺杂的CeO2:Eu3+薄膜.利用X射线衍射(XRD)﹑原子力显微镜(AFM)和光致荧光光谱(PL)对样品进行表征.结果表明:薄膜样品在700℃就结晶成纯面心立方萤石结构的多晶薄膜;PL激发谱中,300～360 nm的宽带激发峰起源于基质CeO2的吸收.

氮化硼对氟铝酸锶红色荧光粉Sr_3AlO_4F∶Eu^(3+)荧光性能的影响

利用氮气保护高温固相法合成一系列氟铝酸锶红色荧光粉Sr3-xEuxAl1-yByO4-yNyF,利用氮化硼BN取代基质中的部分Al2O3,改变基质组成和内部结构,使基质晶格发生畸变,进而影响Eu3+离子的发光性能。利用X射线粉末衍射仪、光电子能谱、扫描电镜以及荧光分光光度计对所合成样品的物相结构、组成、形貌以及荧光性能进行表征,研究BN的掺杂对荧光性能的影响,发现一定量的BN进入基质能起到增强Eu3+发光的作用。初步对BN氮化对红光增强的机理进行了探讨。

阴离子取代合成Sr_3LaA_xV_(3-x)O_(12)∶Eu^(3+)(A=Mo,W)白光荧光粉

通过高温固相法合成Sr_3La A_xV_(3-x)O_(12)∶Eu^(3+)(A=Mo,W)荧光粉,利用MoO_4^(2-)和WO_4^(2-)取代基质中部分VO_4^(3-),改变基质组成和结构,进而影响基质和激活剂Eu^(3+)离子的发光性能。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计对所合成样品的物相、形貌、荧光性能及荧光寿命进行表征。研究表明,MoO_4^(2-)和WO_4^(2-)的部分掺杂对基质发光位置和强度均有影响,能明显减弱VO_4^(3-)的发光,但对Eu^(3+)离子发光影响不大,添加电荷补偿剂F^-可以加强VO_4^(3-)对Eu^(3+)离子的能量传递。通过调整基质VO_4^(3-)发光和Eu^(3+)离子发光,可以得到单一基质的白光荧光粉。初步探讨了阴离子掺杂对Eu^(3+)离子红光发射增强的机理。