Eu^(2+)掺杂3Y-TZP陶瓷模拟天然牙的荧光性

将3Y-TZP预烧结瓷块浸泡在Eu(NO3)3溶液中经还原气氛烧结制备Eu2+掺杂的牙科3Y-TZP陶瓷。采用扫描电镜、X射线衍射仪和荧光光谱仪对其微观形貌、物相和发光特征进行表征;采用MTT实验评价其细胞毒性。结果表明,Eu2+掺杂3Y-TZP陶瓷烧结致密、晶粒大小均匀,尺寸约为450nm。主晶相为t-ZrO2,未见其它物相的衍射峰。在365nm激发下,发射波长为位于470nm的宽带蓝光发射,属于Eu2+的4f65d1→4f7(8S7/2)能级跃迁。该发射光谱与天然牙发射光谱接近,可模拟天然牙的荧光性能。Eu2+掺杂3Y-TZP陶瓷的细胞毒性为I级,具备口内应用的安全基础。

Eu^(2+),Dy^(3+)掺杂夜光纤维用发光材料的余辉特性和陷阱能级分布

采用高温固相法制备了夜光纤维用Sr2MgSi2O7∶Eu2+,Dy3+蓝色长余辉发光材料,结合夜光纤维对发光材料性能的要求,通过X射线衍射图谱、荧光光谱、余辉衰减曲线及热释光谱对材料的结构、发光性能和陷阱能级分布进行了表征,重点分析了稀土离子Eu2+和Dy3+的掺量及比例的变化对材料余辉过程和陷阱能级分布的影响。结果表明适中的Dy3+掺量能产生合适的陷阱能级,从而获得较好的余辉效果,Dy3+掺量不同但衰减规律相似,经拟合余辉衰减包括快衰减、中衰减、慢衰减3个过程。而当Dy3+掺量不变,Eu2+掺量达到0.05mol时,发光强度骤然下降,出现发光淬灭。随着Dy3+掺量的增加,陷阱能级的深度E值逐渐变大,当Dy3+掺量增加到0.06mol时,E值反而大幅降低。

Mg2+、Zn2+掺杂CaWO4∶Eu3+荧光粉的发光性质

采用微波加热固相法合成了Mg2+、Zn2+掺杂CaWO4∶Eu3+荧光粉。利用XRD对样品的晶体结构进行表征,通过荧光分光光度仪对样品的激发光谱、发射光谱和能级寿命进行检测和分析。结果表明,Mg2+、Zn2+、Eu3+掺杂CaWO4不影响CaWO4基质的四方晶相。395nm激发下,与CaWO4∶2%Eu3+样品比较,分别掺杂0.5%的Mg2+或Zn2+的样品发光强度提高了1.3倍和2.1倍;与3%Mg2+或3%Zn2+掺杂CaWO4∶2%Eu3粉体发光比较,当Eu3+浓度增加为3%时,粉体的发光强度分别提高了7.3倍和14.8倍;与CaWO4∶3%Eu3+样品比较,3%的Mg2+或Zn2+掺杂后的样品光强分别提高了1.2倍和1.3倍。262nm比395nm激发同一样品的Eu3+的5D0能级寿命有所增加。与单掺2%Eu3+样品比较,随着Mg2+或Zn2+掺杂浓度增加,样品荧光寿命先增加后减小。同样激发波长下,与Mg2+或Zn2+掺杂CaWO4∶2%Eu3+样品荧光寿命相比,Eu3+浓度增加为3%时,样品的荧光寿命明显变短。

Eu_2O_3掺杂量及烧结温度对氧化铝基微波陶瓷性能的影响

选用MgO-CuO-TiO_2-Eu_2O_3添加剂作为氧化铝陶瓷的烧结助剂,在空气气氛下经过常压烧结制备Al_2O_3陶瓷。采用XRD,SEM及EDS等方法研究Eu_2O_3掺杂量以及烧结温度对Al_2O_3基微波陶瓷样品物相组成,微观结构和介电性能的影响。结果表明:添加Eu_2O_3的Al_2O_3陶瓷中,均存在Al2Eu2O9次晶相,且随着Eu_2O_3含量的增加,Al2Eu2O9相增加;随着Eu_2O_3添加量的增加,Al_2O_3陶瓷试样致密度先增加后降低;随着烧结温度的增加,Al_2O_3陶瓷的介电常数和品质因数Q·f值先增加后降低。烧结温度为1450℃,Eu_2O_3添加量为0.25%(质量分数)时,烧结体的相对密度达到最大值98.21%,且Al_2O_3陶瓷的介电性能较好:介电常数为10.05,品质因数Q·f为37984GHz。

Sr^(2+)掺杂荧光粉Ca_2Nb_2O_7∶Eu^(3+)的发光特性

采用高温固相法制备出Ca1.97-xSrxNb2O7∶3%Eu3+(x=0.10,0.50,1.0,1.5,1.97)红色荧光粉,研究了Ca1.97-xSrxNb2O7∶3%Eu3+的发光特性及Sr2+的浓度对该荧光粉发光性质的影响。随着Sr2+浓度的改变,Ca2-xSrxNb2O7∶Eu3+的XRD呈现不同的相。Ca1.97Nb2O7∶3%Eu3+(x=0)的激发光谱中,302 nm附近的强宽带来自于O2-→Eu3+电荷转移跃迁,272 nm附近的肩峰来自于NbO7-6基团的电荷转移跃迁,350~600 nm范围内的锐锋属于Eu3+的特征4f-4f组内跃迁。在398 nm激发下,发射光谱的最强峰位于616 nm,属于Eu3+的5D0→7F2电偶极跃迁,发射出强烈的红光。当Ca2+逐渐被Sr2+取代时,Ca2-xSrxNb2O7∶Eu3+的各激发峰的强度先提高后降低,且O2-→Eu3+电荷转移跃迁发生明显红移。少量Sr2+的掺杂可以有效提高Ca2-xSrxNb2O7∶Eu3+的红光发射强度,当x=0.01时该荧光粉的红光发射达到最强,可以被紫外LED芯片激发。

Eu^(3+)掺杂二氧化钛纳米粉末的制备及发光性质研究

以钛酸四丁酯为前驱物,利用溶胶-凝胶法制备了Eu3+掺杂TiO2纳米粉末.首先对纳米粉末的发光性质进行了一定的研究,找出了纳米晶发光效率最佳激发波长,然后用最佳激发波长对不同退火温度下摩尔分数为0.5%Eu3+离子掺杂TiO2纳米晶和同一退火温度下不同摩尔分数Eu3+离子掺杂的纳米晶进行激发,对发射光谱进行分析,从而得到制备纳米晶的最佳退火温度和最佳Eu3+离子掺杂的摩尔分数.

Ca_(10)(Si_2O_7)_3Cl_2∶Eu^(3+)荧光粉的发光特性研究

采用溶胶-凝胶法合成了Ca10(Si2O7)3Cl2∶Eu3+荧光粉,并研究了该荧光粉的微观结构及发光性能。结果显示:Eu3+掺杂Ca10(Si2O7)3Cl2荧光粉属于单斜晶系,颗粒呈现近球体和长方体形状,粒径介于400～500 nm。在395 nm近紫外光激发下,该荧光粉呈红色发射,并有5个分别位于582,594,615,654和705 nm的主发射峰,分别对应于Eu3+的5D0→7F0、7F1、7F2、7F3和7F4特征跃迁。该荧光粉的激发光谱覆盖了320～480 nm这段波长范围,主激发峰位于395 nm。另外,该荧光粉的发光强度随Eu3+掺杂量的提高而增强。

KSrGd(PO_4)_2︰Eu^(2+),Mn^(2+)红色荧光粉的合成和发光性能

采用改进的高温固相法合成了Eu2+/Mn2+掺杂的KSrGd(PO4)2荧光粉.用X射线粉晶衍射仪和荧光光谱仪对样品进行了表征.结果表明:Eu2+离子和Mn2+离子成功掺入了KSrGd(PO4)2晶格中,基质晶体结构未见明显变化.Eu2+的发射峰位于522 nm,Mn2+的发射峰位于618 nm.通过Eu2+和Mn2+之间的能量传递,KSrGd(PO4)2荧光粉在紫外光激发下发出明亮的红光.

基于太阳能切削硅粉制备Eu^(2+)激发的直接白光荧光粉及其发光特性研究

以单晶硅太阳能电池切削产生的硅泥为原料,通过氨氮化工艺高温烧结制备了Eu^(2+)激发的直接白光荧光粉,研究了Eu^(2+)掺杂浓度对荧光粉发光性能的影响.物相分析结果显示,所合成的荧光粉为混合物,主要晶相为Ca_2SiO_4、CaSiO_3和Ca_2Si_5N_8.通过分析荧光光谱,发现荧光粉的有效激发范围为300～450 nm.在370nm近紫外光激发下,荧光粉中主要存在两个发光中心,分别位于470 nm和570 nm,发光颜色趋近于白光,色坐标为(0.327 5,0.386 6),色温为5 705 K(5 431.85℃).通过改变Eu离子掺杂浓度发现:荧光粉发光强度先增大后减小,最佳Eu^(2+)掺杂量为10.0 mol%;超过最佳掺杂浓度,由于离子间的相互作用导致浓度淬灭.通过单一荧光粉配合紫外芯片激发可直接获得白光输出.

TiO_(2)对ZnO/ZnS:Eu^(3+)荧光粉发光性能的影响

采用溶胶-凝胶-沉淀法制备ZnO/ZnS/2TiO2:Eu3+荧光粉,并采用X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、透射电镜(TEM)以及荧光光谱技术对其结构、组成、形貌和发光性能进行表征,探讨其发光机理。结果显示,ZnO/ZnS/2TiO2:Eu3+荧光粉的结构在温度高于600℃时趋于稳定状态,呈不规则结构,由ZnO、TiO2和ZnS构成。IR谱图表明,Ti-O-Ti桥氧键网络结构有利于Eu3+之间的能量传递。荧光光谱分析表明,引入TiO2使Eu3+光谱选律禁阻解除,提高了ZnO/ZnS/2TiO2:Eu3+荧光粉的发光性能,且当nZn(NO3)2:nTiO2=1:2时荧光粉的发光性能最好,612 nm处的5D0→7F2电偶极跃迁为最强发射峰,最佳退火温度为600℃。

稀土铕提高钨酸锂电导性能的初步分析

采用固相法合成了掺杂Eu2O3的Li2WO4多晶固体离子导体材料Li2WO4+xEu2O3(x:0.00～0.17mol),并用X 射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及交流阻抗技术对样品的结构、形貌以及电导性能进行了观察和测试.结果发现,掺入适量Eu2O3可提高Li2WO4基质材料的电导性能.分析表明:非导电相Eu2O3的加入不仅减小了晶粒间电阻,而且使材料的电导活化能大大降低,从而提高了材料的离子电导率.

保温辅助法燃烧合成Ca-α-SiAlON:Eu^(2+)荧光粉

采用一种保温辅助(TIA)的燃烧合成工艺,高效、快捷地制备出了高性能Eu^(2+)掺杂的Ca-α-Si Al ON荧光粉。在传统的燃烧合成工艺的基础上,在反应物原料的外部包裹氮化硅保温层,显著阻碍了燃烧过程中的热量散失,使体系处于高温反应区的时间延长至原有工艺的3倍以上,从而促进了晶体的充分生长和发育。通过使用XRD、SEM、PL光谱等测试手段对产物进行全面分析,发现在使用了氮化硅保温层的样品中,产物为纯相的Ca-α-Si Al ON,颗粒的结晶良好,呈现等轴状形貌,粒径分布均匀。PL光谱测试表明,其在250~350 nm和350~450 nm区间内存在2个较宽的吸收带,在568 nm附近处有较强的黄光发射。包裹了氮化硅保温层后,产物的荧光性能有了明显改进,激发光谱和发射光谱的强度均有显著提高。

物质比及掺杂浓度对燃烧合成制备Eu掺杂Ca-α-SiAlON荧光粉的影响

采用高效、便捷的燃烧合成工艺,通过调整多项工艺参数,制备出了高性能Eu^(2+)掺杂的Ca-α-Sialon体系荧光粉。对原始反应物中燃烧物质的比重进行了步长为1%(质量分数)的精细调控,探索了硅粉原料比例对产物性能的影响规律,确定了最佳原料配比;通过精细调控体系中作为发光中心的Eu2+掺杂量,探究了产物发光性能随铕离子掺杂浓度的变化规律;最终确定了最为适宜的燃烧合成反应参数。通过使用XRD、SEM、等测试手段对产物进行分析,发现其α-Sialon相纯度高,残余硅少,颗粒结晶良好,粒度分布均匀,PL谱测试表明其在250~350 nm和350~450 nm区间内存在2个较宽的吸收带,在580 nm附近处有较强的黄光发射,半峰宽约为94 nm。

硫代铝酸钡(BaAl_2S_4:Eu)靶材制备工艺研究

为制备薄膜无机电致发光显示器件中的硫代铝酸钡(BaAl2S4:Eu)蓝色发光层薄膜,采用粉末烧结的方法,经过对BaS,Al2S3,等原材料的粉碎、研磨、高温烧结,以及热压等过程,制备出用于溅射镀制BaAl2S4:Eu蓝色发光层薄膜的靶材样品。对制备的BaAl2S4:Eu发光层薄膜进行的光致发光分析表明,在300nm紫外光激发下,薄膜能够发射出峰值位于470nm处的蓝光。对发光层薄膜的XPS分析结果表明,发光层薄膜中含氧量较高,随着溅射功率的提高,薄膜中铝元素有显著增加;而随着淀积压强的增大,硫元素则显著减少。

铕掺杂氧化镧纳米荧光材料的水热合成及性能表征

以La2O3、Eu2O3和氨水等为原料,采用水热法合成了(La0.95Eu0.05)(OH)3一维纳米线前驱体,并经适当煅烧制备了(La0.95Eu0.05)2O3红色荧光粉。系统考察了反应体系pH值对产物的影响。通过X射线衍射、红外光谱、场发射扫描电镜、高分辨透射电子显微镜和差热分析、荧光光谱分析等手段对产物进行了系统表征。结果表明所得氢氧化物纳米线具有多晶构造、表面平滑且结晶良好,其长度和直径分别约为800~1000 nm和40~50 nm。该氢氧化物前驱体于800℃以上煅烧可分解为结晶良好的氧化物,且所得氧化物荧光粉在288 nm电荷转移带激发下于约630 nm处呈现鲜艳的红色荧光发射,归属于Eu3+的5D0→7F2跃迁。

铕离子掺杂焦磷酸镁钡荧光粉的合成及其对发光性能的影响

采用高温固相法在碳块还原下制备了铕离子掺杂焦磷酸镁钡荧光粉:Ba Na Mg P_2O_7:Eu^(2+),并对样品的结构、荧光性能以及不同浓度Eu^(2+)掺杂对样品发光性能的影响进行了研究.X-射线衍射分析表明Eu^(2+)的掺入没有改变Ba Mg P_2O_7的基质晶相,合成的荧光粉为纯相;荧光光谱分析表明该荧光粉的最大激发及发射波长分别为300和400 nm;且Eu^(2+)的掺杂浓度为4%时该荧光粉具有最佳发光强度.