碱金属卤化物中键参数拓扑指数与F心能带的相关性研究

从键参数拓扑指数Ｈ_（４１）及Ｆ心的箱势阱模型出发，推测在碱金属卤化物中Ｈ_（４１）与Ｆ心的能带Ｅ（Ｆ）之间应存在一种正相关关系，计算结果验证了理论分析的结果。Ｅ（Ｆ）与Ｈ_（４１）之间良好的线性相关性进一步说明了键参数拓扑指数具有关联无机化合物的性质。

碱金属卤化物的F心能带、晶格能、标准熵的拓扑研究

基于Kier的点价(δiv)及量子数(如ni)定义新的原子点价(δit), 并在邻接矩阵基础上建构连接性指数(mF)。用其中1F分别与20种碱金属卤化物的F心能带[E(F)]、晶格能(U)、标准熵(Smθ)关联,它们的相关系数(R)依次为0.9922、0.9972、0.9918。符合Mihalic等人提出的建模要求(R>0.99)。结果表明,mF将在化合物的QSPR/QSAR研究中成为具有广泛、良好相关性的结构参数。

MgF_2晶体中F心的研究

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似的基础上采用扩展离子处理的方法研究ＭｇＦ２晶体中Ｆ心的结构及其物理性质。

MgF_2晶体中F心的研究

本文是在单电子 Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似的基础上，采用扩展离子处理的方法研究ＭｇＦ２ 晶体中Ｆ心的 结构及其物理性质。对Ｆ心光谱研究的结果与实验结果符合得很好。

F/Cl比与BaFCl:Eu^(2+)中的F心

BaFCl:Eu^(2+)是一种优良的X射线存储成像材料,其X射线存储及光释光过程与晶体中的F心有紧密关系。本文制备了BaF_xCl_(2-x):Eu^(2+)系列粉末样品。利用正电子湮灭技术及光谱手段,测得这些样品的正电子湮灭谱和光激励谱。我们分解了3种不同F/Cl配比的光激励谱,得到443nm和561nm附近的2个峰,其相对强度随F/Cl比的不同发生了变化,而峰位并未改变。其实验结果表明:当其晶体中的F/Cl<1时,可以有效地产生F^-离子的空位缺陷。而当F/Cl>1时,不利于Cl^-离子空位缺陷的形成。另外,我们简单地讨论了BaF_xCl_(2-x):Eu^(2+)系列样品光激励发光强度的变化。

PbWO_4晶体F心及F^+心吸收带的能级计算

采用离散变分法计算了PbWO4晶体的能带结构,并用F心及F+心的类氢离子1S波函数结合离散变分法计算了F心及F+心的电子基态能级. 计算结果表明,F心及F+心电子基态能级分布在禁带中,分别位于距导带底1.97 eV(630 nm)及2.36 eV(525 nm)处,它们的吸收跃迁对应于基态到导带底的跃迁,使晶体呈现F心及F+心吸收带. 化学计量PbWO4晶体的辐照诱导吸收谱位于500~700 nm,呈现一个宽吸收带. 高斯分解的结果表明:该吸收带是由两个峰值分别位于550 nm和680 nm的吸收带叠加而成的,这两个吸收带分别对应于F+心及F心吸收带. 计算结果与实验数据吻合较好.

LuPO_4晶体中F心和F^+心的光谱性质模拟计算

基于密度泛函理论下的广义梯度近似结合平面波赝势方法计算得到LuPO_4晶体的缺陷形成能,对带电缺陷与其镜像之间周期性库伦作用进行修正,得到比较精确的不同带电态的氧空位缺陷形成能,并利用杂化泛函方法修正带隙和带边.考虑电子声子耦合作用结合缺陷形成能构建光谱.对比LuPO_4∶Nd的实验结果与计算结果,发现F心的吸收峰与Nd^(3+)的5d—4f发射峰重叠(位于189nm),表明LuPO_4∶Nd中光产额较低的原因与F心的存在有密切关系.

BaFBr:Eu^(2+)的F心研究及一种能量最小优化方法的应用

根据Hartree Fork近似基础上的扩展离子处理方法研究BaFX:Eu2+中的缺陷问题,并且对晶格系统总能量进行能量最小优化,模拟PSL现象,得到了与实验值符合的结果,从而导出F心的吸收谱的产生机制.因此,此种能量最小优化方法可用于类似问题.

F心激光器

美国纽约Burleigh仪表公司报告了一台连续可调谐的红外激光器，它以F心晶体的激射作用为基础进行工作。这种新型激光器，可以预期在诸如化学反应动力学、饱和吸收研究、光声光谱学和激光同位素分离等领域得到应用。

Sr∶BaF_2晶体电子辐照诱生F型色心及其转型研究

测试和分析了Ｓｒ∶ＢａＦ２晶体电子辐照前后以及辐照着色的样品光致转型过程的吸收谱。研究结果表明，能量为１．５ＭｅＶ和１．８ＭｅＶ的电子束对Ｓｒ∶ＢａＦ２晶体的辐照注量达１０１５～１０１６ｃｍ－２时，诱生ＦＨ对、Ｆ心及其与杂质的复合色心。用波长为６３２．８ｎｍ的ＨｅＮｅ激光照射电子辐照着色的样品，可使Ｆ心转型成ＦＡ（Ｓｒ２＋）心；再用钠光（５８９．０，５８９．６ｎｍ）照射，又可将ＦＡ（Ｓｒ２＋）心部分回转成Ｆ心。

CsCl中F_H(CN)^-缺陷中心的吸收光谱及无辐射过程理论研究

本文采用扩展离子处理自洽迭代计算方法研究了CsCl中F_H(CN)^-缺陷中心基态两种不同位形F-(CN)^-及F-(NC)^-,认为在CsCl中F-(NC)^-位形是F_H(CN)^-缺陷中心应该优先占据的位形;计算了F_H(CN)^-的基态及激发态的能量一位形绝热势能曲线;研究了F_H(CN)^-的吸收光谱特性.计算结果与实验值符合得很好,并首次给出了该系统中无辐过程的物理机理.

KF中F心的驰豫激发态

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似及扩展离子处理方法（ＳＬＣ方法）的基础上，考虑了ＫＦ中Ｆ心电子处于激发态时晶格相互作用的四极子模型；计算了基态和激发态的能量；给出了相应的能量和离子坐标间关系的能量──位形图。计算的辐射能和实验符合得很好。

碱卤晶体中F心电子和（CN）^—分子的电声子相互作用

用微扰论研究了ＫＣｌ中下心和（ＣＮ）~－分子间的电声子相互作用。给出了不同状态下的电声子相互作用的强弱，为进一步研究其它碱卤晶体中下心电子和杂质分子间的电声子相互作用提供了理论依据和方法。

BaFCl∶Eu^（2＋）中F色心的浓度和光激励截面与温度和紫外线的辐照波长的关系

本文研究了ＢａＦＣｌ∶ＥＵ（２＋）在不同波长的紫外线辐照和不同的测定温度下的光激励发光性质．通过改变激励方式及激励光的扫描方向，给出了ＢａＦＣｌ∶Ｅｕ（２＋）光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值与紫外线辐照波长和测定温度的关系．同时我们还研究了在激励读出过程中，对应两种Ｆ色心的光激励发光强度与激励温度的关系，并且给出了相应于Ｆ（Ｃｌ－）心的热激活能．

含色心BaMgF_4晶体电子结构的研究

运用相对论性的密度泛函离散变分法(DV-Xα)研究BaMgF4晶体中F型色心的电子结构.计算中采用冻结原子核的H原子模拟F心,在DV-Xα源程序增加H原子2p态,使F心激发态的计算结果在物理上更加合理.计算结果表明,F心的基态和激发态均出现在禁带中;并用过渡态的方法计算得到F心的电子从基态到激发态的光学跃迁能量为5.12 eV,对应242 nm处的吸收带,计算结果与实验结果吻合得很好,因此,推测F心在BaMgF4晶体中引起236～274 nm的吸收.

LiYF_4晶体中F_2心的理论模型

本文以连续介质模型为基础,采用氢分子的价键理论,并在近似波函数中引入了一个轨道指数k,对LiYF_4中的四种不同构型F_2心的基态能量、激发态能量和跃迁能进行了计算;还引入了晶格离子的点离子平均势,对不同构型的F_2心能量进行修正。计算结果与实验结果符合得很好,从理论上证实了关于LiYF_4中F_2心的实验推断:实验中测得的吸收位于630nm和555nm的色心为两种不同构型的F_2心,且前者为稳定的色心。

MgO晶体中F型色心的电子结构和光学吸收谱研究

运用嵌入原子簇的电荷自洽离散变分方法（ＳＣＣ－ＤＶＭ－Ｘα方法）对ＭｇＯ晶体中Ｆ型色心的电子结构进行了计算，并利用能量最小原理优化了色心格点周围的Ｍｇ，Ｏ离子结构，得到了ＭｇＯ晶体中 Ｆ，Ｆ＋和 Ｆ２＋心的能带，态密度，并讨论了色心的光学跃迁模式。计算结果表明，Ｆ，Ｆ＋和 Ｆ２＋心在 ＭｇＯ晶体的禁带中引入了色心能级，Ｆ和 Ｆ＋心的光学跃迁能分别是 ４． ６７ｅＶ和 ４． ６６ｅＶ，电子从色心激发态跃迁到导带底需要吸收大的光电子跃迁能量。计算结果与实验结果符合较好，说明计算结果是合理的。

BuFCl：Eu^（2＋）中两种F色心的浓度比值与光激励截面比值的测定方法

本文研究了紫外线辐照下ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋的光激励发光性质．通过改变激励方式及激励光的扫描方向，给出了ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值的测定方法．