LiF晶体中聚集心热衰变过程的研究

本文报告了LiF晶体中F_2、F_2^-、F_3、F_2^-及F_4等在室温下稳定的F聚集心开始进行热衰变的温度及完全热分解时的温度。根据实验结果得出结论:150℃以下F聚集心的热衰变过程以电子得失为主;而在150—360℃之间,主要是F聚集心分解为单个K心的过程。

高能量,大注量中子辐照下α-Al_2O_3中的F_3聚集型色心电子结构及其吸收光谱研究

利用嵌入原子簇模型结合Ｆ心的类Ｈ离子波函数研究了α－Ａｌ２Ｏ３晶体中Ｆ３聚集型色心存在时，晶体的能带结构，态密度，Ｍｕｌｉｋｅｎ电荷布居的变化，讨论了色心的光学吸收跃迁模式。结果表明，由于Ｆ３聚集心的存在，在α－Ａｌ２Ｏ３中引入了１个单能级和１个２重简并色心能级，产生了一个３．５４ｅＶ的从色心能级到导带底的新的吸收跃迁。经与高能量，大注量中子辐照后的刚玉晶体的光学吸收实验结果比较，我们认为实验测得的０．３５６μｍ（３．４８３ｅＶ）处的吸收峰是由于Ｆ３聚集心的电子的吸收跃迁所引起的。同时，也发现Ｆ３聚集心的格点处的电荷布居比单Ｆ心格点处的电荷布居小。

中子辐照诱生F_3聚集心对刚玉晶体光吸收谱影响研究

利用嵌入原子簇模型结合F心的类H离子波函数 ,研究了α Al2 O3晶体中F3聚集型色心存在时 ,晶体的能带结构、态密度、Mulliken电荷布居的变化 ,讨论了色心的光学吸收跃迁模式。结果表明 ,由于F3聚集心的存在 ,在α Al2 O3晶体的禁带中引入了 1个单能级和 1个双重简并色心能级 ,产生了一个 3 54eV的从色心能级到导带底的新的吸收跃迁。与中子辐照后的刚玉晶体的光学吸收实验结果比较 ,实验测得的 0 356 μm(3 4 83eV)处的吸收峰是由于F3聚集心的电子的吸收跃迁所引起的。同时发现F3聚集心的格点处的电荷布居比单F心格点处的电荷布居小。

电子辐照MgAl_2O_4透明陶瓷诱导缺陷退火行为的研究

作者用能量为 1.7MeV、束流强度 0 .7μA·cm-2 、总注量 6 .3× 10 16cm-2 的电子 ,辐照处理镁铝尖晶石透明陶瓷 ,并对辐照后的样品进行等时退火 ,利用UV VIS和PAT测试表明 ,经电子辐照处理的样品在2 37nm和 370nm处产生主要是由F心及V型色心引起的吸收带 .通过退火可以消除由F心及V型色心引起的吸收峰 ,但消除F心的消除温度要高于V型色心 ,且在退火过程中形成F聚集心 。