F-4G压敏粘合剂及聚四氟乙烯薄膜压敏带研制

由MQ树脂,羟基硅橡胶,Tebp,溶剂等配制成F—4G压敏胶,用该胶液涂布在经辉光放电处理的PTFE定向薄膜(0.06mm)上,制成的F—4G压敏带己应用于聚四氟乙烯电容器芯组的包扎,和测量6600米深井的测井仪器上。本文介绍其实验方法,试验结果,并对F—4G压敏胶带制备工艺及胶带性能等有关内容进行了讨论。

应用于4G-LTE无线通信系统的F类高PAE射频功率放大器

为了有效实现高谐波抑制并提高功率附加效率,提出了一种适用于4G-LTE无线通信系统的高效F类功率放大器。该功率放大器使用了低电压p-HEMT晶体管和小型微带抑制单元,能够在低射频输入功率下产生n次谐波抑制和较高的功率附加效率PAE(Power Added Efficiency)。采用谐波平衡法对提出的功率放大器进行了仿真分析。测量结果显示,提出功率放大器的工作频率为1.8 GHz,带宽为100 MHz,平均PAE为76.9%,且具有2 V的极低漏极电压。射频输入功率范围分别为0~12 d Bm时,最大输出功率和增益分别为23.4 d Bm和17.5 d Bm。

三频段G形天线设计

设计了一种适用于3G和4G通信网络的G形天线,可用于单兵作战装备或手机内部,工作频段覆盖GSM,3GTDD和IEEE802.11a,分别工作在1.805~1.820 GHz,1.880~1.900 GHz和5.725~5.850 GHz频率范围。这种设计满足了3G和4G中单兵作战和手机等多频段通信的需要,具有质量轻、体积小、剖面低和制造简单等特点。