场发射理论研究进展

场发射现象在上世纪早期进行过深入的理论和实验研究,但是近年来在显示领域的应用潜力而引起人们的广泛关注和重视;同时场发射现象涉及典型的量子效应即隧穿效应,其细致的物理过程依然值得重视的一个研究领域。近年来场发射的理论研究主要是在两个领域:一是以提高场发射电流为目的进行的理论探索;二是场发射的物理过程。本文介绍近年来场发射理论研究的部分进展。

碳纳米管场发射性能的研究进展

碳纳米管是一种性能优良的场发射冷阴极材料,具有低的阈值电场和高的发射电流密度,在平板显示领域具有广阔的应用前景。本文从Fow ler-Nordhe im s场发射理论出发,阐述了CNT的场发射机制,详细论述了包括CNT的结构、方向性、阵列密度、吸附气体、工作环境等诸多因素对其场发射特性的影响。研究表明,垂直取向,长径比高,密度适中,表面洁净的CNT场增强因子较大,场发射性能较好。

场电子发射研究现状及理论概述

由于场发射研究日趋重要 ,文章就场发射理论的起源、研究现状进行了总结 ,介绍了电子在几种不同类型材料的场发射理论模型 ,并对理论本身存在的问题进行了述评 。