F掺杂SnO_2透明导电薄膜微结构及性能研究

通过实验测量常压热分解CVD工艺制备的F掺杂SnO2薄膜的方块电阻、膜厚、形貌、微结构、中远红外反射率等性质,详细研究了基板温度对SnO2薄膜微结构的影响和微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系。研究发现,将基板温度从375℃提高到525℃以上,薄膜结晶程度大大提高,薄膜厚度从25nm提高到近300nm,方块电阻下降了两个数量级,中远红外的反射率达到了85%以上。

水热法合成F掺杂SnO2/石墨烯复合材料及其光催化性能研究

采用水热合成法,合成得到F掺杂SnO2/石墨烯复合材料,采用SEM、EDX和XRD等手段对产物进行表征。在可见光的照射下,研究其对罗丹明6G(R6G)的光催化降解效果。结果表明,F掺杂SnO2/石墨烯复合材料可以在60min将10mg/LR6G溶液完全降解。

N,F,Ce三掺杂TiO_2/Ti光催化处理染料废水的研究

采用溶胶-凝胶法制备N,F,Ce三掺杂TiO_2/Ti膜电极。掺杂催化剂的X射线衍射(XRD)结果表明:N,F,Ce元素的掺杂有效抑制了TiO_2催化剂由锐钛矿相向金红石相的转变。考察了N,F,Ce三掺杂TiO_2/Ti膜电极的制备条件对催化性能的影响及其在可见光照射下处理罗丹明B的影响因素和光催化效率。在最佳条件下,处理150 min,其脱色率可达62.1%。处理过程中罗丹明B溶液的紫外-可见分光光谱表明:可见光区最大吸收波长略有蓝移,说明分子遭到了破坏,但未能使其矿化。

热压/热变形(Nd,Ce)_2Fe_(14)B/CaF_2磁体的磁电性能和微结构

通过热压/热变形工艺制备了掺杂Ca F2的(Nd1-xCex)29FebalB0.9M(x=0.1,0.15,0.2,0.3,M=Co和Ga等)磁体,研究发现随Ca F2掺杂量增加,电阻率逐渐升高,磁性能逐渐下降。当Ca F2添加量为3wt%时,随Ce取代量的增加,矫顽力呈先上升后下降的趋势。当Ca F2掺杂量为3%,Ce含量x=0.15时,性能最优,剩磁为11.26k G,磁能积为21.93 MGOe,矫顽力达到最大值9.49 k Oe,电阻率达到269μ?·cm,与无掺杂Ca F2热压/热变形工艺制备的钕铁硼磁体电阻率230μ?·cm相比提高了13%。通过对热压/热变形磁体中Ca F2添加量和Ce含量的优化,提供了一种较高电阻率、低成本高磁性能的(Nd1-xCex)29FebalB0.9M热压/热变形磁体。

水热法制备F/Mn共掺杂SnO2纳米粒子的合成与表征

采用水热法制备了具有金红石结构的F-Mn共掺杂SnO2纳米粒子,研究了碱源、pH值、掺杂剂、表面活性剂、煅烧温度对F/Mn共掺杂SnO2纳米粒子晶相、微观形貌、分散性和光学性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外/可见/近红外分光光度计对F-Mn共掺杂SnO2纳米粒子进行了表征。结果表明,该方法可以获得较高的结晶度、较小的粒径和分散良好的F-Mn共掺杂SnO2纳米粒子。F-Mn共掺杂SnO2涂层具有较好采光的同时有较好的近红外屏蔽性能,其中可见光透过率约为90%,近红外阻隔率约为93%。

Ti/SnO_2-F新型电极氧化降解全氟辛酸

采用溶胶-凝胶法制备F掺杂的Ti/SnO_2电极,用于水相中全氟辛酸(PFOA)的电氧化降解,实验考察了F或Sb掺杂、煅烧温度、氟掺杂量、老化时间及涂覆次数对PFOA降解效率的影响。结果表明,在煅烧温度为500℃,掺杂比Sn∶F=9∶0.25,老化时间10 d,涂覆20次的条件下,F掺杂的Ti/SnO_2电极性能最好,反应30 min对PFOA的降解率达98%;而在相同电解条件下,Sb掺杂Ti/SnO_2电极降解PFOA效率仅61.7%。因此,F掺杂可有效提高SnO_2电极性能,有效氧化降解PFOA。

氟化钙掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构和介电性能的影响

研究了Ca F2掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4Ti O3,BSTO)陶瓷的结构和介电性能的影响。采用传统烧结工艺制备了Ca F2掺杂的BSTO陶瓷,对其晶体结构、微观形貌和介电性能进行了研究。XRD结果显示,Ca F2掺杂BSTO陶瓷为钙钛矿结构,当掺杂量≥3%(质量分数)时,基体中出现第二相Ba Ca Ti O4。添加少量Ca F2(0.5%)可明显减小晶粒尺寸,随掺杂量继续增加,晶粒尺寸变化不明显。Ca F2掺杂降低了BSTO陶瓷的介电常数和介电可调性,减小了其介电损耗,提高了材料的综合使用性能。