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二氟锗烯与乙烯环加成反应的机理
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作者 廉贞霞 卢秀慧 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第3期239-242,共4页
用二阶微扰和密度泛函理论研究单重态F2C=Ge:与C2H4环加成反应机理,采用MP2/6-31G*和B3LYP/6-31G*方法计算势能面上驻点的构型参数、振动频率和零点能;利用CCSD(T)//MP2/6-31G*和CCSD(T)//B3LYP/6-31G*计算各构型的能量;利用CCSD(T)//MP... 用二阶微扰和密度泛函理论研究单重态F2C=Ge:与C2H4环加成反应机理,采用MP2/6-31G*和B3LYP/6-31G*方法计算势能面上驻点的构型参数、振动频率和零点能;利用CCSD(T)//MP2/6-31G*和CCSD(T)//B3LYP/6-31G*计算各构型的能量;利用CCSD(T)//MP2得到单线态F2C=Ge:与C2H4环加成反应的势能面,在常温常压下,单线态F2C=Ge:与C2H4的环加成无势垒放热反应生成三元环中间体INT,放出能量为29.5 kJ.mol-1。 展开更多
关键词 f2c=ge: 环加成反应 二阶微扰理论 势能面
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