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飞兆半导体公司推出一种新型双路N-MOSFET器件FDC6000NZ
1
作者
章从福
《半导体信息》
2005年第1期17-17,共1页
该器件组合了飞兆的Power Trench MOSFET硅技术和SuperSOT-6 FLMP封装。器件功率开关的小尺寸(高度小于0.8 mm)、小占位面积(最大为9.0 mm2)的封装能给锂离子电池盒保护提供严格的电性能和热性能。FDC6000NZ的耗散功率为1.6 W。
关键词
fdc6000nz
N-MOSFET
功率开关
飞兆半导体
锂离子电池
占位面积
热性
稳态电流
耗散功率
移动通信设备
原文传递
分立器件
2
《世界电子元器件》
2004年第5期23-23,共1页
关键词
N-MOSFET
fdc6000nz
IRF6623
分立器件
下载PDF
职称材料
题名
飞兆半导体公司推出一种新型双路N-MOSFET器件FDC6000NZ
1
作者
章从福
出处
《半导体信息》
2005年第1期17-17,共1页
文摘
该器件组合了飞兆的Power Trench MOSFET硅技术和SuperSOT-6 FLMP封装。器件功率开关的小尺寸(高度小于0.8 mm)、小占位面积(最大为9.0 mm2)的封装能给锂离子电池盒保护提供严格的电性能和热性能。FDC6000NZ的耗散功率为1.6 W。
关键词
fdc6000nz
N-MOSFET
功率开关
飞兆半导体
锂离子电池
占位面积
热性
稳态电流
耗散功率
移动通信设备
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
F416.6 [经济管理—产业经济]
原文传递
题名
分立器件
2
出处
《世界电子元器件》
2004年第5期23-23,共1页
关键词
N-MOSFET
fdc6000nz
IRF6623
分立器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
飞兆半导体公司推出一种新型双路N-MOSFET器件FDC6000NZ
章从福
《半导体信息》
2005
0
原文传递
2
分立器件
《世界电子元器件》
2004
0
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