期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于UTB-SOI技术的双辅助触发SCR ESD防护器件研究
1
作者
张效俊
成建兵
+2 位作者
李瑛楠
孙旸
吴家旭
《微电子学》
CAS
北大核心
2023年第6期1109-1113,共5页
为了提高FDSOI ESD防护器件的二次击穿电流,基于UTB-SOI技术,提出了一种SOI gg-NMOS和寄生体硅PNP晶体管双辅助触发SCR器件。通过gg-NMOS源区的电子注入和寄生PNP晶体管的开启,共同辅助触发主泄放路径SCR,快速泄放ESD电流。TCAD仿真结...
为了提高FDSOI ESD防护器件的二次击穿电流,基于UTB-SOI技术,提出了一种SOI gg-NMOS和寄生体硅PNP晶体管双辅助触发SCR器件。通过gg-NMOS源区的电子注入和寄生PNP晶体管的开启,共同辅助触发主泄放路径SCR,快速泄放ESD电流。TCAD仿真结果表明,新结构能够泄放较高的二次击穿电流,具有可调节的触发电压。
展开更多
关键词
全耗尽绝缘体上硅
静电放电
双辅助触发
二次击穿电流
下载PDF
职称材料
题名
基于UTB-SOI技术的双辅助触发SCR ESD防护器件研究
1
作者
张效俊
成建兵
李瑛楠
孙旸
吴家旭
机构
南京邮电大学电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)学院
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2023年第6期1109-1113,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61274080)
文摘
为了提高FDSOI ESD防护器件的二次击穿电流,基于UTB-SOI技术,提出了一种SOI gg-NMOS和寄生体硅PNP晶体管双辅助触发SCR器件。通过gg-NMOS源区的电子注入和寄生PNP晶体管的开启,共同辅助触发主泄放路径SCR,快速泄放ESD电流。TCAD仿真结果表明,新结构能够泄放较高的二次击穿电流,具有可调节的触发电压。
关键词
全耗尽绝缘体上硅
静电放电
双辅助触发
二次击穿电流
Keywords
fdso1
ESD
dual-assisted triggered
second breakdown current
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于UTB-SOI技术的双辅助触发SCR ESD防护器件研究
张效俊
成建兵
李瑛楠
孙旸
吴家旭
《微电子学》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部