FED的新材料——碳微管薄膜

介绍了一种制作 FED器件的新材料——碳微管薄膜 ,并对其制作。

金属/绝缘体的场致发射

本文推导了金属 /绝缘体场致发射电流密度公式 ,并应用于金刚石 /碳薄膜场致发射 ,对其现象获得较好的解释 ,同时指出了提高发射电流密度的因素和相应方法。

金属型场发射阵列的研究

讨论了Ｓｐｉｎｄｔ方法制作金属型ＦＥＡ工艺过程中的技术难点和相应的解决方案，最后成功地研制出场发射阵列，并实现了场发射。

场发射显示技术

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。

场发射显示器发展动态

概述场发射显示器件（FED）的原理、结构和制作工艺及发展水平。展望FED的前景并介绍了国际上围绕FED展开的激烈竞争。

真空微电子器件的进展与问题

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义;最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题.

1995年真空微电子学的进展评述

真空微电子学是９０年代国外迅速发展的一门新学科，本文综述了１９９５年的新进展。在场致发射阴极方面研究工作向深度和结合实际应用发展，研究工作十分活跃。Ｍｏ和Ｓｉ－ＦＥＡ都取得了新的进展。在微波管方面的应用，１０ＧＨｚ的速调四极管已在总装，技术上取得了突破性进展。美国和法国已建立数个ＦＥＤ的生产工厂，产品正走向市场。

场发射显示技术的发展状况

介绍了微尖阵列、碳纳米管、表面传导、弹道式电子发射、薄膜内场致发射以及类金刚石薄膜等几种场发射显示技术的发射特性,分析了场发射的工作机理。讨论了国内外场发射技术发展状况与它们在技术、材料、工艺等方面的瓶颈,展望了几种场发射显示器的市场产业化前景以及加快我国在场发射技术方面的研究步伐的建议。

真空微电子学的现状及其应用

本文综述了真空微电子学近年来的发展及其应用。主要包括FEA、材料及在FED、微波器件和其它方面的应用。