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Effect of FeSi additive in dual-chamber sample cup on thermal analysis characteristic values and vermiculating rate of compacted graphite iron
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作者 De-quan Shi Ze-yu Liu +1 位作者 Gui-li Gao Yi-cheng Feng 《China Foundry》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期91-100,共10页
Thermal analysis plays a key role in the online inspection of molten iron quality.Different solidification process of molten iron can be reflected by thermal analysis curves,and silicon is one of important elements af... Thermal analysis plays a key role in the online inspection of molten iron quality.Different solidification process of molten iron can be reflected by thermal analysis curves,and silicon is one of important elements affecting the solidification of molten iron.In this study,FeSi75 was added in one chamber of the dual-chamber sample cup,and the influences of FeSi75 additive on the characteristic values of thermal analysis curves and vermiculating rate were investigated.The results show that with the increase of FeSi75,the start temperature of austenite formation TALfirstly decreases and then increases,but the start temperature of eutectic growth TSEF,the lowest eutectic temperature TEU,temperature at maximum eutectic reaction rate TEM,and highest eutectic temperature TERkeep always an increase.The temperature at final solidification point TEShas little change.The FeSi75 additive has different influences on the vermiculating rate of molten iron with different vermiculation,and the vermiculating rate increases for lower vermiculation molten iron while decreases for higher one.According to the thermal analysis curves obtained by a dual-chamber sample cup with 0.30wt.%FeSi75 additive in one chamber,the vermiculating rate of molten iron can be evaluated by comparing the characteristic values of these curves.The time differenceΔtERcorresponding to the highest eutectic temperature TERhas a closer relationship with the vermiculating rate,and a parabolic regression curve between the time differenceΔtERand vermiculating rateηhas been obtained within the range of 65%to 95%,which is suitable for the qualified melt. 展开更多
关键词 fesi75 additive characteristic value vermiculating rate thermal analysis compacted graphite iron
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FeSi磁粉添加量对FeSiAl/FeSi磁粉芯性能的影响
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作者 鲁书潮 许欣蓓 +4 位作者 蹇汉杰 赵利明 冒爱琴 方道来 郑翠红 《安徽工业大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第4期409-414,共6页
将由气雾化法制得的FeSiAl磁粉(Fe-9.6%Si-5.4%Al,D_(50)=32.46μm)和FeSi磁粉(Fe-6.5%Si,D_(50)=19.76μm)绝缘包覆处理后,再将两者复配制备FeSiAl/FeSi复合磁粉芯,研究FeSi磁粉添加量对复合磁粉芯微观形貌和磁学性能的影响。结果表明... 将由气雾化法制得的FeSiAl磁粉(Fe-9.6%Si-5.4%Al,D_(50)=32.46μm)和FeSi磁粉(Fe-6.5%Si,D_(50)=19.76μm)绝缘包覆处理后,再将两者复配制备FeSiAl/FeSi复合磁粉芯,研究FeSi磁粉添加量对复合磁粉芯微观形貌和磁学性能的影响。结果表明:磁粉表面经绝缘工艺处理可形成包覆紧密的绝缘层;向FeSiAl磁粉中添加适量的FeSi磁粉,可提高复合磁粉芯的容积密度和有效磁导率,明显改善复合磁粉芯的直流叠加特性,但功率损耗有不同程度的增加;FeSi磁粉质量分数为20%时,复合磁粉芯的磁学性能最佳,在100 kHz频率下有效磁导率为59.4,在7962 A/m直流磁化磁场下直流叠加特性为64.3%,在50 kHz与100 mT下功率损耗为181.5 mW/cm^(3)。 展开更多
关键词 软磁材料 fesiAl fesi 复合磁粉芯 磁性能
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近室温La(FeSi)_(13)型磁热材料研究现状及展望
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作者 靳一博 王军 +2 位作者 魏桐 李超 李金山 《铸造技术》 CAS 2023年第7期621-639,共19页
磁制冷作为传统气体压缩制冷的替代技术具有独特和显著的优势,有望在近室温进行应用以应对环境保护与能源短缺的问题。La(FeSi)_(13)型磁热材料作为能够应用于近室温的磁热材料之一,具有高磁热效应,宽可调节温区,成本低等优势,但由于其... 磁制冷作为传统气体压缩制冷的替代技术具有独特和显著的优势,有望在近室温进行应用以应对环境保护与能源短缺的问题。La(FeSi)_(13)型磁热材料作为能够应用于近室温的磁热材料之一,具有高磁热效应,宽可调节温区,成本低等优势,但由于其制备方法复杂、耐用性差等因素目前仍处于研究阶段。本文简要介绍了La(FeSi)_(13)型磁热材料的发展与其巨磁热效应原理,并详细综述了不同元素含量下材料居里温度、磁熵变与磁滞热滞的变化规律,以及热处理、制备方法和材料复合对材料性能的影响,重点探讨了对应用于近室温的该类型材料的性能调控方法。最后,对近室温La(FeSi)_(13)型磁热材料的性能调控方法进行展望,指出其未来可能的发展方向。 展开更多
关键词 磁制冷技术 磁热材料 La(fesi)13 材料设计
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FeSi纳米晶片状微波吸收剂研究 被引量:7
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作者 邓联文 熊惟皓 +2 位作者 冯则坤 江建军 何华辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期52-54,共3页
采用气体雾化工艺和高能球磨处理技术制备了纳米晶FeSi扁平状颗粒材料。研究了高能球磨处理和热处理工艺对材料微结构、形貌和微波电磁特性的影响。结果表明:高能球磨处理使雾化粉粒形状扁平化并使其晶粒细化,从而使FeSi微粉的微波磁导... 采用气体雾化工艺和高能球磨处理技术制备了纳米晶FeSi扁平状颗粒材料。研究了高能球磨处理和热处理工艺对材料微结构、形貌和微波电磁特性的影响。结果表明:高能球磨处理使雾化粉粒形状扁平化并使其晶粒细化,从而使FeSi微粉的微波磁导率显著提高,介电常数被有效控制;热处理后可以进一步改善其微波电磁性能。对该材料制作的涂层吸波性能的测量表明,在4GHz附近微波段具有良好吸波性能。 展开更多
关键词 复合材料 吸波材料 纳米晶 fesi合金 复磁导率 高能球磨
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西藏蛇绿岩的超高压矿物:FeO、Fe、FeSi、Si和SiO_2组合及其地球动力学意义 被引量:23
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作者 白文吉 杨经绥 +2 位作者 方青松 颜秉刚 张仲明 《地球学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期395-402,共8页
在西藏雅鲁藏布江蛇绿岩带的东段 ,出露罗布莎蛇绿岩块和豆荚状铬铁矿床。从豆荚状铬铁矿石中查明 6 0~ 70种伴生矿物 ,其中包含FeO、Fe、FeSi、Si和SiO2 组合。根据超高压 高温实验 ,该组合应形成于地球外核与下地幔之间的D″层 ,是... 在西藏雅鲁藏布江蛇绿岩带的东段 ,出露罗布莎蛇绿岩块和豆荚状铬铁矿床。从豆荚状铬铁矿石中查明 6 0~ 70种伴生矿物 ,其中包含FeO、Fe、FeSi、Si和SiO2 组合。根据超高压 高温实验 ,该组合应形成于地球外核与下地幔之间的D″层 ,是地球外核的液态铁与镁硅酸盐钙钛矿 (MgSiO3 )相互化学反应的产物。西藏该超高压矿物组合揭示了蛇绿岩地幔活动可能深达地球外核。罗布莎蛇绿岩的该矿物组合可能是地幔 外地核之间的产物 ,或者是被对流作用 ,亦或是被起源于D″层的地幔柱活动带到上地幔的。铬铁矿在地幔中结晶 。 展开更多
关键词 地球动力学 西藏 蛇绿岩 超高压矿物 FeO-Fe-fesi 二氧化硅 SiO2 地幔活动
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扁平化对FeSi吸波材料微波电磁性能的影响 被引量:22
6
作者 周熠 丘泰 冯永宝 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期31-33,共3页
为阐明吸收剂颗粒形状与吸波材料微波电磁性能之间的关系,采用机械球磨工艺对气雾化球形FeSi合金粉末进行扁平化处理并制成FeSi吸波材料。借助SEM和矢量网络分析仪,研究了球磨时间对FeSi颗粒形貌及1~18GHz内吸波材料电磁参数与吸波性... 为阐明吸收剂颗粒形状与吸波材料微波电磁性能之间的关系,采用机械球磨工艺对气雾化球形FeSi合金粉末进行扁平化处理并制成FeSi吸波材料。借助SEM和矢量网络分析仪,研究了球磨时间对FeSi颗粒形貌及1~18GHz内吸波材料电磁参数与吸波性能的影响。结果表明:随着球磨时间的增加,FeSi颗粒的扁平率增大。与未球磨样品相比,球磨32h的FeSi合金吸波材料的ε'在整个频率范围内增大了0.5倍,μ'(在1GHz时)由1.24增大到1.94,μ"(在1GHz时)由1.00增大到1.30。扁平化处理明显改善了FeSi吸波材料的低频吸波性。 展开更多
关键词 机械球磨 颗粒形状 fesi合金 复介电常数 复磁导率
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机械合金化制备β-FeSi_2热电材料的研究 被引量:13
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作者 周芸 周兆 沈容 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期228-231,共4页
采用MA(MechanicalAlloying)法进行β -FeSi2 热电材料的合成研究。以Fe粉 (Fe >98% ) ,Si粉 (Si>99 9% )为原料 ,将Fe、Si元素粉末按原子分数Fe3 3 Si67混合 ,并将混合料放入高能星型球磨机进行长时间球磨。经不同的工艺进行机... 采用MA(MechanicalAlloying)法进行β -FeSi2 热电材料的合成研究。以Fe粉 (Fe >98% ) ,Si粉 (Si>99 9% )为原料 ,将Fe、Si元素粉末按原子分数Fe3 3 Si67混合 ,并将混合料放入高能星型球磨机进行长时间球磨。经不同的工艺进行机械合金化并取样 ,借助XRD、DSC等手段进行分析。研究结果表明 :在机械合金化大约 2 0h以上开始形成ε FeSi相 ,至机械合金化大约 4 0h有 β FeSi2 形成 ,随时间的延长 β FeSi2 展开更多
关键词 Β-fesi2 热电材料 机械合金化 制备 粉末冶金 球磨
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高硅FeSi合金层对普通取向硅钢磁性能的影响 被引量:5
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作者 张莉 吴隽 +5 位作者 朱军 郝清亮 秦卓 从善海 詹东方 冯大军 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期48-53,84,共7页
目的提高硅钢的磁性能。方法采用多弧离子镀技术,在普通取向硅钢薄板两面沉积高硅FeSi合金层制得高硅梯度硅钢,并进行热处理,观察其显微组织,测量磁性能。结果退火态高硅梯度硅钢表面的高硅FeSi合金层与基底结合紧密,均匀致密。高硅梯... 目的提高硅钢的磁性能。方法采用多弧离子镀技术,在普通取向硅钢薄板两面沉积高硅FeSi合金层制得高硅梯度硅钢,并进行热处理,观察其显微组织,测量磁性能。结果退火态高硅梯度硅钢表面的高硅FeSi合金层与基底结合紧密,均匀致密。高硅梯度硅钢中硅含量呈梯度分布,最表层硅质量分数为11.0%,随着深度增加,硅含量逐渐降低,在距表面20μm处硅质量分数仍能达到6.5%。沉积态高硅梯度硅钢的电阻率ρ、低频铁损P10/50、高频铁损P10/1k及磁感应强度B8分别为68.6μΩ·cm,0.82W/kg,83.3 W/kg和1.73 T,退火后分别为63.1μΩ·cm,0.44 W/kg,54.38 W/kg和1.89 T。结论由于表层高硅FeSi合金层的存在,梯度高硅钢的低频磁学性能良好,但高频损耗需进一步改善。 展开更多
关键词 高硅梯度硅钢 多弧离子镀 高硅fesi合金层 磁性能
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用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究 被引量:3
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作者 姚振钰 任治璋 +4 位作者 王向明 刘志凯 黄大定 秦复光 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期518-521,共4页
采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽... 采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为~0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm^2V^(-1)s^(-1),比文献报道高两个量级. 展开更多
关键词 离子束外延法 fesi2 半导体 薄膜
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C掺杂对离子注入合成β- FeSi_2 薄膜的影响 被引量:4
10
作者 李晓娜 聂冬 +2 位作者 董闯 徐雷 张泽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1507-1515,共9页
采用离子注入方法制备β- Fe Si2 薄膜 ,选择 C作为掺杂元素 ,得到了β- Fe Si2 硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜 .经透射电镜分析可知 ,引入 C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展 ,晶粒得到细化 ,β-... 采用离子注入方法制备β- Fe Si2 薄膜 ,选择 C作为掺杂元素 ,得到了β- Fe Si2 硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜 .经透射电镜分析可知 ,引入 C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展 ,晶粒得到细化 ,β- Fe Si2 层稳定性提高 .从微结构角度考虑 ,引入 C离子对于提高β- Fe Si2 薄膜的质量是很有益处的 .进一步进行光学吸收表征 ,发现 C离子的引入对 β- Fe Si2 层的 Egd值没有产生不良影响 .讨论了 Egd值的影响因素 ,如制备方法、工艺参数、基体取向、掺杂离子种类、掺杂离子数量、退火温度等等 ,解释了文献报道的不同 Egd 展开更多
关键词 Β-fesi2 半导体薄膜 离子注入 C掺杂
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β-FeSi_2──一种很有发展前途的热电材料 被引量:9
11
作者 李凡 吴炳尧 赵华庭 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期312-315,共4页
简述了β-FeSi2热电材料的研究工作,分析了β-FeSi2的制备及其热电性能,认为机械合金化是制造β-FeSi2热电材料的发展方向之一。
关键词 Β-fesi2 热电材料 机械合金化 热电性能
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SiC-FeSi纳米复合粒子的制备及表征 被引量:2
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作者 杜凯 魏荣慧 +3 位作者 徐流杰 魏世忠 李立本 杨海滨 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第4期8-10,107-108,共3页
采用在有机物液体中脉冲放电的方法,以液态有机物六甲基二硅烷为原料配合铁制电极制备了纳米尺寸的SiC-FeSi纳米复合颗粒。初始产物成分由X射线衍射和能谱色散谱确定,X射线衍射结果表明:产物由SiC和FeSi两种颗粒组成;能谱色散谱结果显... 采用在有机物液体中脉冲放电的方法,以液态有机物六甲基二硅烷为原料配合铁制电极制备了纳米尺寸的SiC-FeSi纳米复合颗粒。初始产物成分由X射线衍射和能谱色散谱确定,X射线衍射结果表明:产物由SiC和FeSi两种颗粒组成;能谱色散谱结果显示化学成分比接近1∶1。样品经1 000℃真空退火处理后,X射线衍射结果证实SiC和FeSi微晶均有不同程度的长大。复合颗粒尺寸和形貌由透射电镜得出,尺寸在10 nm左右,呈现团聚状态。 展开更多
关键词 SIC fesi 液相脉冲放电 纳米复合颗粒
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碳掺杂β-FeSi_2薄膜的电子显微学研究 被引量:7
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作者 李晓娜 聂冬 董闯 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期43-51,共9页
本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β FeSi2 和 β Fe(C ,Si) 2 薄膜进行了对比研究。电镜观察结果表明 ,选择C作为掺杂元素 ,能够得到界面平直、厚度均一的高质量 β相薄膜 ,晶粒得到细化 ,β FeSi2 层稳定性提高。尤其在 6 0kV... 本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β FeSi2 和 β Fe(C ,Si) 2 薄膜进行了对比研究。电镜观察结果表明 ,选择C作为掺杂元素 ,能够得到界面平直、厚度均一的高质量 β相薄膜 ,晶粒得到细化 ,β FeSi2 层稳定性提高。尤其在 6 0kV、4× 10 1 7ions cm2 条件下注入直接形成非晶 ,在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的 β FeSi2 薄膜。因此从微结构角度考虑 ,引入C离子有益于提高 β FeSi2 展开更多
关键词 Β-fesi2 半导体薄膜 金属硅化物 离子注入 透射电子显微镜 碳掺杂
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含Sm和Cr的P型FeSi_2基热电材料的电学特性 被引量:2
14
作者 李伟文 赵新兵 +1 位作者 邬震泰 周邦昌 《有色金属》 CSCD 2002年第2期5-7,共3页
通过高温悬浮熔炼法制备含Cr、Sm的P型FeSi2 基热电材料Fe1 x ySmxCrySi2 ,进行电学性能的测试和研究。实验结果表明Fe1 x ySmxCrySi2 的输运特性是由两种掺杂元素共同作用所决定的 ,Sm对电阻率的变化影响较大 ,而Cr的掺入能提高样... 通过高温悬浮熔炼法制备含Cr、Sm的P型FeSi2 基热电材料Fe1 x ySmxCrySi2 ,进行电学性能的测试和研究。实验结果表明Fe1 x ySmxCrySi2 的输运特性是由两种掺杂元素共同作用所决定的 ,Sm对电阻率的变化影响较大 ,而Cr的掺入能提高样品的热电动势率。为提高材料的电学性能 ,Cr的最佳掺杂原子数在 3 .3 3 %左右 ,而Sm的含量应小于 3 .3 3 %。通过Sm、Cr的适当掺杂 ,可得到电学性能优良的FeSi2 展开更多
关键词 P型fesi2基 热电材料 电化学特征 半导体
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掺N的β-FeSi_2基热电材料电学性能的研究 被引量:3
15
作者 李伟文 赵新兵 +1 位作者 周邦昌 邬震泰 《有色金属》 CSCD 2002年第3期9-11,共3页
在氮气和氩气气氛中合成Fe1 9Cr0 1 Si5 0 1Cu ,对比 β FeSi2 和掺N的 β FeSi2 基热电材料 ,进行结构分析 ,密度测量和电学性能研究。结果表明 :两者的密度分别为 3 13 85 g/cm3和 3 14 49g/cm3;在掺N的 β FeSi2 基热电材料中... 在氮气和氩气气氛中合成Fe1 9Cr0 1 Si5 0 1Cu ,对比 β FeSi2 和掺N的 β FeSi2 基热电材料 ,进行结构分析 ,密度测量和电学性能研究。结果表明 :两者的密度分别为 3 13 85 g/cm3和 3 14 49g/cm3;在掺N的 β FeSi2 基热电材料中部分过量的Si与N2 产生了反应 ,形成Si3N4 ;掺N样品的功率因子要比没掺N的大 5倍以上 ,说明N的掺入提高样品的电学性能。轻元素的掺杂 ,应是FeSi2 基热电材料的研究方向之一。 展开更多
关键词 热电材料 Β-fesi2 SI3N4 热电性能 功率因子 掺杂
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p-型FeSi_2/Bi_2Te_3梯度热电材料的优值推证与界面温度优化 被引量:5
16
作者 崔教林 赵新兵 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期118-121,共4页
通过对两元 p-型梯度热电材料 Fe Si2 / Bi2 Te3界面温度的建模计算与实验验证 ,在固定热冷端温区内积分得出的 Z- ΔT值与界面温度 Ti 的关系曲线为 :Z- ΔT =0 .6 72 +11.7× 10 - 4Ti - 1.31× 10 - 6 T2i - 3.4 9× 10 ... 通过对两元 p-型梯度热电材料 Fe Si2 / Bi2 Te3界面温度的建模计算与实验验证 ,在固定热冷端温区内积分得出的 Z- ΔT值与界面温度 Ti 的关系曲线为 :Z- ΔT =0 .6 72 +11.7× 10 - 4Ti - 1.31× 10 - 6 T2i - 3.4 9× 10 - 9T3i该关系可用来表征两元梯度结构的热电性能。从拟合曲线上得出该梯度结构的最佳界面温度为 2 2 0℃~ 2 30℃ ,这与实验测出两单段材料 (Fe Si2 ,Bi2 Te3)长度比为 10∶ 1左右时所形成的界面温度较为接近。通过测试不同长度比的材料输出功率 ,也发现 10∶ 1梯度材料的最大输出功率较大 ,是相同温差下单段 β- Fe Si2 材料的 2倍~ 2 .6倍。 展开更多
关键词 fesi2/Bi2Te3 梯度热电材料 界面温度 优化 热电性能
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两元P-型梯度结构热电材料FeSi_2/Bi_2Te_3的制备与性能 被引量:2
17
作者 崔教林 赵新兵 +1 位作者 朱铁军 胡淑红 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1089-1093,共5页
采用热浸焊法用纯Sn作为过渡层制备了P 型FeSi2 /Bi2 Te3 梯度结构热电材料并对其热电性能进行了测试。发现当热端温度在 5 10℃以下时 ,梯度结构热电材料的平均Seebeck系数保持恒定 ,达 2 2 0 μV/K至 2 5 0μV/K左右 ,显著高于单一均... 采用热浸焊法用纯Sn作为过渡层制备了P 型FeSi2 /Bi2 Te3 梯度结构热电材料并对其热电性能进行了测试。发现当热端温度在 5 10℃以下时 ,梯度结构热电材料的平均Seebeck系数保持恒定 ,达 2 2 0 μV/K至 2 5 0μV/K左右 ,显著高于单一均质材料 (Bi2 Te3 和 β FeSi2 )在相同温度范围内的平均Seebeck系数。梯度结构热电材料的输出功率较单种材料高 1.5至 2倍以上 ,且当材料经 190℃ ,10 0h与 2 0 0h的真空退火后 ,输出功率几乎不变。金相观察表明 ,在Sn层与两半导体界面处 ,没有明显的Sn扩散迹象 ,说明在所试验的条件下 ,用Sn作为过渡层热稳定性较好。 展开更多
关键词 热电性能 梯度结构材料 输出功率 过渡层 fesi2/Bi2Te3 热电材料
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含Sm、Mn的P型FeSi_2基热电材料的电学性能 被引量:1
18
作者 李伟文 赵新兵 +1 位作者 邬震泰 周邦昌 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期419-422,共4页
用悬浮熔炼法制备了含Sm、Mn的P型FeSi2基热电材料。实验结果表明,其电学性能是由掺杂的两种元素共同决定的,Sm对降低样品电阻率的作用较大,而Mn有助于提高样品的热电动势率。要保证有较高功率因子,Mn、Sm掺杂总摩尔分数应小于5%,而Mn... 用悬浮熔炼法制备了含Sm、Mn的P型FeSi2基热电材料。实验结果表明,其电学性能是由掺杂的两种元素共同决定的,Sm对降低样品电阻率的作用较大,而Mn有助于提高样品的热电动势率。要保证有较高功率因子,Mn、Sm掺杂总摩尔分数应小于5%,而Mn的最佳掺杂摩尔分数在1.7%左右。 展开更多
关键词 P型fesi2基热电材料 电学性能 掺杂 悬浮熔炼 电阻率 热电动势率 功率因子
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原位氧化对Al掺杂β-FeSi_2热电材料结构与性能的影响 被引量:1
19
作者 芦玉峰 赵新兵 +1 位作者 倪华良 陈海燕 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期471-476,共6页
研究了快速凝固/热压Al掺杂FeSi_2基合金中的微观组织特征以及原位生成氧化物颗粒对热电材料电学性能的影响。结果表明,随着对快速凝固粉末氧化处理时间的延长,p型掺杂的β-FeSi_2半导体会先转变成n-型,然后又转变成p-型半导体,并存在... 研究了快速凝固/热压Al掺杂FeSi_2基合金中的微观组织特征以及原位生成氧化物颗粒对热电材料电学性能的影响。结果表明,随着对快速凝固粉末氧化处理时间的延长,p型掺杂的β-FeSi_2半导体会先转变成n-型,然后又转变成p-型半导体,并存在“热伏极性反转”现象.氧化处理降低β-FeSi_2基热电材料的电学性能,未经氧化处理的FeAl_(0.1)Si_2材料在测量温度范围内的功率因子最大,在500℃达到465μW·m^(-1)·K^(-1)。 展开更多
关键词 无机非金属材料 热电材料 快速凝固/热压 原位氧化 fesi2 热电势系数
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场激活合成法制备热电材料β-FeSi_2 被引量:2
20
作者 刘晓珍 邹从沛 Z.A.Munir 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期357-360,共4页
以Fe、Si粉为原料,添加微量Cu,采用场激活的方法一步完成β相FeSi2的合成、致密和退火。本文分析研究了微量Cu对材料合成速度和显微组织的影响,结果表明:微量Cu能够显著提高材料的合成速度;Cu以白色富集区的形式存在;退火时间对ε相的... 以Fe、Si粉为原料,添加微量Cu,采用场激活的方法一步完成β相FeSi2的合成、致密和退火。本文分析研究了微量Cu对材料合成速度和显微组织的影响,结果表明:微量Cu能够显著提高材料的合成速度;Cu以白色富集区的形式存在;退火时间对ε相的残留量没有显著影响,但能使长条状的Si富集区的长径比发生变化。 展开更多
关键词 β相fesi2 场激活法 微量Cu 退火时间
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