GaAs MMIC MESFET混频器性能比较

给出了几种 Ga As MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明 ,在相同本振功率激励下 Ga As MMIC双栅混频器具有良好变频特性 ,栅混频器指标次之 ,漏混频器结构最简单 ,但变频特性不如前两种。另外 ,单片巴仑双平衡混频器具有高的动态范围和宽频段工作特点。

微波FET混频器的分析与设计

本文讨论了微波单栅FET的等效电路模型、本振大信号分析的谐波平衡法以及RF小信号分析的多频变换矩阵法。建立了一套完整的FET混频器的分析设计方法。试验设计表明,本方法是简便而有效的。

一种可用于RFID系统中的方向回溯阵列设计

通过射频混频技术实现单元相位共轭的方式,设计了一个C波段方向回溯阵列,采用收发共用天线单元减小阵列体积.混频模块基于输入/输出共用端口的场效应晶体管混频器完成相位共轭,引入定向耦合器用于提高收发端口的隔离度并抑制射频泄露信号,该阵列具有成本低、体积小、隔离度高、作用距离远等优点.制作了四元方向回溯阵列,在发射信号频率为5.81GHz、本振信号频率为11.6GHz时,进行了测试,结果表明,该阵列在±33°入射角度范围内具有良好的方向回溯功能,可应用于射频识别系统中.

低损耗14/12GHz场效应管混频器

介绍了场效应管混频器的基本原理和设计方法;研制成功一种单端场效应管混频器:频率范围14.0～14.5/11.7～12.2GHz;变频损耗—0.36dB;500MHz带内变频损耗波动小于0.8dB;本振功率5.6mW;噪声系数14.2dB。

FET混频参数的计算

ＧａＡｓＦＥＴ的散射参数与工作状态有关，采用散射参数不能直接求出混频增益．本文介绍一种ＧａＡｓＦＥＴ的混频参数的计算方法．由散射参数求得混频参数，从而求得ＧａＡｓＦＥＴ的混频增益．