基于黑磷纳米材料场效应管的电特性研究

以红磷、锡和四碘化锡为原料制备黑磷,并用黑磷(BP)纳米材料制作场效应管,用X射线衍射谱(XRD)和光学显微镜(OM)分析了BP样品的结构和形貌,并测试其输出特性曲线和转移特性曲线。BP样品厚度为12 nm,通过计算,其电子迁移率μ_e=248 cm^2/Vs,电流开关比为~10~3。结果表明,基于BP纳米材料场效应管具有较好电子迁移率和开关比,为BP成为未来光电器件备选材料研究奠定基础。

GaAs高效率高线性大功率晶体管

介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET（high performance FET）管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性。测试结果表明,器件在5.3-5.9GHz频段内,P1dB为45W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标。