SPI接口的FLASH ROM与C8051F340的接口设计

文章介绍了美国CYGNAL公司的C8051F340单片机工作在SPI高效的串行数据接口模式下的基本操作,设计了其与ATMEL公司的SPI接口的FLASH ROM芯片AT45DB161D的硬件接口,并详细介绍了该系列存储器的SPI模式读写操作,对于使用MCU控制FLASH ROM芯片的操作具有一定代表性和实用性。

ARM嵌入式系统中Flash ROM的应用

针对当前广泛应用的嵌入式系统,给出了ARM中Flash ROM的一个扩展应用实例。详细介绍了FlashROM器件SST39VF160以及与嵌入式系统微处理器的硬件连接和软件编程。

基于FPGA和FLASH ROM的图像信号发生器设计

以XC2V1500-FPGA为硬件架构,设计了一种图像信号发生器,作为自适应光学系统波前处理机的信号源,为波前处理机的调试和算法验证提供支持。系统采用大容量的NAND型FLASH存储数据,存储容量为1GB。图像数据通过USB总线预存入FLASH ROM,在FPGA控制逻辑作用下循环读出,并通过Camera Link接口输出。该Camera Link接口支持base,medium,full三种模式,输出像素时钟频率可以达到70MHz。

嵌入式系统的Flash ROM读写方法研究

为提高微控制器的应用性能,以菲利普LPC2100系列微控制器为例,提出一种在嵌入式系统中读写LPC2136的Flash ROM方法,详细讨论全局变量在RAM和Flash之间的传送过程。

FLASHROM28F256和29C256的14MeV中子辐照实验研究

给出了国内首次 FL ASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现 2 8F2 56和 2 9C2 56器件的14Me V中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应 ,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值 ,当中子注量小于某一个值时 ,无错误 ;当中子注量达到一定值时 ,开始出现错误。随着中子注量的增加 ,错误数增加 ,直到所有“0”变为“1”。动态监测和静态加电的器件都出现硬错误 ,不能用编程器重新写入数据。错误随读取次数的增加而增加。在相同的中子注量下 ,不加电的器件无错误 ,而加电的器件都出现错误 。

Flash ROM的X微束辐照试验研究及失效机理分析

Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样。为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究。分别研究了存储阵列,译码电路以及电荷泵等不同电路模块所引起的失效表征,利用错误位的逻辑地址映射图,总结错误分布规律,结合相应电路结构对其失效机理进行分析。辐照存储阵列会导致规则分布的0→1翻转错误,而译码电路出错会导致1→0的错误,电荷泵电路退化则会导致器件擦除和写入功能的失效。微束辐照结果可以有效补充全芯片总剂量效应考核的不足,为器件的抗辐射加固提供有益的参考。

浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究

给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错误 ,且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高的累积剂量辐照下未出现错误 ,而且可以用编程器重新写入数据。

浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究

给出了浮栅ROM器件的质子辐射效应实验结果.认为浮栅ROM28C256和29C256的质子辐射效应不是单粒子效应,而是质子及其次级带电粒子产生的累积剂量造成的总剂量效应.器件出现错误有个质子注量阈值.对于29C256,高温加电退火容易消除质子产生的辐射损伤;对于28C256,高温加电退火不易消除质子产生的辐射损伤.动态监测和静态加电的器件都出现数据错误,且不能用编程器重新写入数据.然而不加电的器件在更高的质子注量辐照下未出现错误.对于应用浮栅ROM器件的航天器电子系统,冷备份是提高其可靠性的有效手段之一.

基于RS-232的FLASH在线编程研究

以TMS320F2812为基础,详细分析了该芯片上电后系统的引导过程,针对此类以MCU/DSP为核心的嵌入式产品升级、维护时FLASH编程不便的问题,依据其内部固化的Boot ROM以及FLASH API的原理,介绍了一种基于RS-232的FLASH编程方法。这种方法较传统FLASH编程,具有编程方便、快捷、成本低等优点,并在实验中验证了结果,此方法可行。

DSP系统中扩展FLASH的硬件设计和软件编程

在基于高速DSP的系统中,一种常见的做法是将FLASH作为系统的外置程序存储器。以实际中频信号处理系统为背景,介绍SST39VF800A型FLASH和TMS320C6701型DSP的特点及接口技术,说明系统加电后实现从FLASH引导程序的方法,最后给出擦/写FLASH的程序代码。

基于XML的FLASH多媒体光盘研究与设计

多媒体光盘以独特的载体（普通光盘、异型光盘、名片光盘）、生动的效果（动画、视频、配音、配乐、交互、游戏）、精彩的创意（产品原理、象征意义）可以带给客户新奇感，同时，从潜意识中增强了客户对多媒体作品先进意识和技术的认同感，从而给与作品更多的关注。多媒体光盘的开发大多采用FLASH技术和AUTHORWARE技术，本文主要采用的是FLASH软件中的TREE组件，并把XML数据套用TREE组件里，以资源管理器的方式管理多媒体光盘，使多媒体资源一目了然。

嵌入式Flash存储器控制器的设计方法

本文介绍了嵌入式存储器技术及一种存储器控制器的设计方法,通过研究Flash地址线和不同块的结构特征,结合CPU存储空间的分配,选择适当的RAM/ROM总线到Flash地址线的映射关系,然后根据Flash的时序要求为敏感时间参数定时,同时考虑系统时钟的变化范围,划分频率区间以提高精度,本设计以特殊功能寄存器总线作为与CPU的接口,实现了通过软件编程从而对Flash进行基本的编程和擦除操作,通过了单模块的功能仿真和系统验证。

MC68HC908JL8 MCU的一种Flash失效现象分析

以Freescale公司的MC68HC908JL8 MCU为例,介绍了使用芯片自带监控ROM程序对片上Flash进行擦/写等操作的方法和特点。通过对一个因Flash程序被改写从而引起设备故障的案例进行了分析,为因软件引起的单片机Flash失效分析提供了参考。

TMS320C64xDSP的FLASH引导的实现

引导加载是TI公司的DSP系统设计中必不可少的环节。本文简单介绍了DSP系统引导加载的常见方法，重点分析了两种基干Flash的ROM引导模式，同时还介绍了Flash烧写程序的编写。以TMS320C6416TDSP为例，完成了Flash引导的硬件设计和软件实现。

ATMega128 IAP技术在移动数据采集器中的应用

采用ATMeaga128 IAP技术,利用串行或红外通信方式,实现对移动数据采集器的应用软件升级。通过制订上位机(PC)与移动数据采集器的通信协议,规范两者之间阻塞式通信交互过程,及采取 IAP软件升级过程的可靠性和保密性措施,成功实现移动数据采集器在线编程方法的应用软件升级,提高了移动数据采集器可维护性。

单片机实现的数码录放机

采用单片机作为主控核心,利用TP3057芯片实现语音的编/解码,D6571芯片实现模/数转换和压缩以及数/模转换,采用FlashROM存储技术,实现了语音的存储与回放功能。介绍了语音存储与回放系统的原理,硬件结构和程序设计。

语音响应及其应用系统的开发

介绍了一种新的语音响应系统的开发方法。采用微软公司的语音开发包SPEECH SDK在上位机PC上实现文字--语音转换(TEXT TO SPEECH),将音源压缩处理为*.VOX格式的文件, 通过串口RS232写入到闪烁存贮器中,下位机MCU用于语音数据读取和播放,响应实时需要。

基于LPC2104型CPU的汽车行驶记录仪

介绍基于LPC2104型CPU的汽车行驶记录仪。该记录仪采用大容量闪速存储器作为存储载体,利用定时器中断方式来实现秒间隔的数据采集与存储,利用串行口中断方式实现与微机的数据通信。

ATMEL AVR单片机SPI接口的应用研究

SPI(SerialPeripheralInterface)串行外围设备接口是一种 3线同步串行全双工通信接口。本文从SPI接口本质、ATmega8515的SPI接口、ATmega8515接口应用等几个方面介绍了ATMELAVR单片机SPI接口。

嵌入式系统中闪存数据完整性处理方法

从系统稳定性分析和密码算法技术应用入手,分别从系统稳定性、防止数据被篡改和防止数据被非法读取三个层次上阐述了数据完整性处理原理和方法,然后,利用这些原理和方法并结合示例说明了具体设计方案,文中数据处理和方法对具有数据完整性要求的嵌入式系统设计具有指导意义。