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题名射频功率对FN-DLC薄膜粘附性的影响
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作者
蒋爱华
肖剑荣
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机构
桂林工学院数理系
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出处
《真空》
CAS
北大核心
2008年第2期67-69,共3页
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文摘
利用射频等离子体增强化学气相沉积法,在单晶硅(100)晶面上制备了掺氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜样品。用傅立叶变换吸收红外光谱(FTIR)、扫描电镜和金相显微镜分析了薄膜的组分和结构及表面形貌。红外分析表明,FN-DLC薄膜中主要有C-Fx(x=1,2,3)、C-C、C-H2、C-H3和C=C化学键等。功率增加时,薄膜内C-C、C=C键含量相对增加,F浓度的相对含量降低,薄膜的粘附性增强。
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关键词
fn-dlc薄膜
化学键
粘附性
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Keywords
fn-dlc films, chemical bond, adhesion property
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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