钛宝石的FOM值和Q因素

本文讨论了钛宝石的质量参数和提高质量的途径。理论研究表明，最具代表性的质量参数是Ｑ因素，它直接影响激光输出和阈值。Ｑ＝α＿ｐＦ＝α＿ｐ／α＿ｌ，其大小取决于Ｔｉ￣（３－）浓度和ＦＯＭ值。获得更高质量钛宝石的途径是研制具有高ＦＯＭ值的更高掺钛晶体。

4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件

介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12%,FOM值提升了5.1%。提出了形成台阶的一种可行性方案,并给出了实验结果,SEM结果表明,可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶。

液体闪烁体探测器无监督n/γ甄别算法研究

利用液体闪烁体探测器对^(252)Cf、^(241)Am-Be和^(137)Cs进行探测。分析比较了主成分分析、核主成分分析和局部线性嵌入在数据处理中的降维效果。利用K-Means聚类算法、高斯混合模型和DBSCAN聚类算法对降维结果进行n/γ甄别。分析了FOM值在一些应用场景中的不足,并通过引用精度、召回率和F_(1)分数评估算法甄别效果。综合评估表明:核主成分分析与K-means组合的识别效果最好,在不同的中子γ混合数据集中识别中子和γ的精度、召回率和F_(1)分数均是最高,且精度、召回率和F_(1)分数能够精细化分析算法的甄别效果。

高性能低功耗10 bit 100 MS/s SAR ADC

设计了一种高性能低功耗的10 bit 100 MS/s逐次逼近寄存器（SAR）模数转换器（ADC）.基于优值（FOM）设计了一种数模转换器（DAC）单元电容确定法,从而实现了ADC性能和功耗之间的最优折中,得到了最小的后仿真优值为17.92 f J/步,以及与之对应的最优单元电容值1.59 f F.为了减小输入共模电压变化引起的信号敏感性失调,设计了改进的P型输入动态预放大锁存比较器,比较器采用共源共栅结构（cascode）作为P型预放大器的偏置,从而增加了预放大器的共模抑制比（CMRR）.模数转换器采用1层多晶硅8层金属（1P8M）55 nm互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺进行了流片验证,在1.3 V电压和100 MS/s采样率的环境下进行测试,信噪失真比（SNDR）的值为59.8 d B,功耗为1.67 mW,有效电路面积仅为0.016 2 mm^2.

热释电材料性能及应用研究进展

热释电材料(pyroelectric material)是利用温度随时间的波动将热能转换为电能的一种材料,主要可用于能量转换器件及探测装置,其响应范围宽、灵敏度高、性能易于善调节,因此得到了广泛的应用。从热释电性能优值(figures of merit,FOM)的计算表达式出发,介绍了几种提高FOM,使热释电材料充分发挥性能的方式。总结了单晶材料、高分子有机聚合物及复合材料、金属氧化物陶瓷及薄膜材料各自的优势,以及热释电材料几项具体应用。并且对热释电材料在提高能量收集效率、向着集成化发展、开发新的器件以更好地应用到新兴领域等方面提出了展望。