1.3μm AlGaInAs/InP量子阱激光器材料研究

设计制作了适用于无致冷工作的通讯用1.3μm量子阱激光器材料,并制作成单模芯片进行特性分析研究。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaInAs/InP应变补偿量子阱材料,采用此外延材料制作的脊宽为2.5μm脊形波导结构FP单模激光器芯片,解理为250,500和750μm不同腔长,进行了内部参数提取,内量子效率ηi为76%、内损耗αi为7.06/cm、模式增益Γg0为81.90/cm、透明电流密度Jtr为1 045 A/cm2。对250μm腔长管芯镀膜,进行电光特性测试,室温性能指标为:阈值电流Ith<10 mA,斜率效率η=0.6 W/A,达到国际同类产品水平,实现1.3μm FP材料国产化。