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FP-JTE 平面结终端的特性分析
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作者 武自录 高玉民 +1 位作者 梁苏军 罗晋生 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1998年第1期82-84,共3页
采用边界元法对非穿通情况FPJTE结构的特性进行了分析计算,发现击穿电压与注入剂量及界面电荷呈线性关系,场板对界面电荷敏感性有抑制作用。
关键词 半导体器件 fp-jte 平面结终端
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