β-SiC(110)表面原子与电子结构的理论计算

用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了β-SiC及其非极性（110）表面的原子与电子结构.计算出的β-SiC晶体结构参数:晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算β-SiC（110）表面的原子与电子结构,结果表明,表面顶层原子发生键长收缩和旋转的弛豫特性,表面阳离子Si向体内移动而阴离子 C向表面外移动.这与Ⅲ～Ⅴ族半导体（110）表面弛豫特性相似.表面重构的机制是Si原子趋向于以平面构型的sp2杂化方式与其三配位C原子成键,C原子趋向于以锥型的p3方式与其三配位Si原子成键.另外表面弛豫实现表面由金属性至半导体性的转变.

α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算

用全势缀加平面波方法 (FPLAPW)计算了α SiC及其非极性 (10 10 )表面的原子与电子结构 .计算出的α SiC晶体结构参量 :晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算α SiC(10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性 ,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移 .表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2 杂化 ,与其三配位异种原子近似以平面构型成键 .另外 。