Graded FS-Rings

In this paper, we introduce the notation of graded FS-module of the graded module over a group G-graded ring and obtain some characterization involving graded maximal graded left ideal for a graded FS-ring and some equivalent conditions between the ring R and group ring RG, the graded ring R and group ring of graded ring R[G].

飞秒激光脉冲产生研究

本文报导了一种用于超快速同步扫描诊断技术的高稳定CPM环型染料激光器,激光器通过多层电介质反射镜弥散进行啁啾补偿,激光器输出脉宽45fs。

某些环上的有限直和(英文)

证明R是V-环(或GV-环;FS-环;IF-环;FC-环;n-FC环)当且仅当S和T都是V-环(或GV-环;FS-环;IF-环;FC-环;n?FC环),其中S和T是环,R=ST.一般地,当R=im=1Ri时,类似的结论也成立.

Morphic环与PS-环、FS-环和Morita Context环

讨论了在约化的条件下morphic环的一些良好性质,以及morphic环和其他环类之间的关系.

FS-环与FS-模的特征及FS-环与SF-环、PS-环的关系

对FS-环、FS-模进行了研究,给出了FS-环、FS-模的若干性质,指出了FS-环是SF-环的实质性推广,得到了FS-环是SF-环、FS-环是PS-环以及单侧FS-环是双侧FS-环的几个条件,还给出了多项式环上的多项式模是FS-模的一个充分条件.

3300 V-FS-IGBT击穿特性及其相关工艺的研究

对于3300 V高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件,因其衬底电阻率非常高,在场限环、场板、场限环+场板、结终端扩展(Junction Termination Extension,JTE)、横向变掺杂(Variation of Lateral Doping,VLD)、场限环+多级场板等众多提升耐压的方案中,场限环+多级场板是最切实可靠的方案。基于现有的3300 V场截止型(FS)IGBT平面工艺制造平台,采用场限环+多级场板结终端结构,TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真发现场板厚度的增加,其击穿电压也随之增大。将此TCAD仿真设计方案通过不同场板厚度分组试验进行流片验证,击穿电压大于3300 V。但随着场板厚度增加,其翘曲度也跟着相应增加,为此进行了正反面膜质淀积后回流工艺优化,翘曲度显著减少,与场板厚度弱相关,满足了设计要求,实测值与仿真值相吻合。