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钽掺杂FTO薄膜的制备及其光学电学性能的影响
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作者 吴宝棋 付晨 +3 位作者 刘起英 史国华 王智浩 赵洪力 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期7183-7190,共8页
采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)以单丁基氯化锡(MBTC)为锡源、氟化铵(NH 4F)为氟源、甲醇做溶剂、五氯化钽(TaCl_(5))为钽源在钠钙玻璃上成功沉积Ta掺杂的FTO(TFTO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、X光电子能谱(X... 采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)以单丁基氯化锡(MBTC)为锡源、氟化铵(NH 4F)为氟源、甲醇做溶剂、五氯化钽(TaCl_(5))为钽源在钠钙玻璃上成功沉积Ta掺杂的FTO(TFTO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、X光电子能谱(XPS)、分光光度计、霍尔效应测试仪等设备分析了薄膜的物相组成、微观形貌、光学性能、电学性能和低辐射性能。结果表明,钽掺杂的FTO薄膜具有四方金红石结构,为N型半导体。当Ta/Sn为1%(原子比分数)时,可见光区段透射比T为74.18%、电阻率ρ为2.78×10^(-4)Ω·cm、载流子浓度n为1.44×10^(21)cm^(-3)、迁移率μ为18.73 cm^(2)/V·s、红外反射率R IR为94%、辐射率ε为0.12。 展开更多
关键词 fto薄膜 钽掺杂 AACVD 光学性能 电学性能 低辐射性能
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Influences of Pr and Ta doping concentration on the characteristic features of FTO thin film deposited by spray pyrolysis
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作者 Güven Turgut Adem Koqyigit Erdal Snmez 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第10期414-422,共9页
The Pr and Ta separately doped FTO(10 at.% F incorporated Sn O2) films are fabricated via spray pyrolysis. The microstructural, topographic, optical, and electrical features of fluorine-doped TO(FTO) films are inv... The Pr and Ta separately doped FTO(10 at.% F incorporated Sn O2) films are fabricated via spray pyrolysis. The microstructural, topographic, optical, and electrical features of fluorine-doped TO(FTO) films are investigated as functions of Pr and Ta dopant concentrations. The x-ray diffraction(XRD) measurements reveal that all deposited films show polycrystalline tin oxide crystal property. FTO film has(200) preferential orientation, but this orientation changes to(211) direction with Pr and Ta doping ratio increasing. Atomic force microscopy(AFM) and scanning electron microscopy(SEM) analyses show that all films have uniform and homogenous nanoparticle distributions. Furthermore, morphologies of the films depend on the ratio between Pr and Ta dopants. From ultraviolet-visible(UV-Vis) spectrophotometer measurements, it is shown that the transmittance value of FTO film decreases with Pr and Ta doping elements increasing. The band gap value of FTO film increases only at 1 at.% Ta doping level, it drops off with Pr and Ta doping ratio increasing at other doped FTO films. The electrical measurements indicate that the sheet resistance value of FTO film initially decreases with Pr and Ta doping ratio decreasing and then it increases with Pr and Ta doping ratio increasing. The highest value of figure of merit is obtained for 1 at.% Ta- and Pr-doped FTO film. These results suggest that Pr- and Ta-doped FTO films may be appealing candidates for TCO applications. 展开更多
关键词 Pr-doped fto Ta-doped fto spray pyrolysis tin oxide thin films double doping
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FTO/ITO复层导电薄膜的研究 被引量:11
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作者 胡志强 张晨宁 +3 位作者 丘鹏 刘俐宏 奥谷昌之 金子正治 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1886-1888,共3页
采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI... 采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI、n(NO3)3.4.5H2O、NH4F作为主要原料,通过溶胶凝胶法和溶液水解法可制备出低电阻率,高透光性的FTO/ITO复合导电薄膜。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 fto/ITO复层导电膜 电阻率 透光率
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VO_2/FTO复合热致变色薄膜的制备及其光学特性 被引量:5
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作者 王锋 李毅 +10 位作者 丁杰 佟国香 覃源 严梦 梁倩 方宝英 王晓华 陈少娟 陈建坤 郑鸿柱 袁文瑞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期143-148,共6页
在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用直流磁控溅射的方法室温沉积纯钒金属薄膜,再在退火炉中经后退火工艺制备VO2/FTO复合热致变色薄膜,并对复合薄膜的结构及其光学特性进行研究.结果表明,导电玻璃上的FTO并没有改变VO2择优取向生长,... 在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用直流磁控溅射的方法室温沉积纯钒金属薄膜,再在退火炉中经后退火工艺制备VO2/FTO复合热致变色薄膜,并对复合薄膜的结构及其光学特性进行研究.结果表明,导电玻璃上的FTO并没有改变VO2择优取向生长,但明显改变了VO2薄膜的表面形貌特征.与相同工艺条件下在玻璃衬底上制备的VO2薄膜相比,VO2/FTO复合薄膜的相变温度降低约18℃,热滞回线温宽收窄约4℃,相变前后的红外透过率分别约为42%和21%.说明复合薄膜既可明显降低相变温度和热滞宽度,又可增强VO2薄膜的红外调控能力. 展开更多
关键词 VO2 fto 复合薄膜 热致变色 光学特性
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溶胶-凝胶法制备FTO透明导电膜 被引量:4
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作者 谭伟 辛荣生 +1 位作者 孔小霞 贾晓林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期42-44,共3页
介绍了采用溶胶-凝胶法制备SnO2掺杂F的透明导电膜(简称FTO膜)的实验方法,并讨论了加水量、掺杂量、pH值及热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率的影响。实验表明,水:醇为0.25~1.5,F:Sn为0.26~1,... 介绍了采用溶胶-凝胶法制备SnO2掺杂F的透明导电膜(简称FTO膜)的实验方法,并讨论了加水量、掺杂量、pH值及热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率的影响。实验表明,水:醇为0.25~1.5,F:Sn为0.26~1,pH值为1.5~3,热处理温度为400~600℃,可得到透明导电性良好的FTO透明导电膜。甲酰胺可以抑制醇盐水解,提高缩聚速率并避免薄膜干燥开裂。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 透明导电薄膜 半导体 二氧化锡
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FTO薄膜制备技术研究进展 被引量:5
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作者 郁建元 王立坤 +2 位作者 王丽 宋玉嘉 赵洪力 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2645-2649,共5页
本文首先对FTO薄膜的特性和应用进行简明陈述,之后对薄膜的制备方法,包括溶胶-凝胶法、磁控溅射法、化学气相沉积法和喷雾热解法等现有制备技术及研究进展进行了全面的综述,最后对FTO薄膜的制备技术改进及FTO理论设计研究前景进行了展望。
关键词 fto薄膜 制备方法 进展
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溶胶水热法制备FTO纳米晶体薄膜及其电学性能研究 被引量:3
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作者 石海英 郑威 田均庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2677-2681,共5页
以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响。采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手段分别进行测试,分析F/Sn比对其性能的影响,获得低表面电阻薄... 以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响。采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手段分别进行测试,分析F/Sn比对其性能的影响,获得低表面电阻薄膜的制备条件。结果表明SnO2晶体随着烧结温度的升高发生改变,当温度在450℃,热处理时间为30 min,生成金红石晶型,并且在此温度下,F原子可以有效地掺杂。F掺杂明显的降低了薄膜的电阻率,有效的提高了薄膜的载流子浓度和迁移率。并且在氟锡摩尔比F/Sn为3∶10时,晶体薄膜表面方块电阻最低,为35Ω/□,载流子浓度为2.8×1016/cm3,迁移率为31 cm2/V·s。 展开更多
关键词 溶胶水热法 fto薄膜 表面电阻 载流子浓度 迁移率
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FTO薄膜电子结构和光学性质的PBE0方法研究 被引量:1
8
作者 郁建元 王立坤 +2 位作者 牛孝友 王丽 赵洪力 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2018年第1期38-43,共6页
本文基于密度泛函理论(DFT)PBE0方法对本征SnO_2及SnO_2∶F电子结构及光学性质进行了理论计算,从理论上描述了光学性质与电子结构关系。计算结果表明,PBE0方法计算光学带隙最接近实验数值。在PBE0赝势下,计算了本征SnO_2及SnO_2∶F能带... 本文基于密度泛函理论(DFT)PBE0方法对本征SnO_2及SnO_2∶F电子结构及光学性质进行了理论计算,从理论上描述了光学性质与电子结构关系。计算结果表明,PBE0方法计算光学带隙最接近实验数值。在PBE0赝势下,计算了本征SnO_2及SnO_2∶F能带结构、电子态密度。掺杂后,体系局域态密度增加,费米能级穿越导带底部,F掺杂增强SnO_2的导电性。增加F掺杂浓度,体系等离子体频率降低,有利于降低FTO薄膜红外辐射率。F掺杂SnO_2后,介电函数谱发生红移。 展开更多
关键词 fto薄膜 第一性原理 电子结构 光学性质
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Fabrication of large-scale ripples on fluorine-doped tin oxide films by femtosecond laser irradiation
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作者 韩艳华 李岩 +1 位作者 赵秀丽 曲士良 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第9期242-246,共5页
The large-scale uniform self-organized ripples are fabricated on fluorine-doped tin oxide (FTO) coated glass by femtosecond laser. They can be smoothly linked in a horizontal line with the moving of XYZ stage by set... The large-scale uniform self-organized ripples are fabricated on fluorine-doped tin oxide (FTO) coated glass by femtosecond laser. They can be smoothly linked in a horizontal line with the moving of XYZ stage by setting its velocity and the repetition rate of the laser. The ripple-to-ripple linking can also be realized through line-by-line scanning on a vertical level. The mechanism analysis shows that the seeding effect plays a key role in the linking of ripples. 展开更多
关键词 femtosecond laser RIPPLES fto film seeding effect
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太阳能电池用FTO/NTO复合薄膜的研究
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作者 辛荣生 林钰 +1 位作者 李慧灵 苏雷生 《河南教育学院学报(自然科学版)》 2019年第1期59-62,共4页
采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了FTO/NTO复合薄膜.通过紫外可见光谱(UV-vis)、双电测四探针仪和电化学工作站对薄膜的光电性能进行表征,测量并分析了NTO阻挡层(兼作传输层)厚度改变对FTO/NTO复合薄膜组装器件光电性能的影响.实验结果... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了FTO/NTO复合薄膜.通过紫外可见光谱(UV-vis)、双电测四探针仪和电化学工作站对薄膜的光电性能进行表征,测量并分析了NTO阻挡层(兼作传输层)厚度改变对FTO/NTO复合薄膜组装器件光电性能的影响.实验结果表明:阻挡层厚度的变化能改变光生载流子的寿命,当NTO薄膜厚度为90 nm时,光生载流子寿命最高,阻挡层抑制光生载流子复合的效果最好; FTO/NTO复合薄膜的可见光透过率可达84%以上,同时能满足正向电子传输的导电要求. 展开更多
关键词 磁控溅射 fto/NTO复合薄膜 NTO薄膜厚度 阻挡层 光电性能
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AACVD方法制备FTO薄膜及其结构与光电性能研究 被引量:1
11
作者 林威豪 马晔城 +2 位作者 陈胜男 汪建勋 韩高荣 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2018年第3期234-239,共6页
以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO(SnO_2:F)透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、霍尔效应测试仪等方法研究了... 以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO(SnO_2:F)透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、霍尔效应测试仪等方法研究了镀膜时间对FTO薄膜微观结构和光电性能的影响规律。结果表明,薄膜物相为(200)晶面择优生长的金红石相Sn O2;随镀膜时间增加,薄膜表面颗粒粗化,厚度近似呈线性增加;镀膜时间每延长2 min,可见光区主波长(550 nm)透过率下降约10%,中远红外光区平均反射率先增大后减小,电阻率先减小后增大。在本文实验条件下,薄膜厚度可从约250 nm增加至约2 200 nm,电阻率在2.89×10-4~6.69×10-4Ω·cm之间,依据中远红外反射光谱计算半球辐射率在0.21~0.40之间,为进一步的性能优化提供了实验基础。 展开更多
关键词 气溶胶辅助 化学气相沉积 fto薄膜 低辐射性能
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铋膜修饰FTO导电玻璃电极检测溶液中的铅离子 被引量:1
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作者 程晓红 刘一峰 +1 位作者 马红超 董晓丽 《大连工业大学学报》 CAS 北大核心 2015年第1期34-36,共3页
利用铋膜修饰FTO导电玻璃电极,通过阳极溶出伏安法测定溶液中痕量铅离子,考察并优化测定铅离子的工艺参数。在0.1mol/L HAc-NaAc缓冲溶液(pH=5.0)中,沉积电位在-1.0V搅拌富集360s,铅离子在铋膜修饰FTO导电玻璃电极上可得到最高溶出电... 利用铋膜修饰FTO导电玻璃电极,通过阳极溶出伏安法测定溶液中痕量铅离子,考察并优化测定铅离子的工艺参数。在0.1mol/L HAc-NaAc缓冲溶液(pH=5.0)中,沉积电位在-1.0V搅拌富集360s,铅离子在铋膜修饰FTO导电玻璃电极上可得到最高溶出电流。铅离子标准曲线线性范围为50~250μg/L,最低检出限为2.35μg/L。铋膜修饰FTO导电玻璃电极可对铅离子进行检测,而且检测结果良好。 展开更多
关键词 fto导电玻璃 铋膜电极 差分脉冲伏安法 溶出峰
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热处理对FTO薄膜结构和光电性质的影响 被引量:1
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作者 郎文静 《信息记录材料》 2014年第4期42-45,共4页
系统研究了在O2氛围中不同的热处理温度对FTO薄膜结构、形貌和光电性质的影响。结果表明,当退火温度较低时,样品的结晶度、可见光透过率和导电性均随退火温度的升高而升高;随着退火温度的进一步升高,样品的光电特性开始变差。当退火温度... 系统研究了在O2氛围中不同的热处理温度对FTO薄膜结构、形貌和光电性质的影响。结果表明,当退火温度较低时,样品的结晶度、可见光透过率和导电性均随退火温度的升高而升高;随着退火温度的进一步升高,样品的光电特性开始变差。当退火温度为300℃时,得到了具有最低电阻率和最高可见光透过率的样品,其室温电阻率为2.97×10-4Ωcm,可见光透过率达83%。 展开更多
关键词 热处理 fto薄膜 结构 光学性质 电学性质
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镍掺杂对FTO薄膜光电性能的影响及机理分析
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作者 吴宝棋 张琴 +2 位作者 刘起英 史国华 赵洪力 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2023年第9期3379-3386,共8页
本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH_(4)F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl_(2)·6H_(2)O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FT... 本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH_(4)F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl_(2)·6H_(2)O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FTO薄膜的光学性能、电学性能进行表征和分析,并基于第一性原理对掺杂体系的电子结构进行了计算。结果表明,Ni掺杂的FTO薄膜为四方金红石结构,导电性能有所提高。当Ni/Sn为2%(原子数分数)时,品质因数Φ_(TC)达到3×10^(-2)Ω^(-1),电阻率ρ为3.79×10^(-4)Ω·cm,可见光平均透过率约为80%,载流子浓度n为6.88×10^(20)cm^(-3),迁移率μ为13.31 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。 展开更多
关键词 镍掺杂 fto薄膜 气溶胶辅助化学气相沉积 电学性质 第一性原理
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超声喷雾热解法制备ATO-FTO双层膜的电热特性
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作者 梁昌兴 罗月婷 +2 位作者 陈远豪 肖黎 龚恒翔 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期638-644,698,共8页
为改善氟掺杂氧化锡(FTO)基薄膜的电热性能,采用超声喷雾热解法(USP)在石英衬底上制备ATO-FTO双层膜,研究ATO膜层厚度对双层膜结构、表面形貌以及电热性能的影响。研究结果表明:制备的双层膜为高度结晶的四方金红石结构,随着ATO膜层厚... 为改善氟掺杂氧化锡(FTO)基薄膜的电热性能,采用超声喷雾热解法(USP)在石英衬底上制备ATO-FTO双层膜,研究ATO膜层厚度对双层膜结构、表面形貌以及电热性能的影响。研究结果表明:制备的双层膜为高度结晶的四方金红石结构,随着ATO膜层厚度的增加,双层膜沿着(200)晶面取向性增强,双层膜表面晶粒形貌由锥体状逐渐变为块状,且晶粒大小明显变大;当ATO膜层厚度从210 nm增加到860 nm,双层膜的方块电阻从11.03Ω/sq减小到4.75Ω/sq;电热测试结果表明,相较于单一的FTO或ATO薄膜,双层膜的电热性能得到了显著提高。FTO和ATO薄膜在20 V外加电压所达到的最高平衡温度分别为265.7℃、210℃,发热效率分别为3.66×10^(-4)W/(℃·mm^(2))、3.85×10^(-4)W/(℃·mm^(2))。当双层膜中ATO膜层厚度为860 nm时,双层膜在20 V外加电压时最高平衡温度提高到440℃,发热效率提升为3.04×10^(-4)W/(℃·mm^(2))。在热循环测试过程中双层膜的最高平衡温度波动小于3.3%,展现出优异电热稳定性。 展开更多
关键词 ATO-fto双层膜 超声喷雾热解法 方块电阻 电热性能 发热效率
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FTO镀膜玻璃滴落物的产生机理与解决方案
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作者 韩广军 王广军 蒋振伟 《玻璃》 2014年第6期38-42,共5页
FTO镀膜玻璃在生产过程中产生的滴落物,会对FTO镀膜玻璃的外观、均匀性、稳定性、激光刻蚀等性能造成严重的影响,本文阐述了滴落物带来的影响,采用电镜分析的方法对其产生机理进行了研究,给出了可行的解决方案。
关键词 fto镀膜玻璃 滴落物 底膜 产生机理 解决方案
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Microstructure Analysis and Properties of Anti-Reflection Thin Films for Spherical Silicon Solar Cells
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作者 Masato Kanayama Takeo Oku +6 位作者 Tsuyoshi Akiyama Youichi Kanamori Satoshi Seo Jun Takami Yoshimasa Ohnishi Yoshikazu Ohtani Mikio Murozono 《Energy and Power Engineering》 2013年第2期18-22,共5页
Structure and properties of anti-reflection thin films of spherical silicon solar cells were investigated and discussed. Conversion efficiencies of spherical Si solar cells coated with F-doped SnO2 anti-reflection fil... Structure and properties of anti-reflection thin films of spherical silicon solar cells were investigated and discussed. Conversion efficiencies of spherical Si solar cells coated with F-doped SnO2 anti-reflection films were improved by annealing. Optical absorption and fluorescence of the solar cells increased after annealing. Lattice constants of F-doped SnO2 anti-reflection layers, which were investigated by X-ray diffraction, decreased after annealing. A mechanism of atomic diffusion of F in SnO2 was discussed. The present work indicated a guideline for spherical silicon solar cells with higher efficiencies. 展开更多
关键词 SOLAR Cells SPHERICAL Silicon ANTI-REFLECTION film fto SNO2
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TiO2纳米棒阵列薄膜的制备及其光催化还原Cr(Ⅵ) 被引量:3
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作者 王滨松 夏华 +1 位作者 郑晟良 肖林飞 《环境化学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期150-155,共6页
采用水热法在导电玻璃(FTO)上合成具有一维结构的TiO2纳米棒阵列薄膜.用扫描电子显微镜,广角X-射线粉末衍射,紫外可见分光光谱等手段对薄膜进行了表征,研究了不同浓度钛酸四丁酯和水热反应时间对FTO-TiO2纳米棒阵列薄膜形貌的影响及FTO-... 采用水热法在导电玻璃(FTO)上合成具有一维结构的TiO2纳米棒阵列薄膜.用扫描电子显微镜,广角X-射线粉末衍射,紫外可见分光光谱等手段对薄膜进行了表征,研究了不同浓度钛酸四丁酯和水热反应时间对FTO-TiO2纳米棒阵列薄膜形貌的影响及FTO-TiO2纳米棒阵列薄膜光催化还原Cr(Ⅵ)的反应性能.结果表明,当钛酸四丁酯浓度为0.05 mol·L-1和水热反应时间为20 h时制备的FTO-TiO2纳米棒阵列薄膜形貌最优,一维FTO-TiO2纳米棒阵列薄膜光催化还原Cr(Ⅵ)的性能优于商业化二氧化钛P25制备的薄膜. 展开更多
关键词 fto-TiO2纳米棒 阵列 薄膜 光催化 还原 Cr(Ⅵ)
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过渡层(SiO_2,TiO_2)对F掺杂SnO_2薄膜的光电性能影响研究 被引量:2
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作者 高赟 赵高扬 任洋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期425-429,共5页
采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含Si O2过渡层与Ti O2过渡层的玻璃上制备了F掺杂Sn O2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂Sn O2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂Sn O2膜层的光电性能的影响。结果表明,过渡层种类对F掺杂Sn... 采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含Si O2过渡层与Ti O2过渡层的玻璃上制备了F掺杂Sn O2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂Sn O2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂Sn O2膜层的光电性能的影响。结果表明,过渡层种类对F掺杂Sn O2薄膜各项性能影响很大,在Si O2薄膜过渡层上制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最小且表面致密,在Ti O2过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最大,在玻璃上生长的F掺杂Sn O2薄膜较为疏松,以Si O2为过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为82.9%,电阻率为5.33×10-4Ω·cm,适合喷雾热解法制备性能优良的玻璃基F掺杂Sn O2薄膜。 展开更多
关键词 fto薄膜 喷雾热解 过渡层 光电性能
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遮阳可控性低辐射玻璃的制备及性能 被引量:3
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作者 陈峰 姜宏 +2 位作者 赵会峰 张振华 鲍思权 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期77-81,共5页
本研究通过常压CVD法在玻璃基板上分别镀制单层SnO2∶Sb(ATO)薄膜和SnO_2∶F(FTO)/ATO复合薄膜,研究单层ATO薄膜和复合薄膜对玻璃光电性能的影响。结果表明:单层ATO薄膜和复合薄膜均为四方金红石型多晶SnO_2薄膜,且结晶性能良好,结晶度... 本研究通过常压CVD法在玻璃基板上分别镀制单层SnO2∶Sb(ATO)薄膜和SnO_2∶F(FTO)/ATO复合薄膜,研究单层ATO薄膜和复合薄膜对玻璃光电性能的影响。结果表明:单层ATO薄膜和复合薄膜均为四方金红石型多晶SnO_2薄膜,且结晶性能良好,结晶度高。单层ATO薄膜可明显降低玻璃的透过率,改善玻璃的导电性和遮阳性。复合薄膜相对于单层ATO薄膜,导电性、遮阳性和辐射性能均有较大的提升,薄膜电阻率、遮阳系数和辐射率随着复合薄膜膜厚的增加而逐渐降低,薄膜晶粒增大。当复合薄膜厚度为821nm时,薄膜电阻率为4.9×10^(-4)Ω·cm,遮阳系数和辐射率分别为0.50和0.06,远红外反射率达到93.9%。 展开更多
关键词 常压CVD fto/ATO复合薄膜 遮阳系数 辐射率
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