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Influences of Pr and Ta doping concentration on the characteristic features of FTO thin film deposited by spray pyrolysis
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作者 Güven Turgut Adem Koqyigit Erdal Snmez 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第10期414-422,共9页
The Pr and Ta separately doped FTO(10 at.% F incorporated Sn O2) films are fabricated via spray pyrolysis. The microstructural, topographic, optical, and electrical features of fluorine-doped TO(FTO) films are inv... The Pr and Ta separately doped FTO(10 at.% F incorporated Sn O2) films are fabricated via spray pyrolysis. The microstructural, topographic, optical, and electrical features of fluorine-doped TO(FTO) films are investigated as functions of Pr and Ta dopant concentrations. The x-ray diffraction(XRD) measurements reveal that all deposited films show polycrystalline tin oxide crystal property. FTO film has(200) preferential orientation, but this orientation changes to(211) direction with Pr and Ta doping ratio increasing. Atomic force microscopy(AFM) and scanning electron microscopy(SEM) analyses show that all films have uniform and homogenous nanoparticle distributions. Furthermore, morphologies of the films depend on the ratio between Pr and Ta dopants. From ultraviolet-visible(UV-Vis) spectrophotometer measurements, it is shown that the transmittance value of FTO film decreases with Pr and Ta doping elements increasing. The band gap value of FTO film increases only at 1 at.% Ta doping level, it drops off with Pr and Ta doping ratio increasing at other doped FTO films. The electrical measurements indicate that the sheet resistance value of FTO film initially decreases with Pr and Ta doping ratio decreasing and then it increases with Pr and Ta doping ratio increasing. The highest value of figure of merit is obtained for 1 at.% Ta- and Pr-doped FTO film. These results suggest that Pr- and Ta-doped FTO films may be appealing candidates for TCO applications. 展开更多
关键词 Pr-doped fto Ta-doped fto spray pyrolysis tin oxide thin films double doping
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FTO薄膜制备技术研究进展 被引量:5
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作者 郁建元 王立坤 +2 位作者 王丽 宋玉嘉 赵洪力 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2645-2649,共5页
本文首先对FTO薄膜的特性和应用进行简明陈述,之后对薄膜的制备方法,包括溶胶-凝胶法、磁控溅射法、化学气相沉积法和喷雾热解法等现有制备技术及研究进展进行了全面的综述,最后对FTO薄膜的制备技术改进及FTO理论设计研究前景进行了展望。
关键词 fto薄膜 制备方法 进展
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溶胶水热法制备FTO纳米晶体薄膜及其电学性能研究 被引量:3
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作者 石海英 郑威 田均庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2677-2681,共5页
以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响。采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手段分别进行测试,分析F/Sn比对其性能的影响,获得低表面电阻薄... 以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响。采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手段分别进行测试,分析F/Sn比对其性能的影响,获得低表面电阻薄膜的制备条件。结果表明SnO2晶体随着烧结温度的升高发生改变,当温度在450℃,热处理时间为30 min,生成金红石晶型,并且在此温度下,F原子可以有效地掺杂。F掺杂明显的降低了薄膜的电阻率,有效的提高了薄膜的载流子浓度和迁移率。并且在氟锡摩尔比F/Sn为3∶10时,晶体薄膜表面方块电阻最低,为35Ω/□,载流子浓度为2.8×1016/cm3,迁移率为31 cm2/V·s。 展开更多
关键词 溶胶水热法 fto薄膜 表面电阻 载流子浓度 迁移率
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FTO薄膜电子结构和光学性质的PBE0方法研究 被引量:1
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作者 郁建元 王立坤 +2 位作者 牛孝友 王丽 赵洪力 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2018年第1期38-43,共6页
本文基于密度泛函理论(DFT)PBE0方法对本征SnO_2及SnO_2∶F电子结构及光学性质进行了理论计算,从理论上描述了光学性质与电子结构关系。计算结果表明,PBE0方法计算光学带隙最接近实验数值。在PBE0赝势下,计算了本征SnO_2及SnO_2∶F能带... 本文基于密度泛函理论(DFT)PBE0方法对本征SnO_2及SnO_2∶F电子结构及光学性质进行了理论计算,从理论上描述了光学性质与电子结构关系。计算结果表明,PBE0方法计算光学带隙最接近实验数值。在PBE0赝势下,计算了本征SnO_2及SnO_2∶F能带结构、电子态密度。掺杂后,体系局域态密度增加,费米能级穿越导带底部,F掺杂增强SnO_2的导电性。增加F掺杂浓度,体系等离子体频率降低,有利于降低FTO薄膜红外辐射率。F掺杂SnO_2后,介电函数谱发生红移。 展开更多
关键词 fto薄膜 第一性原理 电子结构 光学性质
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AACVD方法制备FTO薄膜及其结构与光电性能研究 被引量:1
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作者 林威豪 马晔城 +2 位作者 陈胜男 汪建勋 韩高荣 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2018年第3期234-239,共6页
以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO(SnO_2:F)透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、霍尔效应测试仪等方法研究了... 以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO(SnO_2:F)透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、霍尔效应测试仪等方法研究了镀膜时间对FTO薄膜微观结构和光电性能的影响规律。结果表明,薄膜物相为(200)晶面择优生长的金红石相Sn O2;随镀膜时间增加,薄膜表面颗粒粗化,厚度近似呈线性增加;镀膜时间每延长2 min,可见光区主波长(550 nm)透过率下降约10%,中远红外光区平均反射率先增大后减小,电阻率先减小后增大。在本文实验条件下,薄膜厚度可从约250 nm增加至约2 200 nm,电阻率在2.89×10-4~6.69×10-4Ω·cm之间,依据中远红外反射光谱计算半球辐射率在0.21~0.40之间,为进一步的性能优化提供了实验基础。 展开更多
关键词 气溶胶辅助 化学气相沉积 fto薄膜 低辐射性能
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镍掺杂对FTO薄膜光电性能的影响及机理分析
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作者 吴宝棋 张琴 +2 位作者 刘起英 史国华 赵洪力 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2023年第9期3379-3386,共8页
本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH_(4)F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl_(2)·6H_(2)O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FT... 本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH_(4)F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl_(2)·6H_(2)O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FTO薄膜的光学性能、电学性能进行表征和分析,并基于第一性原理对掺杂体系的电子结构进行了计算。结果表明,Ni掺杂的FTO薄膜为四方金红石结构,导电性能有所提高。当Ni/Sn为2%(原子数分数)时,品质因数Φ_(TC)达到3×10^(-2)Ω^(-1),电阻率ρ为3.79×10^(-4)Ω·cm,可见光平均透过率约为80%,载流子浓度n为6.88×10^(20)cm^(-3),迁移率μ为13.31 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。 展开更多
关键词 镍掺杂 fto薄膜 气溶胶辅助化学气相沉积 电学性质 第一性原理
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过渡层(SiO_2,TiO_2)对F掺杂SnO_2薄膜的光电性能影响研究 被引量:2
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作者 高赟 赵高扬 任洋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期425-429,共5页
采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含Si O2过渡层与Ti O2过渡层的玻璃上制备了F掺杂Sn O2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂Sn O2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂Sn O2膜层的光电性能的影响。结果表明,过渡层种类对F掺杂Sn... 采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含Si O2过渡层与Ti O2过渡层的玻璃上制备了F掺杂Sn O2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂Sn O2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂Sn O2膜层的光电性能的影响。结果表明,过渡层种类对F掺杂Sn O2薄膜各项性能影响很大,在Si O2薄膜过渡层上制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最小且表面致密,在Ti O2过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最大,在玻璃上生长的F掺杂Sn O2薄膜较为疏松,以Si O2为过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为82.9%,电阻率为5.33×10-4Ω·cm,适合喷雾热解法制备性能优良的玻璃基F掺杂Sn O2薄膜。 展开更多
关键词 fto薄膜 喷雾热解 过渡层 光电性能
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FTO/SiO_2复合薄膜的制备及电阻(英文)
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作者 李长虹 赵贤辉 +3 位作者 梁松 王海 刘岭 黄梓麟 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第S1期107-110,共4页
采用溶胶-凝胶法制备了FTO/SiO_2复合薄膜。使用扫描电镜、X射线衍射仪、厄氏粘度计和表面四点探针等手段,研究了乙醇与正硅酸乙酯比例、水与正硅酸乙酯比例、掺杂F、薄膜的厚度、热处理温度、溶胶黏度、薄膜表面形貌、组织结构和电阻... 采用溶胶-凝胶法制备了FTO/SiO_2复合薄膜。使用扫描电镜、X射线衍射仪、厄氏粘度计和表面四点探针等手段,研究了乙醇与正硅酸乙酯比例、水与正硅酸乙酯比例、掺杂F、薄膜的厚度、热处理温度、溶胶黏度、薄膜表面形貌、组织结构和电阻等制备参数和性能特征。适合于制备FTO/SiO_2复合薄膜的SiO_2溶胶最佳的参数为EtOH/TEOS/H2O为4/2/1,pH为3。加热会导致薄膜产生裂纹,加热速度控制在0.25℃/min时,薄膜表面完好。掺杂F可以明显地改善薄膜的导电性,随F的掺杂浓度增加,电阻明显减小,最佳的F掺杂浓度为5mol%。在500℃以下,随热处理温度的提高,膜的导电性增加。导电性也随薄膜厚度的增加而增加。当F掺杂浓度为5mol%,薄膜厚度为1+3层溶胶,热处理温度为500℃时,FTO/SiO_2薄膜的方块电阻为270?/□。 展开更多
关键词 fto SIO2 溶胶凝胶 薄膜 复合薄膜 方块电阻
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溶剂对FTO薄膜的结构和光电性能的影响
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作者 付晨 王立坤 +4 位作者 邱茹蒙 王贵 蔡文豪 杨静凯 赵洪力 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期277-283,共7页
采用喷雾热解法(SPD),分别使用甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇和去离子水作为溶剂制备F掺杂的SnO_2(FTO)透明导电薄膜,使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、四点探针电阻仪、霍尔效应仪和紫外可见分光光度计等手段对薄膜进行测试和表征,研究... 采用喷雾热解法(SPD),分别使用甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇和去离子水作为溶剂制备F掺杂的SnO_2(FTO)透明导电薄膜,使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、四点探针电阻仪、霍尔效应仪和紫外可见分光光度计等手段对薄膜进行测试和表征,研究了溶剂对FTO薄膜结构、形貌和光电性能的影响,研究了溶剂对FTO薄膜结构与光电性能的影响。结果表明:FTO薄膜具有四方相金红石结构;使用不同溶剂制备的薄膜,其表面形貌和颗粒尺寸明显不同;使用甲醇为溶剂制备的FTO薄膜呈现饱满的金字塔状,晶粒尺寸均匀,结构致密,具有最佳的综合光学和电学性能,其电阻率可达4.43×10^(-4)Ω·cm,载流子浓度为9.922×10^(20)cm^(-3),品质因数为1.646×10^(-2)Ω^(-1),可见光区透射比均大于75%。 展开更多
关键词 无机非金属材料 fto薄膜 喷雾热解 溶剂 光学性能 电学性能
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FTO/TiO2/ZnO/Cu2O/Ag异质结电池的光电性能研究
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作者 袁斌霞 蔡晓东 +4 位作者 曹盛 王道累 朱瑞 韩清鹏 吴懋亮 《功能材料与器件学报》 CAS 2020年第1期52-57,共6页
由于氧化锌和氧化亚铜的材料安全无毒、制作成本低及环境友好等特点,ZnO/Cu2O异质结电池具有很广阔的发展前景。本文首先通过旋涂法制备了ZnO薄膜,然后以真空蒸镀法和热氧化法制备了Cu2O薄膜,采用SEM表征证明所得ZnO和Cu2O薄膜平整度较... 由于氧化锌和氧化亚铜的材料安全无毒、制作成本低及环境友好等特点,ZnO/Cu2O异质结电池具有很广阔的发展前景。本文首先通过旋涂法制备了ZnO薄膜,然后以真空蒸镀法和热氧化法制备了Cu2O薄膜,采用SEM表征证明所得ZnO和Cu2O薄膜平整度较高。最后使用真空蒸镀法制备Ag电极,组装完成了FTO/ZnO/Cu2O/Ag异质结电池。通过改变氧化亚铜的厚度来研究电池性能的变化规律,结果表明光电性能随着Cu2O的厚度增加而增加。为了进一步提高电池性能,加入了TiO2光吸收层,组装了FTO/TiO2/ZnO/Cu2O/Ag异质结电池。结果表明,TiO2光吸收层的加入提高了短路电流和开路电压。另外,该电池直接在空气中组装,组装工艺简单,具有推广价值。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 Cu2O薄膜 fto/ZnO/Cu2O/Ag fto/TiO2/ZnO/Cu2O/Ag 异质结电池
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