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用质子激发X射线能谱分析技术测量FVAPD装置合成薄膜均匀性
1
作者
王广甫
张荟星
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期765-768,共4页
采用质子激发的X射线能谱分析 (PIXE)方法对磁过滤阴极真空弧沉积 (FVAPD)装置在Al板上合成Ti膜相对厚度进行了测量 ,给出了沉积靶室中不同位置大面积合成薄膜的均匀性 .通过同背散射分析 (RBS)测量结果的比较表明 :利用在轻衬底上合成...
采用质子激发的X射线能谱分析 (PIXE)方法对磁过滤阴极真空弧沉积 (FVAPD)装置在Al板上合成Ti膜相对厚度进行了测量 ,给出了沉积靶室中不同位置大面积合成薄膜的均匀性 .通过同背散射分析 (RBS)测量结果的比较表明 :利用在轻衬底上合成重元素薄膜的PIXE分析可以快速、无损和精确地测量FVAPD装置合成薄膜的均匀性 .
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关键词
磁过滤阴极真空弧沉积(
fvapd
)
均匀性
质子激发的X射线能谱分析(PIXE)
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职称材料
题名
用质子激发X射线能谱分析技术测量FVAPD装置合成薄膜均匀性
1
作者
王广甫
张荟星
机构
北京师范大学分析测试中心
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期765-768,共4页
基金
国家"八六三"计划资助项目 (86 3 715 0 0 8 0 0 4 0 )
文摘
采用质子激发的X射线能谱分析 (PIXE)方法对磁过滤阴极真空弧沉积 (FVAPD)装置在Al板上合成Ti膜相对厚度进行了测量 ,给出了沉积靶室中不同位置大面积合成薄膜的均匀性 .通过同背散射分析 (RBS)测量结果的比较表明 :利用在轻衬底上合成重元素薄膜的PIXE分析可以快速、无损和精确地测量FVAPD装置合成薄膜的均匀性 .
关键词
磁过滤阴极真空弧沉积(
fvapd
)
均匀性
质子激发的X射线能谱分析(PIXE)
Keywords
fvapd
thickness distribution
PIXE
分类号
TL503.92 [核科学技术—核技术及应用]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用质子激发X射线能谱分析技术测量FVAPD装置合成薄膜均匀性
王广甫
张荟星
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2004
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