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高频线圈坡面对生长FZ单晶的影响 被引量:1
1
作者 董军恒 刘洪飞 《电子工业专用设备》 2011年第4期25-28,共4页
通过对高频线圈下坡面对生长FZ单晶的作用,分析了不同坡面线圈的磁力分布,以及磁力在单晶生长过程中的作用。线圈下面坡度的大小,会产生分布不同的磁力,在FZ单晶生长时,磁力对固液交界面的外边缘有重要的影响。分析认为采用下坡度合适... 通过对高频线圈下坡面对生长FZ单晶的作用,分析了不同坡面线圈的磁力分布,以及磁力在单晶生长过程中的作用。线圈下面坡度的大小,会产生分布不同的磁力,在FZ单晶生长时,磁力对固液交界面的外边缘有重要的影响。分析认为采用下坡度合适的加热线圈,可以有利于单晶的顺利生长,提高单晶的成功率。 展开更多
关键词 fz单晶 高频线圈 磁力
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气相掺杂FZ单晶电阻率的控制
2
作者 刘洪飞 刘燕 董军恒 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期287-289,293,共4页
主要介绍了用气相掺杂的方法制备FZ单晶的基本技术条件和设计思路。采用此技术可使气相掺杂时既快速准确地实现目标电阻率。对单晶的轴向及径向电阻率均匀性进行调整,提高了气相掺杂FZ硅单晶的成品率。
关键词 气相掺杂 电阻率 区熔单晶
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高阻真空区熔硅单晶的生长 被引量:6
3
作者 闫萍 陈立强 张殿朝 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期301-303,312,共4页
介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3~5)×103Ω.cm及(1~2)×104Ω.cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3~5)×103Ω.cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型... 介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3~5)×103Ω.cm及(1~2)×104Ω.cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3~5)×103Ω.cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型区熔掺杂。单晶直径30~35 mm,晶向<111>。经检测无位错及漩涡缺陷,单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上。 展开更多
关键词 硅单晶 真空区熔 高电阻率 区熔掺杂
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真空提纯对n型高阻区熔硅单晶研制的影响 被引量:1
4
作者 庞炳远 闫萍 刘洪 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第10期676-680,共5页
采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔(FZ)提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长。通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律。之后,通过计算得到了原料中主要... 采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔(FZ)提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长。通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律。之后,通过计算得到了原料中主要杂质磷杂质在每次真空提纯后的去除量,并讨论了磷杂质去除量对材料导电类型的影响。分析认为真空提纯工艺具有较高的提纯效率,通过真空提纯工艺可大幅提高材料的纯度和电阻率。提出要研制n型高纯高阻硅单晶,还需通过真空提纯工艺精确地控制硼、磷杂质的相对含量,并充分考虑杂质在径向上的分布规律。 展开更多
关键词 真空提纯 N型 高阻 硅单晶 区熔(fz)
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影响区熔硅单晶电阻率均匀性的主要因素 被引量:2
5
作者 刘洪 《电子工业专用设备》 2012年第8期4-6,共3页
通过对弯曲的结晶界面的研究,分析其对分凝系数、分凝方向及界面杂质分布的影响;通过改变拉晶参数以改变结晶界面的弯曲程度,减小分凝系数的变化及径向分凝的强度。分析影响电阻率均匀性的主要因素,改变其生产工艺。
关键词 fz单晶 结晶界面 径向分凝
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含氢单晶硅的ESR面效应
6
作者 苏昉 金嗣炤 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期232-238,共7页
电子自旋共振(ESR)实验结果确定:氢气区熔单晶硅的电子自旋总数随样品平均厚度的相对变化不是体效应,而是面效应.面效应的特点是当样品表面与磁场的央角在0°至140°范围内变化时,含氢硅的g 因子保持不变;在O°至±90&#... 电子自旋共振(ESR)实验结果确定:氢气区熔单晶硅的电子自旋总数随样品平均厚度的相对变化不是体效应,而是面效应.面效应的特点是当样品表面与磁场的央角在0°至140°范围内变化时,含氢硅的g 因子保持不变;在O°至±90°范围内ESR 信号强度由大变小,正负转向基本对称.由此推测:Si(H)/Si_2O_2界面中硅悬挂键的数量较少.并观测得:无论红外光照前或后,含氢硅的ESR 信号强度都不随微波功率饱和,并归因于自旋-自旋弛豫时间很小,约T_2=1.4×10^(-(?))秒. 展开更多
关键词 单晶硅 氢气区熔 面效应 ESR
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旋转工艺对高阻区熔硅单晶研制的影响
7
作者 庞炳远 闫萍 刘洪 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第9期630-633,共4页
采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长。真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率。单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方式对单晶径向电阻率分布的影响,... 采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长。真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率。单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方式对单晶径向电阻率分布的影响,并通过计算得到了杂质在单晶径向上的分布规律。分析认为正反转旋转工艺可以精确地控制杂质在单晶径向上的分布情况,进而确保了单晶径向上的磷杂质含量略大于硼杂质含量。最终,通过采用正反转旋转工艺,成功研制了电阻率为8 000Ω·cm以上的n型高均匀性区熔硅单晶。 展开更多
关键词 旋转工艺 区熔(fz) 硅单晶 高阻 高均匀性
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区熔硅单晶掺杂技术概述 被引量:1
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作者 庞炳远 《电子工业专用设备》 2011年第5期52-54,共3页
区熔硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整性、高纯度、高均匀性及大直径化提出了较高的要求。随着电力电子器件快速发展,市场需求急剧增加,为了深入的研究并应用掺杂技术,对几种掺杂... 区熔硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整性、高纯度、高均匀性及大直径化提出了较高的要求。随着电力电子器件快速发展,市场需求急剧增加,为了深入的研究并应用掺杂技术,对几种掺杂工艺进行了分析和探讨。 展开更多
关键词 区熔 硅单晶 掺杂
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区熔单晶生长过程中高频线圈形变的原因分析及理论计算
9
作者 刘洪 《电子工业专用设备》 2012年第10期40-42,共3页
主要针对高频线圈于单晶生长过程中,在高频电流及棒体的高温作用下,产生的附加扭矩,改变线圈的设计外形,进行了原因研究、理论计算,并对单晶生长的影响进行了分析。通过采取适当的措施,降低由于线圈的形变对单晶的影响,提高单晶的成晶率。
关键词 高频线圈 附加扭矩 区熔单晶
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Photoluminescence, scintillation and thermally-stimulated luminescence properties of Tb-doped 12CaO·7Al2O3 single crystals grown by FZ method 被引量:1
10
作者 Narumi Kumamoto Daisuke Nakauchi +3 位作者 Takumi Kato Go Okada Noriaki Kawaguchi Takayuki Yanagida 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第10期957-963,共7页
Tb-doped 12CaO·7Al_2O_3(Tb:C12A7) crystals were synthesized by the floating zone(FZ) method and the photoluminescence(PL), scintillation and thermally-stimulated luminescence(TSL) properties were investi... Tb-doped 12CaO·7Al_2O_3(Tb:C12A7) crystals were synthesized by the floating zone(FZ) method and the photoluminescence(PL), scintillation and thermally-stimulated luminescence(TSL) properties were investigated. The photoluminescence(PL) emission spectra and PL decay time profiles were investigated by using Quantaurus-tau(Hamamatsu). The scintillation spectra and decay time profiles were measured by using our laboratory-constructed set-up under X-ray irradiation. Finally, TSL glow curve was measured by using Nanogray TL-2000 with the heating rate of 1 °C/s. In PL and scintillation, emission peaks were observed at 493, 543, 587 and 620 nm due to the 4f-4f transitions of Tb3~+. Decay time constants of the emission by PL and scintillation appeared to be different, and the measured values were approximately 2.4 and 1.9 ms, respectively. After X-ray irradiations, the 0.5%(all Tb contents in this paper are in mole fraction) and 1.0% Tb-doped samples showed a single intense and broad glow peak around 100 oC while 1.2%–1.5% Tb-doped samples showed notable additional peak around 250 oC. 展开更多
关键词 C12A7 single crystal fz terbium scintillation photoluminescence TSL rare earths
原文传递
直径52~65mm探测器级Si单晶的真空制备
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作者 蒋娜 万金平 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2301-2307,共7页
为了制备纯度11N以上、直径φ大于45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径超高纯单晶Si材料,本文在真空气氛下提纯并生长垂52~65mm探测器级区熔(FZ,float zone)Si单晶,并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高... 为了制备纯度11N以上、直径φ大于45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径超高纯单晶Si材料,本文在真空气氛下提纯并生长垂52~65mm探测器级区熔(FZ,float zone)Si单晶,并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高断面电阻率不均匀率和漩涡缺陷等问题的产生原因和解决方式进行了深入研究。结果表明,丹麦加热线圈表面带有台阶和十字开口,是提纯和生长φ大于45mm多晶Si和单晶Si的理想线圈;适当提高单晶转速和生长速度有利于降低断面电阻率不均匀率,且提高转速的效果更加明显;真空气氛下,提高热场对中性可抑制漩涡缺陷的产生,其对漩涡缺陷的影响比单晶Si生长速度更加显著,这是与Ar气气氛FZ不同的;多晶Si提纯次数越多单晶Si寿命越低,降低多晶Si原料中的P/B和重金属原始含量有利于提高单晶2Si寿命;若要制备少子寿命大于800μs,符合探测器级标准的φ52~65mm Si单晶,多晶Si原料少子寿命应大于3000μs。 展开更多
关键词 区熔(fz) 真空 大直径 探测器级 SI单晶 断面电阻率不均匀率 漩涡缺陷
原文传递
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