高频线圈坡面对生长FZ单晶的影响

通过对高频线圈下坡面对生长FZ单晶的作用,分析了不同坡面线圈的磁力分布,以及磁力在单晶生长过程中的作用。线圈下面坡度的大小,会产生分布不同的磁力,在FZ单晶生长时,磁力对固液交界面的外边缘有重要的影响。分析认为采用下坡度合适的加热线圈,可以有利于单晶的顺利生长,提高单晶的成功率。

国产炉拉制Φ>76.2mm无位错FZ硅单晶的两种工艺热场分析

对国产设备试制及生产Φ＞７６．２ｍｍ无位错ＦＺ硅单晶的两种最为稳定的工艺热场作了较全面的分析总结。

FZ硅单晶中氧对晶体寿命的贡献——少子复合机构的转变

本文介绍了FZ硅单晶中由于氧的引入而引起晶体中微缺陷数量的变化,以及氧与微缺陷、杂质间的相互作用而形成络合物,使得硅中缺陷、杂质能级发生变化,而改变少于复合形式,从而使得晶体寿命随之变化.提出了特长寿命中少子复合的模拟.

影响区熔硅单晶电阻率均匀性的主要因素

通过对弯曲的结晶界面的研究,分析其对分凝系数、分凝方向及界面杂质分布的影响;通过改变拉晶参数以改变结晶界面的弯曲程度,减小分凝系数的变化及径向分凝的强度。分析影响电阻率均匀性的主要因素,改变其生产工艺。

Φ105mm区熔硅单晶的生长工艺研究

介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10

我国半导体硅材料的新发展

本文综述了我国高速发展的硅材料最新研究发展状况和硅材料的生产和市场状况。指出了国内目前存在的差距,并提出了发展我国硅材料的建议。