高阻NTD-FZ-Si-P^+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性

报导了高阻（８１～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤＦＺＳｉＰ＋ｎ结中电子辐照缺陷态的退火特性。在Ｎ２气氛保护下进行等时、等温退火，测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命，并对结果进行了分析讨论。

杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究

对区熔Si单晶样品的轴向、径向以及生长界面的电阻率进行了测试,分析了影响电阻率均匀性的主要因素。结果表明,通常认为的影响电阻率均匀性的因素,并不是决定性因素。本文从FZ单晶在生长过程中,杂质在轴向和侧向分凝的角度进行分析,认为由于晶体原子的侧向生长,产生的杂质侧向分凝,是电阻率分布不均匀的主要原因。大量生产实验表明,生长过程中改变常规生长参数对提高均匀性的作用并不明显,要想从本质上提高电阻率径向均匀性,只能尝试非常规的技术。

高阻真空区熔硅单晶的生长

介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3～5)×103Ω.cm及(1～2)×104Ω.cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3～5)×103Ω.cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型区熔掺杂。单晶直径30～35 mm,晶向<111>。经检测无位错及漩涡缺陷,单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上。

电子辐照高阻NTD FZ Si中缺陷态的退火特性

报导了电子辐照高阻NTD－FZ－Si中缺陷态的退火特性。分别采用真空和N2气保护下进行等时、等温退火，测量了它们的DLTS港和相应的少数载流子寿命，对两种退火气氛的实验结果进行了分析讨论。

生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响

分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、(1.5～4.5)×103Ω.cm和P型、(1.0～5.0)×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为<111>。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈几何结构(包括上下表面角度、内径尺寸及台阶设计)基本相同、单晶生长速率相同且上、下晶轴旋转具有相同配置的情况下,不同的单晶生长系统所生长的单晶,其电阻率径向均匀性有明显差异,用L4575-ZE区熔炉生长的单晶的电阻率径向分布更均匀。

高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化

在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%以内,当生长工艺参数改变时,单晶少子寿命的径向分布规律虽然会有所不同,但对少子寿命径向均匀性的影响却几乎可以忽略。而在真空环境、不同工艺参数下生长的单晶,其少子寿命的径向分布及均匀性的变化则十分的明显,还会经常看到中心少子寿命400~500μs、边缘区域少子寿命高于1 000μs的单晶。本文在单晶生长试验的基础上,通过对产生这种现象的原因进行分析,确定了采用适当地降低晶体生长速率、提高加热功率的方法,可以使高阻真空区熔硅单晶中心区域的少子寿命的提高,并使其径向分布变均匀。

区熔硅单晶掺杂技术概述

区熔硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整性、高纯度、高均匀性及大直径化提出了较高的要求。随着电力电子器件快速发展,市场需求急剧增加,为了深入的研究并应用掺杂技术,对几种掺杂工艺进行了分析和探讨。

在国产炉上研制区熔D101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求FZ硅单晶直径进一步增大。大直径FZ硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产D1 0 1mmFZ硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索 ,成功实现了在国产设备上拉制D1 0 1mmFZ硅单晶。填补了空白 ,节约了外汇 。

半导体硅材料的进展与发展趋势

本文叙述了近年来国际国内半导体材料的发展情况及未来的发展方向，同时叙述了半导体工业对硅材料的要求，并提出了我国发展硅材料的建议。

我国半导体硅材料的发展现状

叙述了我国半导体硅材料的发展现状及与国外相比存在的差距 。

直径52～65mm探测器级Si单晶的真空制备

为了制备纯度11N以上、直径φ大于45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径超高纯单晶Si材料，本文在真空气氛下提纯并生长垂52～65mm探测器级区熔（FZ，float zone）Si单晶，并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高断面电阻率不均匀率和漩涡缺陷等问题的产生原因和解决方式进行了深入研究。结果表明，丹麦加热线圈表面带有台阶和十字开口，是提纯和生长φ大于45mm多晶Si和单晶Si的理想线圈；适当提高单晶转速和生长速度有利于降低断面电阻率不均匀率，且提高转速的效果更加明显；真空气氛下，提高热场对中性可抑制漩涡缺陷的产生，其对漩涡缺陷的影响比单晶Si生长速度更加显著，这是与Ar气气氛FZ不同的；多晶Si提纯次数越多单晶Si寿命越低，降低多晶Si原料中的P／B和重金属原始含量有利于提高单晶2Si寿命；若要制备少子寿命大于800μs，符合探测器级标准的φ52～65mm Si单晶，多晶Si原料少子寿命应大于3000μs。