1
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高阻NTD-FZ-Si-P^+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性 |
董友梅
戴培英
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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1999 |
0 |
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2
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杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究 |
刘洪飞
索开南
董军恒
刘燕
刘洪
高岗
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
3
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3
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高阻真空区熔硅单晶的生长 |
闫萍
陈立强
张殿朝
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
6
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4
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电子辐照高阻NTD FZ Si中缺陷态的退火特性 |
董友梅
戴培英
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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1998 |
2
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5
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生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响 |
闫萍
索开南
庞炳远
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《电子工业专用设备》
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2011 |
2
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6
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高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化 |
闫萍
张殿朝
索开南
庞炳远
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
0 |
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7
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区熔硅单晶掺杂技术概述 |
庞炳远
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《电子工业专用设备》
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2011 |
1
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8
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在国产炉上研制区熔D101mm硅单晶 |
魏斌
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《四川有色金属》
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2003 |
0 |
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9
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半导体硅材料的进展与发展趋势 |
蒋荣华
肖顺珍
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《四川有色金属》
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2000 |
6
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10
|
我国半导体硅材料的发展现状 |
蒋荣华
肖顺珍
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《半导体情报》
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2001 |
6
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11
|
直径52~65mm探测器级Si单晶的真空制备 |
蒋娜
万金平
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《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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