MOS器件在不同源辐照下总剂量效应的异同性研究

介绍了加固型CMOS电路在60Co-γ射线源、10MeV以下的质子、1～2MeV的电子等辐射源辐照下的总剂量效应实验。结果表明,在相同吸收剂量和+5V栅压的偏置条件下,1MeV的电子与60Co-γ射线源对器件的损伤相当。质子与60Co-γ射线源对器件的辐射损伤,在不同的栅压偏置下有不同的结果。+5V栅压下,能量在10MeV以下的质子对器件的损伤小于60Co-γ射线源,且质子对器件的辐射损伤随着质子能量的增加而增加;在零栅压的偏置条件下,质子对器件的损伤与60Co-γ射线源对器件的损伤相当。通过对实验结果的分析认为,用实验室常用的60Co-γ射线源可以模拟MOS器件在质子、电子辐射环境下的最劣总剂量效应。