不同Li／NbZr：Fe：LiNbO3晶体的生长及光折变效应的研究

采用Czochralski技术生长不同Li/Nb双掺杂Zr:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光学均匀性和抗光折变能力。Zr:Fe:LiNbO3晶体双折射梯度比Fe:LiNbO3晶体降低一个数量级,抗光折变能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,发现Zr4+在LiNbO3中具有抗光折变能力。采用二波耦合光路测试不同Li/Nb的Zr:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间并计算了动态范围和灵敏度,Zr:Fe:LiNbO3晶体的响应速度,灵敏度和动态范围都比Fe:LiNbO3晶体高,它的全息存储性能优于Fe:LiNbO3晶体。

近化学计量比In:Fe:LiNbO3晶体光学性能的研究

采用助溶剂法以TSSG技术生长近化学计量比SIn:Fe:LiNbO3晶体.测试S In:Fe:LiNbO3晶体的晶格常数,SIn:Fe:LiNbO3晶体的晶格常数既小于LiNbO3晶体也小于In:Fe:LiNbO3晶体.晶格常数的变化是由于Li+取代反位铌NbLi4+和占据锂空位引起的.测试SIn:Fe:LiNbO3晶体的红外光谱,OH-吸收峰移到3503.cm-1,测试SIn:Fe:LiNbO3晶体的指数增益系数Γ,SIn:Fe:LiNbO3晶体的Γ值达到28cm-1,高于In:Fe:LiNbO3晶体.

Ce:Fe:LiNbO3晶体光栅热固定的研究

在LiNbO3晶体中掺进CeO2和Fe2O3,以Czchralski法生长Ce:Fe:LiNbO3晶体,对晶体进行氧化还原处理.测试Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收光谱,发现Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.氧化态的Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对还原态的Ce:Fe:LiNbO3晶体发生紫移.采用热固定法测试Ce:Fe:LiNbO3晶体(氧化,生长,还原)的显影效率.Ce:Fe:LiNbO3晶体(还原)的显影效率低于Ce:Fe:LiNbO3晶体(氧化)的显影效率.测算并推导出热固定光栅在常温下的寿命.

Fe：Mn：LiNbO3晶体的生长及光学性能研究

采用坩埚下降法生长了掺杂Fe^3＋和Mn^2＋的LiNbO3单晶。晶体经极化处理后，用X-射线衍射仪测试了晶体的晶格常数，讨论了掺杂离子对晶格常数的影响。利用二渡耦合实验测试了晶体的指数增益系数、衍射效率和响应时间，结果表明：Fe：Mn：LiNbO3晶体的最大指数增益系数达到40cm^-1，Fe：Mn：LiNbO3的最大衍射效率分别为76％，二波耦合响应时间为2．5min。Fe：Mn：LiNbO3是一种性能优良的光折变晶体。

交变极化改善重掺Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体光折变性能及体全息存储特性研究

生长了Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体，对晶体进行了多次交变极化，有效的提高了Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体的光折变性能，使得Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体的响应速度大大加快，散射噪声减小，体全息存储图像质量得到较大改善。

不同[Li]/[Nb]Hf:Mn:Fe:LiNbO3晶体的生长及光学均匀性的研究

采用单晶提拉法生长了不同[Li]/[Nb]([Li]/[Nb]=0.946,1.05,1.20,1.38)的Hf:Mn:Fe:LiNbO3单晶。为了解释不同[Li]/[Nb]对于Hf:Mn:Fe:LiNbO3单晶缺陷结构的影响,测试了Hf:Mn:Fe:LiNbO3单晶的分凝系数及不同[Li]/[Nb]的Hf:Mn:Fe:LiNbO3单晶的双折射梯度。实验结果表明,[Li]/[Nb]=1.38的Hf:Mn:Fe:LiNbO3晶体中Hf^4+离子分凝系数增加并趋近于1,随着熔体中的[Li]/[Nb]增加,晶体中的[Li]/[Nb]增加,[Li]/[Nb]=1.38的Hf:Mn:Fe:LiNbO3晶体具有较好的光学均匀性,结合本文LiNbO3晶体的占位机制和锂空位缺陷解释了这一实验结果。

Zn∶Fe∶LiNbO_3晶体全息存储性能研究

以提拉法生长Zn(1mol% )∶Fe∶LiNbO3,Zn(4mol % )∶Fe∶LiNbO3,Zn(7mol% )∶Fe∶LiNbO3晶体 Zn∶Fe∶LiNbO3晶体随着Zn2 + 浓度的增加 ,抗光致散射能力增加 ,Zn(7mol% )∶Fe∶LiNbO3晶体抗光致散射能力比Fe∶LiNbO3晶体提高两个数量级以上 测试了Zn∶Fe∶LiNbO3晶体衍射效率、响应时间 以Zn(7mol % )∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储元件 ,Zn(4mol% )∶Fe∶LiNbO3晶体作为位相共轭镜 ,进行全息关联存储试验 试验结果显示出成像质量好、图像清晰完整、噪音小等优点 研究了Zn∶Fe∶LiNbO3晶体全息存储性能增强的机理 Zn(4mol% )

Mg:Ce:Fe:LiNbO_3晶体生长及其全息存储性能

在同成分LiNbO3(LN)中,掺入MgO的摩尔分数分别为0,2%,4%,6%,掺入(质量分数)0.1%CeO2和0.08%Fe2O3,采用提拉法生长了优质的Mg:Ce:Fe:LN晶体。检测了Mg:Ce:Fe:LN晶体的红外透射光谱和光损伤阈值。结果表明:6%Mg:0.1%Ce:0.08%Fe:LN晶体的OH-振动吸收峰紫移到3532cm-1,其光损伤阈值比Ce:Fe:LN晶体提高2个数量级以上。用二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间。计算了光折变灵敏度和动态范围。结果表明:Mg:Ce:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体和Ce:Fe:LN晶体。以4%Mg:0.1%Ce:0.08%Fe:LN晶体作为全息记录材料,实现了总存储页面为3200幅图像的存储,再现图像清晰完整。

Mg^(2+)对Fe∶LiNbO_3晶体光折变响应时间的影响

在 Fe∶Li Nb O3 中掺进 3 mol%和 6mol% Mg O,生长了 Mg∶Fe∶L i Nb O3 晶体 .测试了 Mg∶Fe∶Li Nb O3 晶体抗光致散射能力、衍射效率、响应时间和光电导 .推导响应时间与光电导之间的关系 .在 Fe∶Li Nb O3 晶体中掺进 6mol%的 Mg2 + ,它的抗光致散射能力比Fe∶L i Nb O3 晶体提高一个数量级 ,响应速度比 Fe∶Li Nb O3

Mg∶Fe∶LiNbO_3晶体的生长及光学性能研究

在Fe∶LiNbO3中掺进MgO和Fe2 O3以提拉技术生长Mg∶Fe∶LiNbO3晶体 对晶体进行极化和还原处理 测试晶体的吸收光谱 ,Mg∶Fe∶LiNbO3晶体吸收边相对Fe∶LiNbO3晶体发生紫移 测试晶体的红外光谱 ,Mg∶(5mol % )Fe∶LiNbO3晶体OH 吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的 3482cm- 1移到35 34cm- 1 采用锂空位模型阐述Mg∶Fe∶LiNbO3晶体 ,吸收边和OH- 吸收峰移动的机理 测试晶体的抗光致散射能力 Mg∶(5mol% )Fe∶LiNbO3晶体抗光致散射能力比Fe∶LiNbO3晶体提高一个数量级以上 测试晶体的衍射效率和响应时间

Zn:Fe:LiNbO_3晶体的生长及其光学性能的研究

在LiNbO3中掺进ZnO和Fe2O3,以Czochralski技术生长Zn(7mol%):Fe(0.03%):LiNbO3,Zn(3mol%):Fe(0.03%):LiNbO3和Fe(0.03%):LiNbO3晶体。测试晶体的吸收光谱,Zn:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对Fe:LiNbO3晶体发生紫移。测试晶体的红外光谱,Zn(7mol%):Fe:LiNbO3晶体OH-吸收峰移到3529cm-1。测试晶体抗光致散射能力,Zn(3mol%):Fe:LiNbO3晶体抗光致散射能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,Zn(7mol%):Fe:LiNbO3晶体比Fe:LiNbO3晶体高二个数量级。测试晶体的衍射效率和响应时间,Zn:Fe:LiNbO3晶体响应时间缩短,衍射效率降低。对吸收边和OH-吸收峰移动的机理,以及Zn:Fe:LiNbO3晶体抗光致散射能力增强的机理进行了研究。

Zr:Fe:LiNbO_3晶体全息存储性能的研究

生长并测试了Zr∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱、抗光折变损伤阈值及全息存储性能。研究发现,6%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体抗光折变损伤阈值比Fe∶LiNbO3晶体高1个数量级,红外光谱中OH-吸收峰也从Fe∶LiNbO3晶体的3 483 cm-1移到3 488 cm-1。其全息存储性能除衍射效率比Fe∶LiNbO3晶体轻微下降外,写入时间、擦除时间和光折变灵敏度皆优于Fe∶LiNbO3晶体,尤其是其中2%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体的动态范围比Fe∶LiNbO3晶体高2.5倍,用2%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体作为全息存储介质,实现了晶体中一个公共体积中1 000幅数字图像体全息图的存储与恢复。

Fe:LiNbO_3单晶的坩埚下降法生长及其成分不均匀性研究

本文报道了用坩埚下降法生长Fe:LiNbO3晶体的新工艺。通过选择合适的原料配比、控制固液界面的温度梯度为20～40℃/cm及晶体生长速度0.8～1.5mm/h,生长出掺杂0.04mol%Fe2O3的无宏观缺陷LiNbO3单晶。XRD图谱和DTA曲线用来表征所得晶体,并且测定了从晶体下部到上部的紫外可见吸收光谱。结果表明:沿生长方向,晶胞参数a、c增大,熔点降低,晶体中的Fe2+浓度呈增加趋势,作者分析了造成成分不均匀分布的原因。

Li/Nb比变化对Ce:Fe:LiNbO_3晶体的光折变性能的影响

在LiNbO3晶体中掺进0.1wt%CeO2和0.03wt%Fe2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比(0.94、1.20、1.40)Ce:Fe:LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体是化学计量比。测试了不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力,得到随着Li/Nb比的增加,晶体的抗光损伤能力增加。研究了晶体抗光损伤能力增强的机理。随着Li/Nb比的增加,晶体的响应速度和光折变灵敏度增加。测试不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体位相共轭效应,利用产生的位相共轭光波消除图像的位相共轭畸变。利用Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体做记录介质,Li/Nb=1.20的Ce:Fe:LiNbO3晶体作位相共轭镜进行全息关联存储实验。实验结果表明,存储系统具有实时处理,成像质量好,信噪比高和可反复使用的优点。

Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体光折变效应的研究

在 L i Nb O3中掺入 Fe2 O3和 Mn CO3生长 Mn∶ Fe∶ L i Nb O3晶体 ,对晶体进行极化处理及氧化还原处理。测试晶体的吸收光谱、指数增益系数、衍射效率和有效载流子浓度。结果表明 ,经还原处理的 Mn∶ Fe∶ L i Nb

In∶Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体光全息存储性能

采用提拉法(Czochralski method)生长In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,并测试紫外可见光谱和抗光损伤能力。利用二波耦合方法测试晶体的响应时间、最大衍射效率、擦除时间,然后计算出光折变灵敏度和动态范围。采用双光子固定方法在Mn∶Fe∶LiNbO3和In(lmol%)∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体中实现非挥发性存储。结果表明随着In3+离子掺入量的增加,In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体吸收边发生紫移,其抗光损伤能力增强,In(lmol%)∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的写入时间仅仅是Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的5/8.

Fe∶LiNbO_3晶体中全息图的选择性擦除研究

研究选择性擦除的原理和方法 .针对铌酸锂晶体中定影全息图和未定影全息图的特点 ,介绍相应的选择性擦除的原理和在物光和参考光中引入π相位差的几种方法 .通过引入π相位差记录互补全息图 ,利用全息图及其互补全息图的非相干叠加 ,消除原全息图对晶体折射率的调制 ,从而实现对未定影全息图的选择性擦除 .实验中实现了在晶体中某一数据页面内部分数据的擦除 ,并从理论上对实验结果进行了分析 .

Zn:Fe:LiNbO_3晶体全息干涉计量的研究

以Zn :Fe :LiNbO3作为记录介质 ,Cu :KNSBN晶体作为自泵浦位相共轭镜 ,实现双曝光实时干涉计量。用于无损检测系统中 ,测量精度高 ,误差小。Zn :Fe :LiNbO3晶体的抗光致散射能力和响应速度皆优于Fe :LiNbO3晶体。

Sc:In:Fe:LiNbO_3晶体的生长及全息关联存储的研究

在Fe:LiNbO3中掺进Sc2O3和In2O3采用Czochralski技术生长Sc:In:Fe:LiNbO3晶体。测试Sc:In:Fe:LiNbO3晶体的红外光谱和抗光致散射能力。Sc(1mol%):In(2mol%):Fe:LiNbO3晶体OH-吸收峰移到3508cm-1,抗光致散射能力比Fe:LiNbO3晶体提高二个数量级。对Sc(1mol%):In(2mol%):Fe:LiNbO3晶体OH-吸收峰移动机理和抗光致散射能力增强的机理进行讨论。以Sc(1mol%):In(2mol%):Fe:LiNbO3晶体作存储元件,以Cu:KNSBN晶体作为位相共轭镜进行全息关联存储,试验结果表明全息关联存储的成象质量高、图象清晰完整、噪音小。

基于化学计量比Mg:Fe:LiNbO_3的全息存储系统

以K_2O为助熔剂,采用顶部籽晶熔融法成功地生长出近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO_3(Mg∶Fe∶SLN)晶体。测量了晶体的紫外吸收光谱及响应时间,且和同成分Fe∶LiNbO_3(Fe∶CLN)晶体作了比较。结果表明,Mg∶Fe∶SLN晶体更适于作为全息存储器来应用。针对全息存储中固有的高原生误码率问题,采用快速响应矩阵码(QR)编码技术对原始数据进行编码,缓解了对系统设计和部件质量等方面的压力。以Mg∶Fe∶SLN晶体作为存储介质,构建了体全息存储系统,将QR码编、译码技术用于包含音频和视频的多媒体数据的全息存储,重构数据能成功回放。