基片温度对Fe-N化合物薄膜制备及磁性能的影响

用X射线衍射仪和振动样品磁强计研究了双离子束溅射法制备的Fe-N薄膜的相组成和磁性能。结果表明 ,基片温度对不同基片上制得的薄膜的结构和磁性能有显著影响。基片温度为250℃和300℃时 ,在 (111)硅片基片上制得无晶粒择优取向的单一γ′-Fe4N相 ;基片温度为160℃时 ,可在玻璃基片上制得具有 (100)面晶粒取向的单一γ′-Fe4N相薄膜。薄膜磁性测量表明 ,与无晶粒择优取向的γ′-Fe4N相比较 ,具有 (100)面晶粒取向的γ′-Fe4N相的矫顽力较低 ,易达到磁饱和 。