Ni80 Fe20薄膜的参数对其各向异性电阻率的影响

用C6型电子束真空镀膜仪，在不同沉积束流、不同基片温度下制备Ni80 Fe20薄膜，并对室温沉积的薄膜样品在不同温度下进行真空退火处理，用来研究不同束流对薄膜厚度的影响和不同束流对薄膜各向异性电阻率的影响以及不同退火温度对AMR的影响。实验结果表明在高真空，电子束蒸发制备的Ni80 Fe20在恒定温度下薄膜的厚度是随着束流的增大线性增加的，且在60～100mA的区间内束流越大膜的AMR越大。恒温下，沉积速流速率与束流大小是成正比关系的。退火可以有效增加薄膜的各向异性电阻率，平均每提高100℃各向异性电阻率增加12．5％。而在突变退火区，AMR并不是完全随退火温度线形增加的，而是呈现出一定的波动性，目前推测影响薄膜AMR的因素是晶体形状的各向异性、薄膜的内禀力和磁晶各向异性的共同作用结果。

磁场退火温度对Ni_(80)Fe_(20)薄膜磁畴结构的影响研究

利用电子束真空蒸发方法制备了厚度100nm的Ni80Fe20薄膜,研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构的影响。利用振动样品磁强计测量了磁滞回线,利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构。结果表明:磁畴结构为明显的条状畴,磁畴宽度最大值约为860nm;随着磁场退火温度的升高,磁畴取向趋于沿垂直膜面方向,退火温度为600℃时,沿着主畴的畴壁形成了细小的横向细畴结构。

基片温度对Ni_(80)Fe_(20)薄膜结构和各向异性磁电阻的影响

本文用磁控溅射方法制备出一系列Ni80Fe20磁性薄膜，研究不同基片温度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。基片温度在150～180℃时制备的Ni80Fe20薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场。X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量结果表明，基片温度通过改变薄膜的晶体结构、晶粒大小和均匀性等微观结构改变薄膜的零场电阻率和各向异性磁电阻，文章对实验结果做出了详细分析。

工艺参量对Ni_(80)Fe_(20)薄膜结构与磁电阻特性的影响

NiFe薄膜在室温下具有较高的各向异性磁电阻率．可广泛应用于磁记录和磁传感器,本文研究了工艺条件对电子束蒸发方法制备的Ni80Fe20薄膜磁电阻特性及微结构的影响,获得了制备各向异性磁电阻率达3％～4％的Ni80Fe20薄膜的工艺条件.

溅射条件对Ni_(80)Fe_(20)薄膜各向异性磁电阻的影响

研究了基片温度和溅射气压对磁控溅射方法制备的Ni80Fe20磁性薄膜各向异性磁电阻的影响.实验发现基片温度是影响Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻最重要的因素.在较高的基片温度下,溅射气压对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻也有较大的影响.基片温度在150～180℃,溅射气压在0.3～0.5 Pa范围内制备的Ni80Fe20薄膜有较大的各向异性磁电阻（3.7%～4.3%）.

溅射气压对Ni_(80)Fe_(20)薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响

为改善Ni80Fe20薄膜的性能,研究不同溅射气压对薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响。用磁控溅射方法制备Ni80Fe20薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析其结构,用四探针方法测量其各向异性磁电阻。实验研究发现,较高的溅射气压下制备的Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻比较低,薄膜磁化到饱和需要的磁场也比较大。在较低的溅射气压(0.2、0.5 Pa)下制备的Ni80Fe20薄膜具有较高的各向异性磁电阻3.7%和4.2%,而且饱和磁化场低(低于1kA/m)。分析结果表明随着溅射气压的变化,Ni80Fe20薄膜的晶格常数、颗粒大小和均匀性等微结构发生变化,导致薄膜的各向异性磁电阻效应差别很大。

基片表面粗糙度对坡莫合金AMR以及磁性能的影响

利用霍尔离子源轰击Si基片获得了不同表面粗糙度的基片,然后利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(5nm)/Ni 80Fe 20(12nm)/Ta(2nm)薄膜样品,重点研究了基片表面粗糙度对薄膜结构和各向异性磁阻效应的影响。采用AFM测量基片的表面粗糙度,采用四探针法测量薄膜的各向异性磁阻效应。研究结果表明,随着基片表面粗糙度的增加,坡莫合金的AMR值显著降低,且ΔH显著增加。