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FeMn粉末触媒制备及金刚石合成条件的研究 被引量:3
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作者 赵文东 徐骏 +2 位作者 张少明 赵新明 朱学新 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期888-894,905,共8页
利用气雾化法制备了FeMnX1、FeMnX2NiY2、FeMnX2CoY2(X1=X2+Y2,X2>Y2,0<Y2≤10)粉末触媒。利用金相显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪对粉末进行了表征。分析表明:制备的粉末大多为球形颗粒,D50约为23.6μm,晶格常数约为0.36108nm;... 利用气雾化法制备了FeMnX1、FeMnX2NiY2、FeMnX2CoY2(X1=X2+Y2,X2>Y2,0<Y2≤10)粉末触媒。利用金相显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪对粉末进行了表征。分析表明:制备的粉末大多为球形颗粒,D50约为23.6μm,晶格常数约为0.36108nm;按触媒与石墨粉的比例为4∶6制备合成柱并进行了合成实验,结果表明用FeMn基粉末触媒合成金刚石的温度、压力均要高于使用FeNi30触媒,在5.4~5.6GPa压力、温度高于1450℃时才可以合成出金刚石,添加Y2%的Ni或Co元素后合成温度和压力稍微降低,且金刚石形核量有所增加。此外,利用晶体的价电子结构和界面电子密度连续理论分析了不同的M3C型碳化物对合成条件的影响,解释了FeMn基触媒合成金刚石条件高于FeNi触媒的原因。 展开更多
关键词 femn触媒 金刚石合成条件 M3C型碳化物 价电子结构
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Fe含量对CuNi10FeMn1合金组织与性能的影响 被引量:8
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作者 姜雁斌 谢建新 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期1659-1667,共9页
研究Fe含量(1.05%~2.44%,质量分数)对CuNi10FeMn1合金组织、微观偏析、耐海水冲刷腐蚀性能和力学性能的影响,采用SEM、能谱和XPS等手段分析合金的腐蚀产物膜。结果表明:CuNi10FeMn1合金中Ni、Fe元素易于富集在枝晶干,Mn元素易于富集在... 研究Fe含量(1.05%~2.44%,质量分数)对CuNi10FeMn1合金组织、微观偏析、耐海水冲刷腐蚀性能和力学性能的影响,采用SEM、能谱和XPS等手段分析合金的腐蚀产物膜。结果表明:CuNi10FeMn1合金中Ni、Fe元素易于富集在枝晶干,Mn元素易于富集在枝晶间;随着Fe含量的增加,合金组织明显细化,α固溶体中的Fe含量增加;当Fe含量从1.05%增大至1.80%时,Ni、Fe元素的偏析比分别由0.49和0.45增大到0.77和0.61,偏析程度下降;当Fe含量继续增大时,Ni、Fe元素的偏析比则下降为0.62~0.65和0.49~0.51,偏析程度也随之增加。随着Fe含量的增加,合金的腐蚀速率呈先减小后增大的趋势,当Fe含量为1.80%时,合金腐蚀速率最小,表面形成致密的、缺陷较少的富Fe、Ni的腐蚀产物膜,对基体的保护作用增强,是其具有良好耐海水冲刷腐蚀性能的主要原因。随着Fe含量的增加,CuNi10FeMn1合金的抗拉强度和屈服强度由Fe含量为1.05%时的245和90MPa分别增大到Fe含量为2.44%时的303和151MPa,而断后伸长率由39.2%下降到32.8%。 展开更多
关键词 CuNi10femn1合金 Fe含量 微观偏析 冲刷腐蚀性能
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织构和界面粗糙度对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响 被引量:1
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作者 李明华 于广华 +2 位作者 朱逢吾 姜宏伟 赖武彦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期160-161,168,共3页
采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜 (分别以Ta、Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层 )。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大 ,而矫顽力却很小。我们从织构、界面粗糙度两... 采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜 (分别以Ta、Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层 )。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大 ,而矫顽力却很小。我们从织构、界面粗糙度两方面对其中的原因进行了分析。以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜有好的织构且NiFe/FeMn界面较平滑 ,这引起了较强的交换偏置场和较低的矫顽力。 展开更多
关键词 NiFe/femn 交换偏置场 织构 界面粗糙度 双层膜
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CaCl_2-NaCl熔盐电解MnO_2-Fe_2O_3制备FeMn_4合金粉末 被引量:2
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作者 高筠 毛磊 王岭 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2009年第4期6-10,共5页
提出了以MnO2-Fe2O3为原料经一步熔盐电解得到FeMn4粉末工艺,具有工艺流程短、低能耗、无环境污染等特点。采用850℃的NaCl-CaCl2混合熔盐体系,以烧结后的MnO2-Fe2O3片作为阴极,高密度石墨碳棒作阳极,在一定槽电压下进行电解。记录电解... 提出了以MnO2-Fe2O3为原料经一步熔盐电解得到FeMn4粉末工艺,具有工艺流程短、低能耗、无环境污染等特点。采用850℃的NaCl-CaCl2混合熔盐体系,以烧结后的MnO2-Fe2O3片作为阴极,高密度石墨碳棒作阳极,在一定槽电压下进行电解。记录电解过程中电流变化,利用X射线衍射仪分析电解产物的成分,扫描电子显微镜观察电解产物形貌,激光粒度分析仪测定粉末的粒度。研究了不同的烧结温度、电解电压、电解时间、粒度对电脱氧反应的影响。结果表明,采用熔盐电解固体MnO2-Fe2O3直接制备出高纯度的立方体晶格FeMn4粉末(平均粒径D50为16.95μm),其适宜工艺条件为:球磨3 h(平均粒径D50为6.454μm),成形压力20 MPa,烧结温度800℃,烧结时间5 h,3.20 V的槽电压、850℃的CaCl2-NaCl熔盐中电解18 h。 展开更多
关键词 熔盐 电解 femn4 MNO2 FE2O3
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FeMn基粉末触媒的性能及在金刚石合成中的应用 被引量:1
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作者 赵文东 赵新明 +1 位作者 盛艳伟 徐骏 《超硬材料工程》 CAS 2015年第3期11-16,共6页
文章利用气雾化方法制备了Fe100-Χ-YMnYNiΧ(Χ﹤Y,Y=Y1,Y2,Y3)三种触媒,利用金相显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪对粉末的性能进行了检测,分析表明:制备的粉末均为面心立方结构单相固溶体,点阵常数约为0.36nm,接近于金刚石的晶格常数... 文章利用气雾化方法制备了Fe100-Χ-YMnYNiΧ(Χ﹤Y,Y=Y1,Y2,Y3)三种触媒,利用金相显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪对粉末的性能进行了检测,分析表明:制备的粉末均为面心立方结构单相固溶体,点阵常数约为0.36nm,接近于金刚石的晶格常数。与石墨不同配比的合成实验表明:Mn含量为Y3时,合成的金刚石呈团粒状结构(CSD),石墨转化率达到70%以上;此种金刚石堆积密度、静压强度、冲击强度和形貌与元素六的PDA产品相当;制备的树脂砂轮耐磨性比普通金刚石磨料砂轮提高了80%,加工光洁度Ra达到0.34μm以下;与当前合成CSD磨料常用的Ni基触媒相比,该触媒成本较低,有较好的应用前景。 展开更多
关键词 触媒 自锐性金刚石 femn 低成本
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杂质元素对FeMn合金阻尼性能的影响
6
作者 滕劲 李宁 +2 位作者 黎为 文玉华 黄姝珂 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期208-212,共5页
采用倒扭摆测试2种杂质含量不同的FeMn合金的阻尼性能,XRD测试合金的层错几率和ε马氏体体积分数,以了解材料纯洁度对FeMn合金阻尼性能的影响。采用OLYMPUS金相显微镜观察合金的微观组织。结果表明,2种合金的阻尼性能都随应变振幅的增... 采用倒扭摆测试2种杂质含量不同的FeMn合金的阻尼性能,XRD测试合金的层错几率和ε马氏体体积分数,以了解材料纯洁度对FeMn合金阻尼性能的影响。采用OLYMPUS金相显微镜观察合金的微观组织。结果表明,2种合金的阻尼性能都随应变振幅的增加而呈线性增加;杂质含量对FeMn合金阻尼性能影响较大,杂质含量为0.722%的2#合金与杂质含量为0.235%的1#合金相比,在应变振幅为4.5×10-4时其对数衰减率降低了近20%。这是由于杂质元素含量越多,Shockley不全位错上的弱钉扎点就越多,脱钉运动的阻碍就越大,合金阻尼性能也就越低。 展开更多
关键词 femn合金 阻尼合金 阻尼性能 Shockley不全位错
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插层Bi对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响及其XPS分析
7
作者 李明华 于广华 +2 位作者 朱逢吾 曾德长 赖武彦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1834-1836,共3页
在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低。为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层。实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层... 在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低。为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层。实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场提高1倍。XPS分析表明,在Cu/NiFe界面沉积的插层Bi有效地抑制了Cu在NiFe表面的偏聚,提高了交换偏置场。 展开更多
关键词 NiFe/femn 交换偏置场Hex 表面偏聚 Bi插层
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添加Si对FeMn阻尼合金组织及性能的影响 被引量:2
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作者 冯再 李海英 《四川有色金属》 2011年第2期40-43,共4页
采用倒扭摆测试仪、SEM、TEM等方法研究了添加Si对FeMn阻尼合金组织和性能的影响。结果表明,Si的加入增加了FeMn合金的层错和ε马氏体片层的数量,但由于马氏体片的交叉及Si引起的晶格畸变都阻碍了合金阻尼源界面的移动,使得合金阻尼性... 采用倒扭摆测试仪、SEM、TEM等方法研究了添加Si对FeMn阻尼合金组织和性能的影响。结果表明,Si的加入增加了FeMn合金的层错和ε马氏体片层的数量,但由于马氏体片的交叉及Si引起的晶格畸变都阻碍了合金阻尼源界面的移动,使得合金阻尼性能降低;预变形后Fe-19Mn合金阻尼性能呈现先增加后降低的趋势,而Fe-19Mn-1.5Si合金阻尼性能则呈现先增加而后趋于平稳的趋势。这主要是由于适量的变形增加了合金的层错及马氏体数量,而大变形由于马氏体的交割及位错的滑移会钉扎了阻尼源界面,导致阻尼性能降低。Si的加入强化了基体,变形量对马氏体交割及位错滑移影响不大。 展开更多
关键词 femn合金 阻尼性能 ε-马氏体 层错
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不同缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换耦合场的影响
9
作者 李明华 于广华 +2 位作者 朱逢吾 姜宏伟 赖武彦 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期65-68,共4页
采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜 ,分别以Ta ,Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大 ,而矫顽力却很小。本文分别从织构、界面粗糙... 采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜 ,分别以Ta ,Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大 ,而矫顽力却很小。本文分别从织构、界面粗糙度、界面偏聚等几方面对其中的原因进行了分析。除不同缓冲层引起的织构、界面粗糙度不同对交换耦合场有影响外 。 展开更多
关键词 交换耦合场 织构 界面粗糙度 界面偏聚 NiFe/femn双层膜 磁控溅射 镍铁合金 铁锰合金
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FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后的微结构分析
10
作者 麦振洪 王俊 +3 位作者 丁永凡 吴忠华 王勇 刘翠秀 《北京同步辐射装置年报》 2002年第1期135-137,共3页
研究了FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜,利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征,得到结果如下:插入Bi之前,在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在,插入Bi之后,FeMnCo的... 研究了FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜,利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征,得到结果如下:插入Bi之前,在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在,插入Bi之后,FeMnCo的成分中掺入了Bi。而且,在FeMn/Co界面处Fe,Mn,和Co的元素分布不相同。 展开更多
关键词 femn/Co多层膜 BI 微结构 磁控溅射法 界面 反铁磁/铁磁交换偏置系统 测量
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缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜静态磁性能的影响 被引量:1
11
作者 邹延珂 周俊 +2 位作者 倪径 郭韦 徐德超 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2019年第4期5-6,50,共3页
采用直流磁控溅射法沉积了Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜系列样品。通过振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等检测手段研究了Ta缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜交换偏置场、矫顽力的影响。VSM测试结果表明,交换偏置场He随Ta缓冲... 采用直流磁控溅射法沉积了Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜系列样品。通过振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等检测手段研究了Ta缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜交换偏置场、矫顽力的影响。VSM测试结果表明,交换偏置场He随Ta缓冲层厚度增加而增大,矫顽力Hc随随Ta缓冲层厚度增加有减小的趋势。通过AFM检测了不同厚度Ta缓冲层上生长的NiFe层表面均方根粗糙度,发现其随Ta缓冲层厚度的增加而减小,表明NiFe/FeMn界面变得更加均匀,这导致了较大的He和较小的Hc。另外,通过XRD分析,发现随着Ta层厚度的增加Ta由非晶态转化为结晶状态并先后显示出Ta(300)、Ta(200)取向,表明随着Ta缓冲层厚度增加,其织构转变也可能会导致静态磁性的变化。 展开更多
关键词 NiFe/femn薄膜 缓冲层 交换偏置 微结构 静态磁性能
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FeMn、FeMnNa和FeMnK催化剂上合成气制低碳烯烃的比较(英文) 被引量:3
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作者 李江兵 马宏方 +3 位作者 张海涛 孙启文 应卫勇 房鼎业 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1932-1940,共9页
研究了钠、钾助剂对FeMn合成低碳烯烃催化剂结构及性能的影响.低温N2吸附、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、H2程序升温还原(H2-TPR)、CO/CO2程序升温脱附(CO/CO2-TPD)、M?ssbauer谱和CO+H2反应的研究结果表明,增加Mn助剂含量促... 研究了钠、钾助剂对FeMn合成低碳烯烃催化剂结构及性能的影响.低温N2吸附、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、H2程序升温还原(H2-TPR)、CO/CO2程序升温脱附(CO/CO2-TPD)、M?ssbauer谱和CO+H2反应的研究结果表明,增加Mn助剂含量促进了活性相的分散和低碳烯烃的生成,而过多锰助剂在催化剂表面的富集则降低了费托合成反应的CO转化率;钾助剂和钠助剂的加入均抑制了催化剂的还原并且促进了CO2和CO的吸附.比较还原后(H2/CO摩尔比为20)和反应后(H2/CO摩尔比为3.5)催化剂的体相结构可以发现,在FeMn、FeMnNa和FeMnK催化剂中,由于钾助剂的碱性和CO吸附能力较强,因此体相中FeCx的含量相对较高;而活性测试结果表明,FeMnNa催化剂拥有最好的CO转化率(96.2%)和低碳烯烃选择性(30.5%,摩尔分数). 展开更多
关键词 低碳烯烃 费托合成 铁锰催化剂 钠助剂 钾助剂
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膜厚对NiFe单层膜及NiFe/FeMn双层膜性能的影响对比研究 被引量:4
13
作者 钟秋雨 刘昕 +5 位作者 陈川 孙科 邬传健 郭荣迪 余忠 兰中文 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2020年第4期1-6,13,共7页
采用直流磁控溅射法在Si(111)基片上制备不同厚度的NiFe单层膜、NiFe/FeMn双层膜,结合原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)及电子顺磁共振(EPR)波谱仪研究了纳米膜的微观形貌、表面粗糙度、静磁性能及微波磁性能。结果表明,相对于N... 采用直流磁控溅射法在Si(111)基片上制备不同厚度的NiFe单层膜、NiFe/FeMn双层膜,结合原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)及电子顺磁共振(EPR)波谱仪研究了纳米膜的微观形貌、表面粗糙度、静磁性能及微波磁性能。结果表明,相对于NiFe单层膜,反铁磁性覆盖层FeMn的引入,使NiFe/FeMn双层膜的共振场(Hres)下降,与自旋波共振相关的有效交换场得以提升,说明在一定的外加稳恒磁场下,利用铁磁/反铁磁(FM/AF)多层膜结构所产生的钉扎效应能够提高薄膜的共振频率。在20~70 nm的NiFe薄膜厚度范围内,单层膜的共振场为1289~1354Oe,而双层膜的共振场降至1089~1118 Oe。 展开更多
关键词 NiFe单层膜 NiFe/femn双层膜 钉扎效应 共振场 形貌 磁性能
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NiFe层溅射气压对顶部钉扎NiFe/FeMn薄膜静态磁性能的影响
14
作者 邹延珂 王振 李俊 《磁性材料及器件》 CAS 2018年第4期1-3,共3页
用直流磁控溅射制备了系列Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜样品。利用振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)等手段研究了溅射气压对NiFe层交换偏置场、矫顽力、截止温度的影响。结果表明,交换偏置场随NiFe层溅射气压和NiFe层厚度的增加均减小;在较... 用直流磁控溅射制备了系列Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜样品。利用振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)等手段研究了溅射气压对NiFe层交换偏置场、矫顽力、截止温度的影响。结果表明,交换偏置场随NiFe层溅射气压和NiFe层厚度的增加均减小;在较低的NiFe层溅射气压下,可以获得具有较高交换偏置场He和较低矫顽力Hc的样品;截止温度Tb随着NiFe层溅射气压的减小而增高。通过对比研究0.8Pa、0.4Pa、0.2PaNiFe层溅射气压下NiFe/FeMn薄膜的静态磁性及微结构变化,发现以上现象是由于在较低的溅射气压能够获得较好织构的NiFe(111),进而诱导出较好取向的FeMn(111)。取向良好的NiFe/FeMn薄膜产生较大的交换偏置场和较小的矫顽力及更高的截止温度。 展开更多
关键词 NiFe/femn薄膜 溅射气压 交换偏置 微结构 静态磁性
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FeMn-Cl-LDHs水滑石对水中As(Ⅲ)的固定和机理研究 被引量:1
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作者 王文琦 王聪 +2 位作者 靳学利 郑雨 魏赛拉加 《工业水处理》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期139-146,153,共9页
砷(As)污染被认为是当前世界最严峻的环境问题之一,许多国家都存在着不同程度的As污染。砷是一种有毒元素,主要以As(Ⅴ)和As(Ⅲ)2种价态的无机物形态存在于自然环境中。相比As(Ⅴ),As(Ⅲ)的危害性更大。通过共沉淀法构建铁锰基水滑石(Fe... 砷(As)污染被认为是当前世界最严峻的环境问题之一,许多国家都存在着不同程度的As污染。砷是一种有毒元素,主要以As(Ⅴ)和As(Ⅲ)2种价态的无机物形态存在于自然环境中。相比As(Ⅴ),As(Ⅲ)的危害性更大。通过共沉淀法构建铁锰基水滑石(FeMn‒Cl‒LDHs),研究了其对水中As(Ⅲ)的固定及其机理。试验结果表明,在pH为2~8范围内,FeMn‒Cl‒LDHs对As(Ⅲ)的去除率保持在97%左右;共存离子SiO_(3)^(2-)、PO_(4)^(3-)、CO_(3)^(2-)和As(Ⅲ)存在竞争吸附,而Ca^(2+)、Mg^(2+)、NO_(3)^(-)和SO_(4)^(2-)对As(Ⅲ)的去除影响较小。FeMn‒Cl‒LDHs对As(Ⅲ)的去除过程符合拟二级动力学模型和Langmuir模型,在298 K时,FeMn‒Cl‒LDtHs对As(Ⅲ)的最大吸附量为61.86 mg/g。FeMn‒Cl‒LDHs对As(Ⅲ)的去除机理可能存在氧化还原作用、离子交换和络合。经过5次吸附‒解吸试验,FeMn‒Cl‒LDHs对水中As(Ⅲ)的去除率仍保持在90%以上。FeMn‒Cl‒LDHs对水中As(Ⅲ)的去除和毒性控制具有良好的环境应用潜力。 展开更多
关键词 femn‒Cl‒LDHs As(Ⅲ) 吸附 氧化
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STUDY OF THE EXCHANGE BIAS FIELD OF NiFe/FeMn BILAYERS
16
作者 M.H. Li1’2), G.H. Yu1). F. W. Zhu1) and W.Y. Lai2) 1)Department of Material Physics, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China 2)State Key Laboratory for Magnetism. Institute of Physics, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第2期238-242,共5页
The exchange bias field of NiFe/FeMn films with Ta/ Cu buffer was proved tobe lower than that of the films with Ta buffer. The crystallographic texture, surface roughness andelements distribution were examined in thes... The exchange bias field of NiFe/FeMn films with Ta/ Cu buffer was proved tobe lower than that of the films with Ta buffer. The crystallographic texture, surface roughness andelements distribution were examined in these two sets of samples, and there is no apparentdifference for the texture and roughness. However, the segregation of Cu atoms above NiFe surface inthe multilayer of Ta/Cu/NiFe has been observed by using the angle-resolved X-ray photoelectronspectroscopy (XPS). The decrease of the exchange bias field for NiFe/FeMn films with Ta/ Cu bufferlayers is mainly caused by the Cu atoms segregation at the interface between NiFe and FeMn. 展开更多
关键词 NiFe/femn exchange bias field TEXTURE surface roughness SURFACESEGREGATION
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Fe掺杂对ε-MnO_(2)的催化氧化甲苯性能影响 被引量:1
17
作者 杨硕 齐子韬 +3 位作者 杨春亚 王晓祥 李伟 李素静 《高校化学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期145-151,共7页
挥发性有机污染物(VOCs)的治理是环保的重要课题,催化氧化是十分有效的治理技术。为开发高效的催化剂,以甲苯为研究对象,采用简便的共沉淀法制备一系列Fe掺杂的ε-MnO_(2)催化剂。其中,Fe_(1)Mn_(5)对甲苯氧化的催化活性最高,转化率为90... 挥发性有机污染物(VOCs)的治理是环保的重要课题,催化氧化是十分有效的治理技术。为开发高效的催化剂,以甲苯为研究对象,采用简便的共沉淀法制备一系列Fe掺杂的ε-MnO_(2)催化剂。其中,Fe_(1)Mn_(5)对甲苯氧化的催化活性最高,转化率为90%时的反应温度t_(90)为237℃。此外,该催化剂表现出优异的长期运行稳定性和良好的耐水性。通过一系列表征分析,结果表明,Fe的掺杂促进了Fe_(1)Mn_(5)氧化物上氧空位的产生,提升了催化剂表面吸附氧物种比例,从而提高了其低温还原性。同时,原位红外分析结果表明,Fe掺杂所产生的表面吸附氧物种促进了甲苯甲基的快速脱氢过程,并促进芳香环中C═C键的断裂。 展开更多
关键词 催化氧化 femn氧化物 甲苯 构效关系
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Ta,Ta/Cu缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响 被引量:15
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作者 李明华 于广华 +2 位作者 姜宏伟 蔡建旺 朱逢吾 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期2230-2234,共5页
采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta Cu作为缓冲层的一系列NiFe FeMn双层膜 .实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场比以Ta Cu为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场大 .测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成... 采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta Cu作为缓冲层的一系列NiFe FeMn双层膜 .实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场比以Ta Cu为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场大 .测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分 .结果表明 ,以Ta Cu为缓冲层时 ,Cu在NiFe层的上表面偏聚是造成NiFe FeMn双层膜交换偏置场降低的重要原因 . 展开更多
关键词 交换偏置场 织构 表面粗糙度 TA Ta/Cu 缓冲层 NiFe/femn双层膜 上表面偏聚
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退火对FeMn钉扎自旋阀性质的影响 被引量:10
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作者 柴春林 滕蛟 +3 位作者 于广华 朱逢吾 赖武彦 肖纪美 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1846-1850,共5页
通过对退火后FeMn钉扎自旋阀磁性的研究表明 ,真空退火对自旋阀的性质有影响 .低于 2 0 0℃的退火能有效的提高钉扎场 ;退火温度高于 2 0 0℃时 ,自旋阀的钉扎场要下降 ,其他性能也恶化 ;在 30 0℃时 ,钉扎场降为零 ,giantmagnetoresist... 通过对退火后FeMn钉扎自旋阀磁性的研究表明 ,真空退火对自旋阀的性质有影响 .低于 2 0 0℃的退火能有效的提高钉扎场 ;退火温度高于 2 0 0℃时 ,自旋阀的钉扎场要下降 ,其他性能也恶化 ;在 30 0℃时 ,钉扎场降为零 ,giantmagnetoresistance(GMR)现象消失 .俄歇电子能谱仪 (AES)的结果表明 。 展开更多
关键词 femn钉扎 真空退火 自旋阀 晶界扩散 多层膜 计算机 硬盘 读出磁头
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(Ni_(0.81)Fe_(0.19))_(1-x)Cr_x作为种子层对NiFe/FeMn交换偏置的影响 被引量:6
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作者 滕蛟 蔡建旺 +2 位作者 熊小涛 赖武彦 朱逢吾 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期2849-2853,共5页
采用一种新的种子层材料 :(Ni0 81 Fe0 1 9) 1 -xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量 ,使得在其上生长的NiFe FeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异 ,系统研究了NiFe FeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响 .实验结果表... 采用一种新的种子层材料 :(Ni0 81 Fe0 1 9) 1 -xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量 ,使得在其上生长的NiFe FeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异 ,系统研究了NiFe FeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响 .实验结果表明 ,在FeMn的γ相 (111)织构较好的前提下 ,交换偏置场的大小与织构的差异没有关系 ;FeMn的晶粒尺寸对交换偏置场有很大影响 ,较小的反铁磁层晶粒对交换偏置场有利 ,过大的反铁磁层晶粒不利于交换偏置场 .将 (Ni0 81 Fe0 1 9) 0 5Cr0 5与传统的种子层材料Ta进行了对比 ,发现前者具有很多优点 。 展开更多
关键词 (Ni0.81Fe0.19)1-xCrx NiFe/femn 交换偏置 晶粒尺寸 织构 种子层 铁磁材料 反铁磁材料
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