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厚度对FeN薄膜结构与磁性能的影响
1
作者
李晓宇
李天明
+6 位作者
蒋运石
蒲祎涵
任勇
王皎银
闫欢
吴薄
张芦
《磁性材料及器件》
CAS
2024年第3期1-6,共6页
利用射频磁控溅射的方法在常温下制备一系列不同厚度的FeN薄膜,分析薄膜厚度对其微结构与磁特性的影响。研究表明,在常温下制备的FeN薄膜,都呈现出较为明显的非晶纳米晶结构,没有出现FeN结晶相,样品矫顽力随薄膜厚度增大先增大后减小。...
利用射频磁控溅射的方法在常温下制备一系列不同厚度的FeN薄膜,分析薄膜厚度对其微结构与磁特性的影响。研究表明,在常温下制备的FeN薄膜,都呈现出较为明显的非晶纳米晶结构,没有出现FeN结晶相,样品矫顽力随薄膜厚度增大先增大后减小。当薄膜厚度为40nm时,具备较为明显的软磁性能,且在外磁场诱导下样品呈现出明显的面内单轴磁各向异性;当厚度为80 nm时,薄膜表面呈现出条纹畴结构,面内单轴磁各向异性消失,表现出较弱的垂直磁各向异性;当厚度分别为120 nm、180 nm以及240 nm时,依然没有面内单轴各向异性,逐步呈现出迷宫畴结构。对40 nm和80 nm厚薄膜的磁谱测试结果显示,前者的自然共振频率为2 GHz,后者呈现出多个共振峰。经过430℃保温5 h条件下真空退火后所有样品都表现出明显的结晶现象,主要包含γ'-Fe_(4)N相和ε-Fe_(3)N相,其中120nm厚样品为较为纯净的γ'-Fe_(4)N相多晶薄膜。
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关键词
fen薄膜
厚度
磁性能
微结构
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职称材料
射频磁控溅射制备的FeN薄膜结构与磁性能
2
作者
李晓宇
李天明
+5 位作者
蒋运石
闫欢
张芦
张志红
王梦佳
何朝雄
《磁性材料及器件》
CAS
2023年第1期1-6,共6页
采用射频磁控溅射方法在单晶Si(100)基底上制备了一系列FeN薄膜样品,研究了N_(2)与Ar流量比、溅射电流、溅射压强、退火等工艺条件对FeN薄膜结构和磁性能的影响。研究表明,FeN薄膜结构与磁性能与溅射工艺参数密切相关,在气压为0.45 Pa...
采用射频磁控溅射方法在单晶Si(100)基底上制备了一系列FeN薄膜样品,研究了N_(2)与Ar流量比、溅射电流、溅射压强、退火等工艺条件对FeN薄膜结构和磁性能的影响。研究表明,FeN薄膜结构与磁性能与溅射工艺参数密切相关,在气压为0.45 Pa、总流量为100 sccm的情况下,随着N_(2)与Ar流量比的增大,材料软磁性能变弱,矫顽力从24.5 Oe增大到104 Oe,并且面内磁各向异性减弱。在其他条件不变,增大溅射电流时薄膜材料厚度增加,且矫顽力也明显增大,表现出明显的旋转各向异性。对于在430℃×5 h真空退火、总流量为20 sccm、对应不同N_(2)流量比的FeN薄膜,随着N_(2)含量的增加,材料中Fe2N和Fe3N的增多,甚至在某些N_(2)流量比下薄膜呈非磁性。在Ar气和N_(2)流量比为19:1时制备出γ′-Fe_(4)N相结构的多晶薄膜。
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关键词
fen薄膜
射频磁控溅射
工艺参数
结构
磁性能
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职称材料
题名
厚度对FeN薄膜结构与磁性能的影响
1
作者
李晓宇
李天明
蒋运石
蒲祎涵
任勇
王皎银
闫欢
吴薄
张芦
机构
中国电子科技集团公司第九研究所
电子科技大学电子科学与工程学院
西南科技大学环境友好能源材料国家重点实验室
出处
《磁性材料及器件》
CAS
2024年第3期1-6,共6页
基金
国家重点研发计划项目(2021YFF0700900)
国防科工局国防基础科研计划稳定支持项目(SK2023-022)。
文摘
利用射频磁控溅射的方法在常温下制备一系列不同厚度的FeN薄膜,分析薄膜厚度对其微结构与磁特性的影响。研究表明,在常温下制备的FeN薄膜,都呈现出较为明显的非晶纳米晶结构,没有出现FeN结晶相,样品矫顽力随薄膜厚度增大先增大后减小。当薄膜厚度为40nm时,具备较为明显的软磁性能,且在外磁场诱导下样品呈现出明显的面内单轴磁各向异性;当厚度为80 nm时,薄膜表面呈现出条纹畴结构,面内单轴磁各向异性消失,表现出较弱的垂直磁各向异性;当厚度分别为120 nm、180 nm以及240 nm时,依然没有面内单轴各向异性,逐步呈现出迷宫畴结构。对40 nm和80 nm厚薄膜的磁谱测试结果显示,前者的自然共振频率为2 GHz,后者呈现出多个共振峰。经过430℃保温5 h条件下真空退火后所有样品都表现出明显的结晶现象,主要包含γ'-Fe_(4)N相和ε-Fe_(3)N相,其中120nm厚样品为较为纯净的γ'-Fe_(4)N相多晶薄膜。
关键词
fen薄膜
厚度
磁性能
微结构
Keywords
fen
films
thickness
magnetic properties
microstructure
分类号
TM271.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
射频磁控溅射制备的FeN薄膜结构与磁性能
2
作者
李晓宇
李天明
蒋运石
闫欢
张芦
张志红
王梦佳
何朝雄
机构
中国电子科技集团公司第九研究所
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《磁性材料及器件》
CAS
2023年第1期1-6,共6页
基金
四川省科技计划资助项目(2021YFG0015,2021YFG0019)
四川省人力资源和社会保障厅博士后科研项目。
文摘
采用射频磁控溅射方法在单晶Si(100)基底上制备了一系列FeN薄膜样品,研究了N_(2)与Ar流量比、溅射电流、溅射压强、退火等工艺条件对FeN薄膜结构和磁性能的影响。研究表明,FeN薄膜结构与磁性能与溅射工艺参数密切相关,在气压为0.45 Pa、总流量为100 sccm的情况下,随着N_(2)与Ar流量比的增大,材料软磁性能变弱,矫顽力从24.5 Oe增大到104 Oe,并且面内磁各向异性减弱。在其他条件不变,增大溅射电流时薄膜材料厚度增加,且矫顽力也明显增大,表现出明显的旋转各向异性。对于在430℃×5 h真空退火、总流量为20 sccm、对应不同N_(2)流量比的FeN薄膜,随着N_(2)含量的增加,材料中Fe2N和Fe3N的增多,甚至在某些N_(2)流量比下薄膜呈非磁性。在Ar气和N_(2)流量比为19:1时制备出γ′-Fe_(4)N相结构的多晶薄膜。
关键词
fen薄膜
射频磁控溅射
工艺参数
结构
磁性能
Keywords
fen
films
RF magnetron sputtering
process parameters
microstructure
magnetic properties
分类号
TM271.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
厚度对FeN薄膜结构与磁性能的影响
李晓宇
李天明
蒋运石
蒲祎涵
任勇
王皎银
闫欢
吴薄
张芦
《磁性材料及器件》
CAS
2024
0
下载PDF
职称材料
2
射频磁控溅射制备的FeN薄膜结构与磁性能
李晓宇
李天明
蒋运石
闫欢
张芦
张志红
王梦佳
何朝雄
《磁性材料及器件》
CAS
2023
0
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职称材料
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