FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮＩＣｒＳｉＢ膜，经３５０℃退火２０ ｍｉｎ后得到性能优良的巨磁阻抗材料．磁畴结构观察表明，样品中心为均匀的细条畴，靠近边缘，磁畴方向转向横向．这种畴结构有利于磁力线的闭合，是获得显著的巨磁阻抗效应的重要原因之一。磁阻抗测量表明，样品在１３ＭＨｚ的频率下，分别获得了６３％和７７％的纵向和横向磁阻抗比。